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Fターム[5F157CD32]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (665) | 検知情報 (664) | 洗浄液、洗浄剤 (245) |  (69)

Fターム[5F157CD32]に分類される特許

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【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜16に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管6内を流れる処理液をバイパス配管10に分岐して流して、処理液吐出ノズル5から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜16を完全に除去する。 (もっと読む)


【課題】紫外線照度及びオゾン濃度を安定化し被洗浄物に対して面内均一な洗浄を実施できるドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽2内において、気体3の上流側から順に整流板5、紫外線ランプ6及び被洗浄物7を配置する。紫外線ランプ6は、254nm及び184nmの波長を有する紫外線を照射する。気体3中の酸素と184nmの紫外線により発生したオゾン及び254nmの紫外線により被洗浄物7を洗浄する。オゾン濃度及び254nmの紫外線照度は、オゾン濃度計9及びUV照度計10により夫々測定され、この測定結果に基づき流量制御19により気体3の流量を制御する。 (もっと読む)


【課題】精度良く濃度調整された希釈薬液を用いて基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第1混合部14は、ふっ酸タンク30から供給されるふっ酸原液(濃度がたとえば49wt%)と、DIW供給源から供給されるDIWとを混合して、希ふっ酸(濃度がたとえば2.3wt%)を生成する。第2混合部15は、第1混合部14で生成された希ふっ酸と、DIW供給源から供給されるDIWとを混合して希ふっ酸(たとえば0.11wt%)を生成する。第3混合部16は、第2混合部15で生成された希ふっ酸と、DIW供給源から供給されるDIWとを混合して希ふっ酸(たとえば0.005wt%)を生成する。 (もっと読む)


【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 (もっと読む)


【課題】薬液の供給を監視することにより、薬液の濃度測定系に異常が発生したことを精度よく検知することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薬液の濃度測定系に異常があれば、アラーム値メモリ57に記憶されている、正常な状態で供給された時の一定時間内における供給量(正常値)と、供給量積算部63が算出する一定時間内における実績値との間に差が生じるので、判断部59はその比較に基づき異常の発生を判断できる。供給量積算部63は、濃度測定部53及び濃度制御部55の制御の下で所定時間内に薬液供給管39から供給される薬液の供給量を積算し、供給配管17を通して処理槽1に供給される処理液中の濃度を測定する濃度測定部53とは別系統であるので、濃度測定部53の不具合に関係なく、異常を正確に判断することができる。 (もっと読む)


【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド10の被処理物Wと対向すべき側部40に、処理領域80の画成部41と、その両側の処理外領域81,82の画成部42,43とを設ける。第1処理外領域81と処理領域80との境に処理流体の噴き出し口50aを形成し、処理領域80と第2処理外領域82との境に吸い込み口50eを形成する。検出手段70にて第1処理外領域81における処理領域80に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段54にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口50eからの吸い込み流量を調節する。 (もっと読む)


半導体デバイスを湿式清浄化するときに採用される装置、システム及び方法が提供される。特に、所望のCO2濃度の脱イオン水を供給することのできるシステム、及び半導体デバイスを湿式清浄化するときに使用するため、所望のCO2濃度の脱イオン水を生成する方法が提供される。
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マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良型のシステム及び方法である。このシステム及び方法は、オゾン発生器と組み合わされた第1及び第2の濃度コントローラを含む。第1の濃度コントローラは、イベント(すなわち、マルチ・チャンバ・ツールにおける1つのチャンバがオン・ラインになる又はオフ・ラインになること)を検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器に電力指示を提供する。第1の濃度コントローラは、高速(すなわち、約1秒)の応答時間を有する。第2の濃度コントローラは、イベントの間はオゾン発生器からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器を制御する。第2の濃度コントローラは、第1の濃度コントローラよりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。
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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 (もっと読む)


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