本発明は基板の洗浄面に洗浄部材を接触させると共に洗浄液を供給し両者の相対的運動により、該洗浄面を洗浄する基板洗浄装置の洗浄部材に係る。洗浄部材は、防水性のコア部を具備し、該コア部の表面を多孔質高分子素材で被覆した被覆層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ガス放電ランプを駆動する適応ドライバと、永久的な最適化モードで、適応ドライバによって駆動されるガス放電ランプ、とりわけ容量性ガス放電ランプ、更にとりわけ誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプを動作させる方法であって、ドライバの出力（電流、電力、電圧、周波数）の重要な値を表す信号を測定、検知及び／又は検出するステップと、ランプの放電の質に関して少なくとも１つの実際の基準値を計算するステップと、ランプの最適化動作モードに関する少なくとも１つの所定値と実際の基準値とを比較するステップと、その比較の結果に従って電源を調整するステップとを有する方法とに関する。
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ロボットアーム等の基板搬入機構を基板の搬入後速やかに基板の把持から解放し、基板を保持する時間を短縮し、スループットを向上させることができる基板処理ユニット、基板搬送方法、基板洗浄処理ユニットおよび基板めっき装置を提供する。基板１１を所定の保持位置に保持する基板保持機構１０と該基板保持機構で保持された基板に所定の処理を施す処理機構３２を備えた基板処理ユニットにおいて、基板を保持位置近傍に案内するガイドピン１５を具備する基板ガイド機構２０を設け、基板保持機構は基板の保持位置外周上に複数のローラー１４を備え、複数のローラーは保持位置近傍にある基板をその外周を挟持して保持するようになっており、ローラーは大径部と大径部の上部に小径部が一体に形成された構造であり、大径部の上部に基板搬送の際に基板を仮置きできる肩部を備え、肩部には外周に向かって下がる勾配の傾斜面が形成される。
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半導体プロセスで使用される洗浄機器。機器は、洗浄される基板を支持する基板サポータと、スクラブ・パッド取付プレートと、基板サポータ及びスクラブ・パッド取付プレートに結合するチャックとを備えている。チャックは、基板サポータとスクラブ・パッド取付プレートを移動させるように構成されている。機器はさらに、スクラブ・パッド取付プレートに取り付け可能であり、そこから移動可能であるスクラブ・パッドを備えている。スクラブ・パッドはスクラブ・パッド取付プレートに取り付けられた場合に、基板サポータ上に取り付けられた場合の基板より高い。スクラブ・パッド取付プレート及び基板サポータは両方ともチャックに結合させることができ、それによってチャックはスクラブ・パッド取付プレート及び基板サポートの両方を１つの動作で移動させる。 （もっと読む）

マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良型のシステム及び方法である。このシステム及び方法は、オゾン発生器と組み合わされた第１及び第２の濃度コントローラを含む。第１の濃度コントローラは、イベント（すなわち、マルチ・チャンバ・ツールにおける１つのチャンバがオン・ラインになる又はオフ・ラインになること）を検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器に電力指示を提供する。第１の濃度コントローラは、高速（すなわち、約１秒）の応答時間を有する。第２の濃度コントローラは、イベントの間はオゾン発生器からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器を制御する。第２の濃度コントローラは、第１の濃度コントローラよりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。
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【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも１つの口を含む。少なくとも１つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さＬの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 （もっと読む）

シリコンウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって、ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を用いて洗浄される。本発明の別の態様は、回転ブラシをローラー（１１０）で置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。洗浄材のウェブ（１１６）を各ローラーと基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。
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超小型電子デバイスへの薄膜の堆積または超小型電子デバイスからの不要な層、パーティクル、および／または残渣の除去のための連続流式超臨界流体（ＳＣＦ）装置および方法。ＳＣＦと他の薬液成分との均一な混合を保証するために、ＳＣＦ装置には動的ミキサが含まれることが好ましい。
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基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約９００℃よりも低い第１基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持され、第２基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
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本発明は、基板を次の工程によって処理するための方法に関する。処理すべき基板の局所的な表面領域に液体膜を、少なくとも１つの長尺のノズル装置及び該ノズル装置に隣接して配置された超音波変換装置若しくはメガ音波変換装置を備えたノズルユニットによって形成し、前記超音波変換装置の少なくとも一部分を前記液体膜と接触させ、かつ前記超音波変換装置によって超音波を前記液体膜内に作用させる。 （もっと読む）

膜除去システム（２００、２０１）中の基板（１７８、２６５）を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム（２００、２０１）の基板チャンバ（２５０）内にミクロフィーチャ（１７０）の側壁（１８３）上の誘電体膜（１８２）及び誘電体膜（１８２）の一部を覆うフォトレジスト膜（１８４）を有するミクロフィーチャを有する基板（１７８、２６５）を提供する段階と、フォトレジスト膜（１８４）によって覆われていない誘電体膜（１８２）の部分（１８６）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜（１８４）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
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