【課題】ワイヤレス接続により、薄型パッケージ化の容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次配置された第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８・表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０・第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８の第１劈開面４２ａに沿って形成され、第１劈開面４２ａおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１劈開面４２ａに対向する第２劈開面４２ｂに沿って形成され、第２劈開面４２ｂおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第２絶縁層２４ｂと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】高出力なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置は、基板１１０と、基板１１０の基板面１１０ａに配置された一対の発光部と、一対の発光部の一方の発光部から射出された光を反射させる第１反射部と、第１反射部で反射した光を一対の発光部の他方の発光部に向けて反射させる第２反射部と、を備える。一対の発光部と第１反射部と第２反射部とを含んで共振器が構成される。第１反射部及び第２反射部の少なくとも一方の反射部は、光反射部材１４３と、基板面１１０ａに沿って接合された接合部１４１と、接合部１４１に接続され基板面１１０ａに平行な任意の１つの軸回りに光反射部材１４３を回動可能に保持する保持部１４２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】モード競合雑音を抑制できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】主モード１８１と高次モード１８２を有する横マルチモード半導体レーザ１００と、レンズと、を備える半導体レーザモジュールであって、高次モードの光１８２が仮想的な点光源からの光であるとした場合に、高次モードの光のニアフィールドパターンおよびファーフィールドパターンから得られる仮想的な点光源の位置１８０を高次モードの光の発光位置であるとして、半導体レーザとレンズとの距離を設定する。 （もっと読む）

【課題】装置の高出力化と低コスト化とを両立することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】発光部１１と、発光部１１を駆動するための一対の電極１３、１５と、発光部１１の射出端面から射出された光の一部を反射させる外部共振器と、を備える。発光部は、光を発する活性層１４４と、内部共振器と、所定の波長の光を回折させる回折光学層１４５、１４６とを有する。外部共振器は、所定の波長の光を反射させる外部ミラーを有する。活性層１４４から発せられた光をレーザー発振させるレーザー共振器が、内部共振器、外部共振器及び回折光学層により構成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を使って、発光効率が高く、スペクトル線幅の狭い青色乃至紫色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは下側クラッド層と、前記下側クラッド層上に形成された窒化物半導体よりなる発光層と、前記発光層上に形成された上側クラッド層と、前記下側クラッド層に接触した下側オーミック電極と、前記上側クラッド層に接触し、光学窓を形成された上側オーミック電極と、を含み、前記下側クラッド層と前記発光層と前記上側クラッド層とは、マイクロキャビティを形成している。 （もっと読む）

本発明のＰＱＲレーザは多重量子井戸構造で形成され、エッチングされた側面を有する活性層を含む。前記活性層は、支持基板の上部に配置された反射膜の上部でエピタキシャル成長したｐ-ＧａＮ層とｎ-ＧａＮ層との間でサンドウィッチ状に形成される。被覆層が前記活性層の側面外部に形成され、上部電極が前記ｎ-ＧａＮ層の上部に電気的に連結され、分散型ブラッグ反射膜が前記ｎ-ＧａＮ層と前記上部電極の上部に形成される。従って、前記ＰＱＲレーザは、優れた低電力の３次元垂直共振型多重モードレーザを発振させて低電力ディスプレイ素子に適用でき、光のスペックル現象を防止し、集光が調節される柔らかい３次元光を発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的な特性を有する窒化ガリウム系半導体面発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ面からなる主面４５ａの半導体構造物４５を含む基板生産物Ｗ２が準備され、Ｎ面からなる主面１９ａの半導体構造物１９を含む基板生産物Ｗ１が準備される。半導体構造物１９はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をＭＢＥ法で成長して作製される。基板生産物Ｗ２の主面（Ｇａ面）４５ａと基板生産物Ｗ２の主面１９ａ（Ｎ面）とを対面させる。処理装置４９内に、主面（Ｇａ面）４５ａと主面１９ａ（Ｎ面）とを互いに接触させて熱処理して半導体構造物１９と半導体構造物４５とを融着する。この結果、半導体構造物１９、４が一体化されて、接合Ｊが形成される。接合Ｊでは半導体構造物１９の接合面（Ｎ面）と半導体構造物４５の接合面（Ｇａ面）とが接合される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を回避し、とりわけ高い連続発振出力においても確実に動作されうる上位概念記載の垂直放出半導体レーザを提案すること
【解決手段】レーザ共振器内部に及び活性層列と熱的に接続して、放出されるビームに対して透過的な、ヒートシンクが設けられており、該ヒートシンクは活性層列の材料よりも高い熱伝導率を有する材料から形成されており、ヒートシンクが活性層列のリフレクタ層の側の反対側に配置されているか又はヒートシンクが活性層列とリフレクタ層との間に設けられ、かつ更に別のヒートシンクが活性層列のリフレクタ層の側の反対側に配置されていることを特徴とする、光ポンピングされる垂直放出半導体レーザ （もっと読む）

