【課題】Ｇａを含有するｎ型半導体層に対して低いコンタクト抵抗を実現する。
【解決手段】本発明は、ガリウム（Ｇａ）を含有するｎ型半導体層２０１の表面に形成されるｎ側電極１１０である。電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント接合位置近傍に於ける欠陥の発生を抑制して、AlGaInAs製の活性層を備えた集積型光半導体装置の性能を向上させる、集積型光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体マスクによって形成される庇の下に、［-１１０］方向を向いた側面を第１の上部クラッド層及びAlGaInAs製の第１の活性層に形成し、基板上の前記誘電体マスクによって覆われていない領域に第２の活性層と第２の上部クラッド層を成長する。 （もっと読む）

【課題】バンドフィリングによる影響を低減することが可能な窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体レーザは、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２と、第２導電型窒化ガリウム系半導体層１３と、発光層７と、第１光ガイド層５と、第２光ガイド層９とを備え、発光層７は、バンドギャップＥ_Ｗを有する井戸層３５と、バンドギャップＥ_Ｂを有する障壁層３４とを含む量子井戸構造を有し、第１光ガイド層５、第２光ガイド層９、及び障壁層３４の少なくともいずれかは、バンドギャップＥ_Ｙを有する窒化ガリウム系半導体層からなる第１光吸収層３１を含み、第１光吸収層３１のバンドギャップＥ_ＹはバンドギャップＥ_Ｗよりも大きく、Ｅ_ＹはＥ_Ｂよりも小さく、Ｅ_ＹとＥ_Ｗとの差は、０よりも大きく、０．３ｅＶより小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 超音波を利用してより効率的に分布帰還型の動作を実現可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１は、半導体基板１０と、半導体基板上に設けられ、活性層２３Ａ，２３Ｂを含むレーザ構造部２７及びレーザ構造部上に設けられるコンタクト層２８を有する半導体積層体２０と、レーザ構造部の光軸方向に伝搬する超音波を半導体積層体に供給する超音波供給手段３０とを備え、レーザ構造部は、活性層で生成され伝搬してきた光の少なくとも一部を吸収する吸収損失層２２Ａ，２２Ｂを有し、レーザ構造部が活性層のみから構成されているとしたときに、半導体基板１０の主面１０ａと略直交する方向におけるそのレーザ構造部内の第１及び第２の領域であり超音波の伝搬に伴うキャリア密度の変化の変化パターンが互いに反対の第１及び第２の領域のうち第１の領域に活性層が配置され、第２の領域に吸収損失層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化物系半導体層を再現性よく高活性化することが可能な窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物系半導体素子の製造方法は、基板１上に、少なくとも一層の窒化物系半導体層（２，３）を形成する工程と、窒化物系半導体層（２，３）上に、マグネシウムをドープしたｐ型窒化物系半導体層４を形成する工程と、ｐ型窒化物系半導体層４を窒素雰囲気中において８００〜９２０℃でアニーリングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子層のｐｎ接合部分が電気的に短絡するのを抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体発光素子）５０は、半導体レーザ素子部１０と、所定の金属（たとえばＡｌなど）からなる金属基板３０とを備える。そして、半導体レーザ素子部１０は、金属基板３０の表面で支持されるとともに、金属基板３０の側面は、半導体レーザ素子部１０を支持する側の金属基板３０の表面と鋭角をなす傾斜面３１を有している。 （もっと読む）

【課題】反射率ピークの波長依存性が小さい回折格子デバイスを提供する。
【解決手段】回折格子デバイス１ａでは、回折格子構造９は、光導波路コア７と基板３との間に設けられている。第１のクラッド領域１７ａ及び領域１５は、回折格子のための接合１０ａを形成する。積層構造５は第３の層１１ａを含み、第３の層１１ａは、光導波路コア７と回折格子構造９との間に位置する。また、第３の層１１ａは第２のエリア３ｃ上において回折格子構造９上に設けられている。第３の層１１ａは、領域１５の屈折率と異なる第３の屈折率ｎ３を有する。第２の部分５ｃでは第３の層１１ａが光導波路コア７と第１のクラッド領域１７ａの間にあり、第１の部分５ｂでは光導波路コア７は回折格子構造９の領域１５に隣接している。このため、第３の層１１ａの屈折率及び光導波路コア７の屈折率からなる周期的な屈折率変化が光導波路コア７に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からのオフ角が２０°以上２８°以下の範囲に含まれる主面を有するＧａＮ基板１５上にＩｎＧａＮ井戸層５ａを成長させる工程において、成長温度を６００℃以上７００℃以下の範囲に含まれる温度とし、Ｎ原料ガスの流量Ｑ_VとＩｎの原料ガスの流量Ｑ_Inとのモル流量比（Ｑ_V／Ｑ_In）を９０００以上３００００以下の範囲に含まれる値とし、井戸層５ａの成長速度を０．０１［μｍ／時］以上０．１［μｍ／時］以下の範囲に含まれる速度とし、井戸層５ａの一層毎の厚さを１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

