説明

Fターム[5F157BF36]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄(有機) (1,513) | 成分 (1,057) | 糖類 (8)

Fターム[5F157BF36]に分類される特許

1 - 8 / 8


【課題】クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉に対する優れた洗浄性能を有し、かつ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成することができるウェハ表面を作り上げることができるシリコンウェハ用表面処理剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分(a)〜(d)からなる;(a)エーテル型非イオン界面活性剤0.1〜40重量%、R−O−(AO)n−H、R:炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基、AO:炭素数2〜4のオキシアルキレン基、n:1〜100(b)アルキルポリグルコシド5〜40重量%、R−O−(G)n−H、R:炭素数1〜22の直鎖又は分岐のアルキル基、G:炭素数5〜6の還元糖、n:1〜5(c)アルカリ剤1〜30重量%(d)水、前記成分(a)、(b)、(c)との合計量100重量%中の残部。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び/又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む1種以上の水溶性有機溶媒;水;フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物;そして随意選択的な第4級アンモニウム化合物;
を含む、残留物を除去するための組成物。 (もっと読む)


【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は1〜30質量%が好ましく、水の含有量は20〜99質量%が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 (もっと読む)


【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料(銅、タングステン等)が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン(A)、下記(I)〜(IV)からなる群より選ばれる少なくとも1種の多価水酸基含有化合物(B)及び水(W)を含有してなり、25℃でのpHが2〜14であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
(I)分子量が1,000未満の多価水酸基含有炭化水素
(II)エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を有する分子量が1,000未満の多価水酸基含有炭化水素
(III)上記(I)、(II)を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
(IV)糖類
(V)変性されていてもよいポリビニルアルコール (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液/気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい1または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目(すなわちポリマ網目)を形成しうる。長いポリマ鎖および/またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液/気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい1または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目(すなわちポリマ網目)を形成しうる。長いポリマ鎖および/またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 (もっと読む)


【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ILDに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】(a)フッ化物イオンを提供する少なくとも1種のフッ化物化合物、(b)アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも1種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および(c)水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、(d)少なくとも1種の極性、水混和性有機溶媒、(e)pH7以上、好ましくはpH約9.5ないし約10.8の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも1種の金属イオン不含塩基、および、1種またはそれ以上の(f)多価アルコール、および(g)界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 (もっと読む)


【課題】洗浄性に優れ、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、さらに引火点がなく、人体や環境への影響が少ないウエハ又は板状物の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分(a)〜(e)を含有することを特徴とするウエハ又は板状物の洗浄剤組成物である。
(a)下記一般式(1)で示されるアルキルポリグルコシド 5〜40重量%
R−O−(G)n−H ……(1)
(式中Rは炭素数1〜22の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Gは炭素数5〜6の還元糖を示し、nは1〜5である。)
(b)金属イオン封鎖剤(キレート剤) 1〜20重量%
(c)アルカリ剤 1〜30重量%
(d)エーテル型非イオン界面活性剤 1〜30重量%
(e)水 残部 (もっと読む)


1 - 8 / 8