【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された３つの要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと３つの要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット１〜４のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理される。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を十分に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。スピンチャック５２１の外方には、ベベル洗浄部５３０が配置されている。ベベル洗浄部５３０は洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを有する。端面洗浄面５３１ｂは鉛直方向を軸心とする円筒面である。上ベベル洗浄面５３１ａは端面洗浄面５３１ｂの上端から外側上方に傾斜して延び、下ベベル洗浄面５３１ｃは端面洗浄面５３１ｂの下端から外側下方に傾斜して延びる。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を確実に洗浄することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシに加わる鉛直方向の荷重を検出するための圧力センサ６５を備えている。この圧力センサ６５の出力は、マイクロコンピュータで構成される制御部６７に入力されている。ブラシが基準位置に配置されると、ブラシに基板が微小な所定量だけ食い込み、ブラシが基板から鉛直方向の反力を受けるので、その前後でブラシに対して鉛直方向に加わる荷重が変化する。制御部６７では、その荷重変化に基づいて、ブラシが基準位置に配置されたか否かが判断され、基板の周縁部に対するブラシの接触が検出される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板エッジを洗浄するための装置、システム、及び方法は、洗浄化学物質が存在する状態での摩擦接触を使用して、基板エッジに堆積したベベルポリマを洗浄する毛ブラシ部を含む。毛ブラシ部は、外側へ延びる複数の羽根により構成され、回転軸に取り付けられる。研磨材料は、摩擦接触を提供するために、毛ブラシ部の外側へ延びる羽根の全体及び内部に分布させる。毛ブラシ部は、洗浄化学物質等の流体が存在する状態で、複数の研磨粒子と基板のエッジとの摩擦接触により、ベベルポリマを基板のエッジから剥ぎ取るのを可能にすることで基板のエッジを洗浄する。 （もっと読む）

１つの態様において、スクラバブラシアセンブリが提供される。該スクラバブラシアセンブリは、（１）外面及び内面を含む円筒形ブラシと、（２）該スクラバブラシの内面に結合された外面と、内面とを有するスリーブとを含む。該スリーブの外面は、該スリーブの該ブラシに対する回転を防ぐように適合された第１のカップリング特徴部を含む。該スクラバブラシアセンブリは、該スリーブの内面に結合されたマンドレルも含む。他の多くの態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面と溝内部のクリーニングを同時に行うとともに、一旦除去された微粒子の再付着を防止して、高い洗浄度の洗浄を行なうことができる基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１０により基板Ｗを保持して回転させ、揺動アーム１４を下降させて回転する基板Ｗの表面に洗浄体４２の下端を接触させ、揺動アーム１４を揺動させて洗浄体４２で基板Ｗのスクラブ洗浄を行うとともに、高圧ノズル３６から高圧洗浄液を噴出して洗浄体４２の内壁と基板Ｗで囲まれる空間を洗浄液で満たし、空間内に満たされた洗浄液と該洗浄液中を通過する高圧ノズル３６から噴出する高圧洗浄液との界面付近にキャビテーションによる気泡を発生させ、該キャビテーションによる気泡が潰れることで基板の高圧液洗浄を並行して行う。 （もっと読む）

基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供され、より効果的でより摩耗の少ない洗浄技術を提供する。
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【解決手段】基板を洗浄するための方法が提供される。方法は、中に固体成分を有する流体層を、基板の表面に配することから開始する。次いで、基板の表面に実質的に平行にかつ基板の外縁に向くように方向付けられたせん断力が形成される。せん断力は、一実施形態では、流体層に接触する固体物に加えられる力の法線成分または接線成分に起因することが可能である。基板の表面は、流体層を除去するためにすすがれる。洗浄システムおよび洗浄装置もまた、提供される。 （もっと読む）