５００ｎｍよりも長いピーク放射波長を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオードを含む、ＩＩＩ族窒化物の光電子デバイス。該ＩＩＩ族窒化物の光電子デバイスは、インジウム含有井戸層とバリア層との間における、９×１０^９ｃｍ^−２よりも小さい境界面から生じる、転位密度を有する。該ＩＩＩ族窒化物の光電子デバイスは、井戸層の成長とバリア層の成長との間において、１分間よりも長い中断時間を有して成長される。
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【課題】良好な品質の劈開面を有する窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】支持基体１３上に半導体積層１５が設けられている。支持基体１３の主面１３ａの傾斜角は、六方晶系窒化物半導体のｃ面から所定の方向に２０度以上であり、傾斜角は４０度以下である。一点鎖線１３ｃは、支持基体１３における六方晶系窒化物半導体の代表的なｃ面を示す。半導体積層１５は、半導体レーザのための複数の半導体膜を含む。半導体積層１５の活性層２３は、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体層を有しており、この窒化ガリウム系半導体層のインジウム組成は０．２以上である。半導体積層１５の表面１５ａは、Ｘ軸の方向に延びる複数の突起１９ａを有しており、複数の突起１９ａは、例えばＹ軸の方向に配列されている。半導体積層１５は、第２の方向に延びる第１及び第２の劈開面１７ａ、１７ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の発生を抑制した高品質な半導体光デバイス及び光通信用半導体デバイス、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体を用いた光デバイスにおいて、その半導体微細構造を形成する前に、その半導体微細構造が形成される領域に対して、半導体微細構造の組成と同一もしくは異なる原子・分子線を照射すると共に、その半導体微細構造を形成した後に、その半導体微細構造が形成された領域に対して、半導体微細構造の組成と同一もしくは異なる原子・分子線を照射して、その原子・分子で半導体微細構造の周囲をコーティングする。原子・分子線の照射は、半導体微細構造を形成する前後のいずれか一方でもよい。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、キャリアの閉じ込めを改善するためにデルタドープされた活性領域を有するレーザー構造体を含む。このレーザー構造体は、ｎ型クラッド層、ｎ型クラッド層に隣接して形成されるｎ型導波路層、ｎ型導波路層に隣接して形成される活性領域、活性領域に隣接して形成されるｐ型導波路層、およびｐ型導波路層に隣接して形成されるｐ型クラッド層を含む。レーザー構造体は、ｐ型ドーパント濃度が、活性領域のｎ型側から活性領域を横断して活性領域のｐ型側まで増加し、かつ／またはｎ型ドーパント濃度が、活性領域のｎ型側から活性領域を横断して活性領域のｐ型側まで減少するように構成される。デルタドープされた活性領域は、改善されたキャリアの閉じ込めを提供するとともに、ブロッキング層の必要性をなくし、これによって、ブロッキング層が起こす活性領域に対する応力を減少させる。
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【課題】性能を向上することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、フォトニック結晶層７と、活性層５とを備えている。フォトニック結晶層７は、高屈折率部分７１と、高屈折率部分７１の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率部分７２とを有している。活性層５は、フォトニック結晶層７の一方の主面側に形成されており、かつキャリアが注入されることにより発光する。高屈折率部分７１および低屈折率部分７２の各々はＧａＮを含んでいる。 （もっと読む）

