【課題】 高効率なレーザビームを出力可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この半導体レーザ素子は、半導体からなる下部クラッド層Ｂと、半導体からなる上部クラッド層Ｃと、下部クラッド層Ｂと上部クラッド層Ａとにより挟まれ、積層された複数の半導体層からなり、下部クラッド層Ｂ及び上部クラッド層Ｃのいずれよりも平均屈折率が高いコア層Ａとを備えている。コア層Ａは、量子井戸層からなる活性層３Ｂと、フォトニック結晶層４とを含み、動作時におけるコア層Ａ内の厚み方向の電界強度分布が、２つのピークを有しており、ピーク間の谷の位置は、活性層３Ｂとフォトニック結晶層４との間の領域内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低く、しきい値電流の小さい半導体レーザ装置を構成する。
【解決手段】この半導体レーザ装置は、ｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０と活性層１８との間に、この活性層１８に密接して配設されるとともに活性層１８のバンドキャップエネルギーの値とｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーであってそれらと離散的に異なるバンドギャップエネルギー、及び活性層１８の屈折率とｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０の屈折率の中間の屈折率を有し、活性層１８よりも薄い厚みを有するｎ側エンハンス層１０２、ｐ側エンハンス層１０４を備え、活性層１８とｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に０次の量子準位を有するものである。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を揃えたり、単一のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を所望の方向に向けたりすることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】互いに並列配置された複数のリッジ部３０の上面には上部電極３３、配線層３５および絶縁層３６が設けられている。上部電極３３は、リッジ部３０の延在方向に延在する帯状の形状となっており、中心軸ＡＸ上に配置されている。配線層３５は、一の上部電極３５と、一のパッド電極３４とを互いに接続しており、全てのリッジ部３０を跨いで形成されている。上部電極３３および配線層３５のうちリッジ部３０の上面と対向する部分は、リッジ部３０の中心軸を中心として左右対称の形状となっている。 （もっと読む）

【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと１次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記１次横モードよりも多く分布する第１の活性層領域と、前記１次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第２の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第１の活性層領域の発光波長と、前記第２の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、光導波路の終端部での端面残留反射に起因した内部反射を低減可能な光機能デバイスを提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。そして、前記半導体界面が前記基板端面に対して平行ではなく、所定の角度をもって形成する。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｌＧａＮが露出した最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させるのに適したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水素と窒素とアンモニアとを含み水素の体積比率が水素の体積と窒素の体積との合計体積の０．２以下であるガス雰囲気または窒素とアンモニアとを含み水素を含まないガス雰囲気においてＡｌＧａＮが最表面に露出した基板を９００℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後に基板の最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法とその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置において、動作電圧の上昇による不良を抑制し、良品率を高めて生産歩留まりを向上させることを主要な目的とする。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層２２１が設けられている。本発明によれば、水素吸着層２２１が、その水素を吸い寄せる力により、絶縁層２２２内に存在する水素の、活性層２０５への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ポンピングされたときにレーザー発振する（ｌａｓｅ）ことによって、レーザー光を生じる有機物質を包含するレーザーデバイスの提供
【解決手段】本発明は第１ミラー層（１１０）と、前記第１ミラー層（１１０）上の第１活性有機物質層（１１２）とを含むレーザーを包含する。第１活性有機物質はポンピングされたときにレーザー発振し、それによってレーザー光を発生する。第１ミラー層（１１０）は第１活性有機物質によって発生される光の少なくとも一部を反射する。本発明は光学的及び電気的にポンピングされる両方の実施態様を包含する。 （もっと読む）

【課題】外部微分量子効率の低下が小さく、高出力動作状態における発光効率の飽和が生じにくく、安定して基本横モード発振を行う半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板の上に形成された第１のクラッド層と、活性層と、第２のクラッド層とを含む共振器構造を備え、第２のクラッド層は、レーザー光を取り出す前端面と該前端面と反対側の端面である後端面との間に延びるストライプ部２０を有している。ストライプ部２０は、前端面側に設けられた第１の領域２０ａと、後端面側に設けられた第２の領域２０ｂと、第１の領域２０ａと第２の領域２０ｂとの間に設けられ幅が変化する変化領域２０ｃとを有し、変化領域２０ｃにおけるストライプ部の内部と外部との実効屈折率差は、第１の領域２０ａにおけるストライプ部の内部と外部との実効屈折率差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体との密着性、電気的特性又は光学的特性に優れる絶縁膜を形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮを含むエピタキシャル層構造にクラックが発生し難い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１ａは、ＧａＮ半導体からなる支持体１３と、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と、第２導電型ＧａＮ系半導体層１７と、活性層１９とを備える。支持体１３のＧａＮ半導体のｃ軸は、側面１３ｃから側面１３ｄに伸びているので、基板主面は、ｍ面またはａ面である。ＡｌＧａＮ領域１５およびＧａＮ系半導体層１７は、支持体１３の主面１３ａ上に設けられている。ＡｌＧａＮ領域１３のアルミニウム組成は０．０５以上であり、またＡｌＧａＮ領域１５の厚さＤ１は５００ｎｍ以上である。活性層１９は、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と第２導電型ＧａＮ系半導体層１７との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高いＣＯＤレベルを維持しながら光出射側の共振器端面における反射率を上げることができる窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光出射部上にコート膜および反射率調整膜がこの順序で形成された窒化物半導体発光素子であって、光出射部が窒化物半導体からなり、コート膜がアルミニウムの酸窒化物膜またはアルミニウムの窒化物膜からなり、反射率調整膜が酸化物膜からなる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高次モードを抑制し、かつ、信頼性が高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、バッファ層２、クラッド層３、光閉じ込め層４、活性層５、光閉じ込め層６、クラッド層７およびコンタクト層８が基板１上に順次積層され、活性層５に隣接して窓部材１１を備える構造からなる。窓部材１１は、活性層５で発振したレーザ光の波長に相当するエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する半導体材料からなり、活性層５の出射面と反対側に曲面１１Ａを有する。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ_1-x-y-zＧａ_xＩｎ_yＢ_zＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】発振波長９４０ｎｍ近傍の半導体レーザ装置において、ＣＯＤレベルを高くしつつ、内部損失を小さくする。
【解決手段】この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に配設されたｎ−（Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐのｎ型クラッド層１４と、このｎ型クラッド層１４の上に配設された、ＧａＡｓと格子整合するｉ−Ｉｎ_０．４９Ｇａ_０．５１Ｐのｎ側ガイド層１６と、このｎ側ガイド層１６の上に配設され、ｎ側ガイド層１６よりも屈折率が大きく、Ｉｎ_０．０７Ｇａ_０．９３Ａｓを量子井戸層として含む活性層１８と、この活性層１８の上に配設されたｉ−Ｉｎ_０．４９Ｇａ_０．５１Ｐのｐ側ガイド層２０と、 このｐ側ガイド層２０の上に配設されたｐ−（Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐのｐ型クラッド層２２、を備えたものである。 （もっと読む）