【課題】活性層劣化及び端面劣化を抑制して高出力且つ高信頼性を有するＧａＮ系の半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１の上に、各々が六方晶ＧａＮ系結晶よりなる第１クラッド層２、活性層４、及び第２クラッド層６が順次形成された積層構造を備えており、光を伝播するストライプ状の光導波路を積層構造の内部に有する半導体レーザ装置であって、光導波路は、積層構造の主面に平行な面内に伸びており、光導波路における少なくとも一方の端部に、面方位が（０００１）の光出射端面を有している。 （もっと読む）

【課題】光吸収を抑制することができると共に、活性層への電流注入が効率よく行うことができ、高出力化を図ることが可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１０５上に活性層を介してフォトニック結晶層１３０を有する面発光レーザであって、前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第１の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第２の周期構造とを有する。
このフォトニック結晶層内の前記光の強度分布は、前記第２の周期構造によって、光強度が高い領域と低い領域とに周期性をもって分布している。前記光強度が低い領域の直上に、前記活性層に電流注入するための導電膜１７０が選択的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体光装置の製造方法に関し、半導体光装置の特性劣化や信頼性低下を抑制した半導体光装置の製造方法を提供する事を目的とする。
【解決手段】ｐ型クラッド層形成のためのｐ型クラッド層形成工程と、ｐ型クラッド層形成工程後、ｐ型クラッド層の上層に形成されるｐ型クラッド層との選択エッチングが可能なキャップ層形成のためのキャップ層形成工程と、キャップ層形成工程後、キャップ層の上層に形成されるスルー膜を形成するためのスルー膜形成工程と、スルー膜形成後窓構造を作製するためのイオン注入工程と、イオン注入工程の後に前述したスルー膜を除去するスルー膜エッチング工程と、スルー膜エッチング工程後にキャップ層を選択的に除去する薬液を使用してキャップ層をエッチングするキャップ層エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さの制御性や再現性に優れた、より選択性の高い窒化物化合物半導体層のエッチング方法、並びに、そのエッチング方法を用いて製造された半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電子のオーバーフローを抑制することができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、井戸層３１及びバリア層３２を含み量子井戸構造を有する活性層１５と、バリア層３２上に設けられIII−Ｖ族化合物半導体材料からなるオフセット層３５（第１のクラッド層）と、オフセット層３５上に設けられｐ型不純物を含む電子ストッパー層１７と、電子ストッパー層１７上に設けられオフセット層３５と同一材料からなり、電子ストッパー層１７のｐ型不純物濃度よりも低い濃度のｐ型不純物を含む第２のクラッド層１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系半導体のファセット構造を形成しながら成長させて隣接するファセット構造を合体させる。ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。更にファセット構造を成長させて隣接するファセット構造を合体させることでファセット面とファセット面とが重なる領域に曲がった転位を集める。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、酸素濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスから成る雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

半導体デバイスは、活性層（３５０）およびクラッド層（３７０）を備える。電子ブロッキング層（３８０）が、活性層とクラッド層との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、活性層からクラッド層に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される。電子ブロッキング層は、周期表のＩＩＩ族の２つの元素、および周期表のＶ族の１つの元素を含む。周期表のＩＩＩ族の２つの元素の一方が、活性層から離れてクラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第１の部分、および第１の部分とクラッド層との間で濃度が次第に減少する第２の部分を有する濃度プロファイルを有する。
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【課題】基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を良好な結晶品質で成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層を基板上に化学気相成長法により成長させ、このＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を化学気相成長法により成長させる場合に、Ｇａの原料の供給量に対するＮの原料の供給量のモル比を８０００以上、好ましくは１００００以上、より好ましくは１１０００以上にしてＧａＮ層を成長させる。基板としてはＡｌ₂ Ｏ₃ 基板、ＺｎＯ基板、ＳｉＣ基板などを用いる。 （もっと読む）

