【課題】洗浄中での洗浄液の量を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本実施例の洗浄システムは、洗浄の対象物の所定箇所に洗浄液を供給する供給部と、前記対象物に供給された前記洗浄液に接触して振動させる振動体と、前記洗浄液の量を監視する監視部と、前記監視部の監視結果に基づいて前記洗浄液の減少を検出し、前記洗浄液の減少を検出した場合には前記洗浄液に新たな洗浄液を補給するように前記供給部を制御する制御部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、液供給機構１５と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口３０ａを有した供給ライン３０と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット５０と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン３５と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａと、を有する。液供給切り替え弁３８ａは、供給ライン３０上に設けられ、供給ライン３０から戻しライン３５を介して液供給機構１５へ戻る液の経路上に、位置している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】送り出し部から処理液を供給ノズルを介して基板に吐出するにあたり、処理液の流量の監視と、処理液中の気泡のトラップとを同一の機器により行うこと。
【解決手段】気密な容器の上部に開口し、送り出し部から処理液が送り出される第１の流路と、当該容器の底部に接続され、途中に開閉バルブが設けられた第２の流路と、この第１の流路から滴下される液滴の落下軌跡を横切るように光軸が形成された光電センサーと、光電センサーからの検知信号に基づいて処理液の流量を計測する流量監視部と、容器の上部に設けられ、排気バルブを介して大気に開口する排気路と、前記容器内の液面レベルが下限レベルに達したか否かを監視し、下限レベルに達したときに、開閉バルブを閉じると共に排気バルブを開放し、送り出し部から容器内に処理液を送り出す制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第１の薬液(21)を供給する第１薬液供給機構(25)と、第１の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第２の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第２薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第１及び第２の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第２の薬液(22)の供給を開始するとともに第２の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 （もっと読む）

【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】生産性を著しく損なうことなく、処理液の成分濃度を補正することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液投入管２５に介装された混合部２６には、成分液供給管３１，３２，３３からの成分液（第１薬液、第２薬液および純水）が供給される。これらの成分液混合部２６で混合された後に、処理液槽１０に投入される。処理液槽１０の処理液１４の成分濃度は、成分濃度測定器２０によって測定される。いずれかの成分濃度の不足が検出されると、処理液槽１０内の液面を補給停止液面高まで上昇させるために補給すべき処理液の総量（補給総量）が求められる。この補給総量に基づき、不足成分の濃度を補正できるように各成分液の個別補給量が求められる。この個別補給量の比に等しい流量比で、複数の成分液が混合部２６で混合されて、処理液投入管２５から処理液槽１０に供給される。 （もっと読む）

【課題】空きリソースの不足の発生を防止することができる、基板処理装置ならびに基板処理装置におけるグラフ描画周期決定方法およびグラフ描画方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１では、データ収集部２２により、薬液流量などのデータが一定のデータ収集周期ＤＴで取得される。この取得されたデータは、データバッファ２１に一時的に記憶される。データバッファ２１からデータを読み出す周期に一致するグラフ描画周期ＧＴは、コンピュータ２のリソースの使用状況の一例であるＣＰＵ使用率に基づいて決定される。そして、その決定されたグラフ描画周期ＧＴでデータバッファ２１からデータが読み出され、データの時間変化を示すグラフが操作パネル３のディスプレイ３１に描画される。 （もっと読む）

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１の回転定盤１７に取り付けた研磨パッド１６とトップリング１８との間に半導体ウエハＷを保持して相対回転させてウエハＷを研磨する。リンス水供給管１１にリンス水流量調整弁１３を設けて、研磨部２内の研磨パッド１６に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部３には研磨した半導体ウエハＷを洗浄用スポンジローラ２６，２７で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管１２ａ、１２ｂにリンス水流量調整弁１４、１４を設けて、洗浄用スポンジローラ２６，２７に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をｔ分とし、１回毎の純水の供給継続時間をｄｔ秒として、下記の（１）式と（２）式を満足する。ｄｔ＝２０{１．６−ｅｘｐ（−０．０１７８３ｔ）} ……（１）、１０≦ｔ≦３０ ……（２） （もっと読む）

