【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水に、洗浄剤と、塩基性化合物と、酸性有機化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された洗浄組成物であって、さらに高分子化合物を含有させた洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を、ＣＮ⁻イオン濃度が極低濃度の溶液で処理して、金属汚染を除去する半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を、少量のＣＮ⁻イオン含有，ｐＨ９〜１４に調整された溶液によって、５０℃以下、好ましくは３０℃〜４０℃の範囲の温度で洗浄処理することで、当初の表面銅濃度約１０^１３原子／ｃｍ^２の金属汚染が、１０^９原子／ｃｍ^２以下にまで除去される。また、残存ＣＮ⁻イオンの少ない溶液は、イオン交換樹脂への吸着等で簡易に除去でき、環境基準のクリアも容易である。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを低減でき、かつ、パーティクル除去性能を最大限に確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内を所定圧力環境とするように制御し、かつ、噴出管１３から処理槽１内へ供給される純水の窒素ガス溶存量を所定溶存量となるように制御するとともに、処理槽１内に貯留された窒素ガス溶存水に付与する超音波振動の出力を所定出力値とするように制御するので、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内の圧力値、処理液の気体溶存量および超音波振動の出力値を変更することができ、基板Ｗの種類に応じてキャビテーションでの気泡崩壊発生圧力を調整でき、処理液の気体溶存量を飽和溶存量とすることができ、各種の基板に対してもダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を最大限に確保できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的に低温かつ簡便な処理工程で、上記高温水素プラズマ照射結果と同程度以上のクリーンな窒化物半導体の表面が得られる処理工程を提供することを課題とする。
【解決手段】窒化物半導体（Ｂ_zＡｌ_xＧａ_1-x-y-zＩｎ_yＮ_1-p-qＰ_pＡｓ_q、但し０≦ｘ、ｙ、ｚ、ｐ、ｑ＜１、かつｘ＋ｙ＋ｚ＜１、ｐ＋ｑ＜１）の表面に原子状水素を照射して自然酸化膜を除去する工程と、酸素プラズマを照射して人工酸化膜を形成する工程と、湿式エッチングにより人工酸化膜を選択的に除去する工程と、人工酸化膜が除去された窒化物半導体の表面を硫黄処理することにより表面保護層を形成する工程と、熱処理により表面保護層を除去する工程とを含む窒化物半導体の表面清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得ることができる枚葉式洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する保持手段２と、該保持手段に保持された基板上面Ｗ１に向けて洗浄液３を噴出する洗浄液噴出手段４とを具備する枚葉式洗浄装置１であって、少なくとも、基板下面Ｗ２に伝播水を供給する伝播水供給手段６と、基板直下に伝播水による膜５が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段７とを具備し、振動手段７から伝播水膜５に印加された超音波振動が、基板Ｗを透過し、該基板上面Ｗ１に載っている洗浄液３に印加されることにより、基板上面Ｗ１を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置１。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイス基板上の小さい寸法からの粒子汚染物を洗浄するための洗浄組成物。洗浄組成物は、高密度ＣＯ_２（好ましくは超臨界ＣＯ_２（ＳＣＣＯ_２））、アルコール、フッ化物源、アニオン界面活性剤源、非イオン界面活性剤源および任意にヒドロキシル添加剤を含有する。洗浄組成物は、Ｓｉ基板／ＳｉＯ_２基板上に粒子状汚染物を有する基板の損傷のない且つ残留物のない洗浄を可能にする。
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本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ_２〜Ｃ_１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
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【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）