説明

Fターム[5F157BE70]の内容

Fターム[5F157BE70]に分類される特許

1 - 9 / 9


【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも第1剤と第2剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記第1剤がアミン化合物を含有し、前記第2剤が酸化剤を含有し、さらに炭酸アルキレンを組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 (もっと読む)


マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも1つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも1つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび/またはオスミウム含有化合物であってもよい。
(もっと読む)


基材,例えば電子デバイス基材,例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 (もっと読む)


【課題】高度に清浄化された表面を得ることが可能な半導体デバイス用基板用の洗浄液を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄液は、ナトリウムイオン、カリウムイオン、鉄イオン、および下記一般式(1)で表される硫酸エステルのアンモニウム塩、および水を含有し、前記ナトリウムイオン、前記カリウムイオン、および前記鉄イオンの含有量がそれぞれ500ppb以下の半導体デバイス用基板用の洗浄液。
ROSO3-(X)+ (1)
但し、式(1)中、Rは、炭素数8〜22のアルキル基、または炭素数8〜22のアルケニル基であり、((X)+は、アンモニウムイオン、第一級アンモニウムイオン、第二級アンモニウムイオン、または第三級アンモニウムイオンである。 (もっと読む)


【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び/又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低pH組成物が開発された。低pH組成物は、少なくとも1種の鉱酸及び少なくとも1種の酸化剤を含む。低pH組成物は、下のケイ素含有層(複数可)を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 (もっと読む)


マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および/または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも1種の鉱酸と少なくとも1種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも1種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
(もっと読む)


半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び/又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 (もっと読む)


超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板(105,205)を処理するための方法およびシステム(100,200)を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
(もっと読む)


硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および/または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および/または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
(もっと読む)


1 - 9 / 9