【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を貯蔵することも、無駄に廃棄することもなく、半導体ウェハを洗浄する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ洗浄システム１０は、洗浄装置１２とオゾン水製造装置４を含んでいる。洗浄装置１２の第１制御部１６は、半導体ウェハをオゾン水で洗浄する洗浄処理の開始時刻に先立って、オゾン水製造装置４が予め定められた濃度のオゾン水を製造するのに要する設定時間前に供給予報信号８をオゾン水製造装置へ送信し、洗浄処理の開始時刻に供給指示信号１４をオゾン水製造装置へ送信する。オゾン水製造装置４の第２制御部６は、洗浄装置１２から供給予報信号８を受信するとバルブ１８を閉じたままガス発生部２を起動し、洗浄装置１２から供給指示信号１４を受信するとバルブ１８を開く。 （もっと読む）

【課題】より適切にフィルタを交換することが可能な薬液のフィルタリング方法を提供する。
【解決手段】第１のタンクに貯留された第１の薬液をフィルタによりフィルタリングし、このフィルタリングにより得られた第２の薬液を第２のタンクに貯留する、薬液のフィルタリング方法であって、第１回目から第ｎ回目までに第１のタンクに各々貯留された各々の第１の薬液に対応する捕獲量を積算することにより、積算捕獲量を取得する工程と、積算捕獲量と予め規定されたフィルタの限界捕獲量とを比較し、この比較結果に基づいて、フィルタを交換する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ４３と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の水洗処理において、リフターに付着する薬液の水洗槽への持込み量を低減させ、水洗槽でのエッチングを防止できる洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄後にリフター２の洗浄を行い、薬液処理時に用いられた薬液および純水を含む溶液の比抵抗とリフター洗浄前の初期比抵抗の差分が予め設定された所定の値になるまで積分演算を行い、リフターに付着している残留薬液量を算出し、算出された残留薬液量からリフターが清浄な状態になるまでの洗浄時間を算出する。前記洗浄時間が経過するまで純水によるリフターの洗浄を行うことで、水洗処理槽でのエッチングを防止し、微細デバイスの品質、信頼性および歩留りを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】正常に処理された時の補充履歴を用いることにより、比較的簡単に故障判断の基準の設定を行うことができ、故障検知の精度を高くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して正常な処理ができた際の実績のある処理液への液体の補充量に対する履歴を、処理液が生成されてからの供給流量の積算により基準補充履歴とし、この基準補充履歴を履歴メモリ６１に予め記憶し、基準補充履歴を演算部６３が近似化して近似化基準補充履歴とし、この近似化基準補充履歴を近似化メモリ６５に予め記憶しておく。設定部６７を介して近似化基準補充履歴に対して上下限の範囲を設定するが、近似化基準補充履歴はバラツキが小さくなるので、上下限を容易に、かつ比較的狭い範囲で設定することができる。制御部５５は、補充量の積算値と、設定された上下限とに基づいて液体供給の良否を判断する。 （もっと読む）

【課題】極めて低い濃度に精度良く調整された薬液を、基板に供給することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】混合部材１３には、集合導入管（低濃度薬液流通管）１５と、アンモニア導入管１６、過水導入管１７、塩酸導入管１８および高濃度ふっ酸導入管（高濃度薬液流通管）１９が接続されている。集合導入管１５は大流量の処理液が流通するラインである。集合導入管１５は、低濃度ふっ酸配管３３を介して、タンク３８と循環路３６を構成する循環配管３９の途中部に接続されている。循環配管３９とタンク３８とによって循環路３６が構成されている。循環配管３９の途中部には、温度調節ユニット４１が介装されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対するダメージの発生及び処理力の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、被処理面上の処理液の液膜厚を測定する測定部８と、測定部８により測定された液膜厚に応じて、複数の供給位置毎に基板Ｗの回転数を変更し、被処理面上に形成された液膜厚が一定になるように基板Ｗの回転数を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）