【課題】発光特性を向上することのできる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層２と、ｎ型クラッド層２上に形成されたＩｎ_sＧａ_1-sＮ（０≦ｓ＜１）よりなるｎ型中間層３と、ｎ型中間層３上に形成されたＩｎ_tＧａ_1-tＮ（０≦ｔ＜０．５）よりなるｎ型緩衝層４と、ｎ型緩衝層４上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層５とを備えている。量子井戸発光層５はＩｎ濃度が相対的に高いＩｎ_uＧａ_1-uＮ（０＜ｕ＜０．５）よりなる井戸層と、Ｉｎ濃度が相対的に低いＩｎ_vＧａ_1-vＮ（０≦ｖ＜ｕ）よりなる障壁層とを有している。ｎ型緩衝層４のＩｎ濃度はｎ型中間層３のＩｎ濃度よりも高く、かつ井戸層５ｂのＩｎ濃度はｎ型緩衝層４のＩｎ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】デバイスにダメージを与えることなく容易に製造することのできる半導体発光装置の製造方法およびこれを用いて製造された半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１の製造方法は、エピタキシャル層１５と誘電体膜１６とを有するフォトニック結晶構造８を形成するフォトニック結晶構造工程と、フォトニック結晶構造工程後に、誘電体膜１６上およびエピタキシャル層１５上にＧａＮ層９を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。
【解決手段】化合物半導体発光素子の製造方法において、有機金属気相成長法を用い、基板上に、下部クラッド層４を形成し、下部クラッド層上に、第１の温度でＩｎを含む活性層５を形成し、活性層上に、第２の温度で蒸発防止層であるＡｌ_XＧａ_1-XＮ（０≦Ｘ≦１）層６を形成し、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ（０≦Ｘ≦１）層上に、第３の温度で上部クラッド層７を形成する。これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高い出力安定性および長寿命を実現する窒化物半導体レーザー素子が望まれていた。
【解決手段】井戸層２２および障壁層２１を含む多重量子井戸構造の活性層１４を有する窒化物半導体レーザー素子であって、発振波長が４３０〜４４０ｎｍで、井戸層２２の全積層数が３であり、井戸層２２と障壁層２１とのバンドギャップエネルギーの差が０．３ｅＶ以上である窒化物半導体レーザー素子である。
【効果】井戸層の全積層数を３としたので、高い出力安定性および長寿命化を実現できる。また、井戸層２２と障壁層２１とのバンドギャップエネルギーの差が０．３ｅＶ以上であり、発振特性において従来の素子よりも信頼性に優れる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０〜１００ｍｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】２方向に劈開性を示す酸化ガリウム基板を含むウエハを分離して素子化する際に、酸化ガリウム基板の劈開を防止する。
【解決手段】半導体層を積層した酸化ガリウム基板２をその第１の劈開面ｍにそって短冊状に分割してバー２０を形成し（第１の分割ステップ）、このバー２０を第１の劈開面側ｍから分割する（第２の分割ステップ）。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(10)と、基板(10)上に形成された金属接合層(11)と、金属接合層(11)上に配置された、凹部(12a)を有する金属層(12)と、凹部(12a)内に形成された電極(13)と、電極(13)に接し、かつ凹部(12a)内に形成された半導体多層膜(14)と、半導体多層膜(14)の側面と凹部(12a)との間に配置された電気絶縁膜(15)とを含み、凹部(12a)は、半導体多層膜(14)の光出射側に向かって広がっており、半導体多層膜(14)の側面は、凹部(12a)の内壁に沿って形成されており、金属接合層(11)と金属層(12)との間に介在する金属拡散防止層(17)を含む半導体発光装置(1)とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層と、活性層の一方の側にｎ型光ガイド層３２及びその他方の側にｐ型光ガイド層を備える積層構造物と、を有し、活性層は、Ｉｎ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}Ｎ（０＜ｘ１≦１）で形成されるウェル層１６と、ウェル層の両側にＩｎ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ｎ（０≦ｘ２＜１）で形成される障壁層１２と、ウェル層と障壁層との間に設けられてインジウム拡散を防止する拡散防止層１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス品質の良好なＩｎＮ／ＧａＮヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板１、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、ｎ型ガイド層４、活性層５、ｐ型ガイド層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８を順に積層して構成されている。またｎ型コンタクト層３上には第一の電極９が、ｐ型コンタクト層９上には第二の電極１０が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層５に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】量子井戸サブバンド間遷移には、赤外線イメージセンサ、量子カスケードレーザや超高速光変調素子への応用があり、従来のＴＭモードのみの光との相互作用に加え、ＴＥモード光との相互作用を可能にし、これらのデバイスの高効率、高性能化を実現する。
【解決手段】電子の有効質量に異方性がある半導体を用い、かつ、等エネルギー面の主軸から傾いた方向に量子井戸構造を形成することにより、ＴＥモード光（電磁波）によりサブバンド間電子遷移を生じさせる方法を発明した。 （もっと読む）