放射線をコリメートするための装置は、サブ波長次元の開口と、放射線を放出する能動または受動デバイスと統合された金属膜上に規定される、隣接する一組の溝とを含むことができる。レーザまたは他の放射線放出デバイスのファセット上へのビームコリメータの統合は、ビームのコリメーションおよび偏光選択を提供する。ビーム発散は、従来のレーザの出力と比較して２桁以上低減することができる。開口−溝構造を伴う能動ビームコリメータは、半導体レーザ（例えば、量子カスケードレーザ）、発光ダイオード、光ファイバ、およびファイバレーザ等の、広範囲の光学デバイスと統合することができる。
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【課題】レーザ発生装置の規模の増大を抑制し、かつ放熱性の低下が抑制された面発光レーザダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１を含むリング形状の第１半導体層２０と、第１半導体層２０上に配置されたリング形状の活性層３０と、ｐ型クラッド層４３及び屈折率が互いに異なる複数の領域を円周方向に隣接したグレーティングユニットが円周方向に連続して配置された回折格子層４２を含んで活性層３０上に配置されたリング形状の第２半導体層４０とを備え、活性層３０で生成されて回折格子層４２を円周方向に沿って伝播する光の伝播係数がβのとき、第２半導体層４０の円心から互いに隣接する２つのグレーティングユニットにそれぞれ延伸する直線がなす角と第２半導体層４０の半径との積で定義されるグレーティングユニットの配置ピッチが２π／βに等しい。 （もっと読む）

【課題】伝送速度および伝送距離を考慮し、低コストの光モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓからなるベース層上に形成された量子ドットと、量子ドットを覆いＩｎＧａＡｓからなるカバー層と、を有する量子ドットファブリペロレーザを具備し、前記量子ドットファブリペロレーザの出力光を用い波長が１．３１μｍ帯のシングルモードファイバにビットレートが１．２５Ｇｂ／ｓで２０ｋｍの信号伝送を行う光モジュールである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、閾値電流を低くすることができる半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。ｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７の表面に、透明電極からなるｐ型電極４がオーミック接触している。ｐ型電極４は、上部クラッド層として兼用される。 （もっと読む）

【課題】ポンピングされたときにレーザー発振する（ｌａｓｅ）ことによって、レーザー光を生じる有機物質を包含するレーザーデバイスの提供
【解決手段】本発明は第１ミラー層（１１０）と、前記第１ミラー層（１１０）上の第１活性有機物質層（１１２）とを含むレーザーを包含する。第１活性有機物質はポンピングされたときにレーザー発振し、それによってレーザー光を発生する。第１ミラー層（１１０）は第１活性有機物質によって発生される光の少なくとも一部を反射する。本発明は光学的及び電気的にポンピングされる両方の実施態様を包含する。 （もっと読む）

【課題】高出力化を行いながら、性能を向上させることが可能な端面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】この端面発光型半導体レーザ１は、Ｙ方向に延びる光導波路３ａを有する半導体層３と、半導体層３上に配置されるとともに、開口部４ａを有する電流ブロック層４と、半導体層３および電流ブロック層４上に配置されたｐ側電極５とを備え、ｐ側電極５は、電流ブロック層４の開口部４ａにおける半導体層３上のＸ方向の一方側および他方側に配置されているとともに、電流ブロック層４の開口部４ａにおける半導体層３のＸ方向の中央部が露出するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 スペクトル幅の狭いレーザ光を出力可能な半導体レーザ素子及び半導体光源装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１１Ａは、回折格子１７による反射によってレーザ発振を生じせしめる半導体レーザ光源部１３Ａと、半導体レーザ光源部１３Ａの一端に光学的に結合されており、回折格子１７の周期によって決まる半導体レーザ光源部１３Ａの発振波長の光を選択的に通過させる波長フィルタ部１５と、半導体レーザ光源部１３Ａ及び波長フィルタ部１５を設ける基板Ｓとを備える。この半導体レーザ素子１１Ａでは、波長フィルタ部１５はリング状導波路３１，３３を有する。また、半導体レーザ素子１１Ａでは、半導体レーザ光源部１３Ａから出力された光を、波長フィルタ部１５を通過させることで、リング状導波路３１，３３の共振波長によりフィルタリングを施すことになるので、スペクトル幅の狭いレーザ光を出力することが可能である。 （もっと読む）