【課題】発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、順・逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子組立体は、基板１０上に形成されたバイパス・ダイオード２０、その上に形成された発光素子３０、及び、基板１０の上方に発光素子３０と分離して形成された逆方向ダイオード４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の波長のレーザ光を高精度に再現性よく発振することが可能な面発光型半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の表面上に設けられた第１反射鏡１２と、第１反射鏡１２上に設けられ、発光領域１９を有する活性層１８と、活性層１８上に設けられ、活性層１８を挟んで第１反射鏡１２の対向する面との間で発光領域１９の発光の利得スペクトル幅において単一の共振モードでレーザ発振可能な第１共振器を規定する面を有する第２反射鏡２４と、半導体基板１０の裏面上に設けられ、半導体基板１０を挟んで第１反射鏡１２の対向する面との間で利得スペクトル幅において複数の共振モードでレーザ発振可能な第２共振器を規定する面を有する第３反射鏡３８とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置のための反射電極を提供する。
【解決手段】光を発生する活性層と、その活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上の反射電極を形成する方法。この方法は、クラッド層上に導電材料の中間層を堆積させる段階と、導電材料の少なくとも一部分をクラッド層内に拡散させる段階とを伴っている。この方法は、中間層上に反射層を堆積させる段階を更に伴い、反射層は導電性であり、かつ中間層と電気的に接触している。 （もっと読む）

本発明は、半導体ボディ（１）を備えたオプトエレクトロニクス半導体モジュールに関する。このオプトエレクトロニクス半導体モジュールは、垂直放射層（３）を備えた表面放射型の垂直放射領域（２）を有し、垂直放射層（３）を光学的にポンピングするために設けられている少なくとも１つのポンプ源（４）を有し、放射通過面（２６）を有し、該放射通過面（２６）を通って垂直放射層（３）において生成された電磁放射（３１）は半導体ボディ（１）から放出され、ポンプ源（４）および垂直放射層（３）は垂直方向において相互に隔てられている。
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【課題】機械的強度の安定した、電流を閉じ込めるための狭窄構造を有する垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】１対の反射ミラー１０２、１０７と、これらの反射ミラー間に設けられた活性層１０４を含む媒質層とを、基板上に有する垂直共振器型面発光レーザにおいて、
前記１対の反射ミラーの一方と隣接する前記媒質層１０６内に、空孔によって構成された電流を閉じ込めるための狭窄構造１０５を有する構成とする。
その際、前記活性層を含む媒質層を、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮあるいはこれらの混晶による構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】外部共振器、半導体基体ならびにブラッグ反射器を有する垂直放射形光ポンピンポンピング効率を改善すること。
【解決手段】外部共振器（７）と半導体基体（１）とを有する垂直放射形半導体レーザであって、前記の半導体基体は、複数の量子層（３）および当該量子層の間にあるバリア層（４）を含む量子層構造（２）をアクティブゾーンとして有しており、また該半導体基体は、量子層構造（２）の一方の面にブラッグ反射器（５）を有しており、ポンピングビーム（１０）を量子層構造（２）に入射するポンピングビーム源（９）が設けられている形式の垂直放射形半導体レーザにおいて、前記のブラッグ反射器（５）は複数の層を含んでおり、ここで該層を互いに非周期的に配置して、ポンピングビーム（１０）の吸収が実質的に量子層構造（２）内で行われるようにしたことを特徴とする垂直放射形半導体レーザを構成する。 （もっと読む）

【課題】より低い電圧低下、より少ない熱生成、及びより高い光学ゲイン特性を実現する垂直キャビティ面発光レーザ（VCSEL）を提供する。
【解決手段】本発明のVCSEL（１０）は、第１光学反射体（１４）の横に隣接する垂直成長部（３８）と、第１光学反射体（１４）の一部の上にある窒化物半導体材料を含む横方向成長部（４０）とを有するベース領域（１６）を備える。活性領域（１８）は、ベース領域（１６）の横方向成長部（４０）の一部の上にあり、窒化物半導体材料を有する。コンタクト領域（２０）は、活性領域（１８）の横に隣接し、窒化物半導体材料及び第１導電性タイプの第１ドーパントを含んで成る。第２光学反射体（２２）は、活性領域（１８）上にあり、第１光学反射体（１４）と共に、活性領域（１８）の量子井戸（４４、４６、４８）の一部に重なる垂直光学キャビティ（２８）を形成する。当該VCSELの製造法もまた開示する。 （もっと読む）

【課題】発振しきい値を比較的容易に低減することができるサブバンド間遷移を利用した電磁波発生・検出素子を提供することである。
【解決手段】電磁波発生・検出素子は、半導体材料による量子井戸構造の量子井戸に生成されたサブバンド間の遷移により電磁波に対する利得を与える利得媒体１０が基板１に備えられている。基板１の面方向とはほぼ垂直方向に所定周波数領域の電磁波を閉じ込めるための複数の反射体２、９が設けられ、反射体２、９が利得媒体１０を挟んで一定間隔を隔てて備えられる様にするためのスペーサ手段３が、利得媒体１０とは異なる材料部により構成されている。 （もっと読む）

【課題】同一素子内に発光性の有機化合物を含有する積層体の膜厚が異なる領域を設け、かつ、素子の全ての領域において、発光性の有機化合物を含有する積層体の膜厚に依存せず、均一に電界を印加できる手法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のレーザ素子の一は、二つの電極間に発光性の有機化合物を含有する積層体を有し、積層体は膜厚分布を有する金属酸化物と有機化合物との混合層を有する。上記レーザ素子は、電極間に電圧を印加して電流を流すことで、金属酸化物と有機化合物との混合層の膜厚が異なる領域ごとに異なる波長の光を発振する。 （もっと読む）

【課題】殊に小さくて小型であり、また高い効率を備えるように構成することができる、改善された発光半導体素子を提供する。
【解決手段】第１のミラー７は金属層４と、金属層のアクティブ領域２側とは反対側に配置されているビーム透過性で導電性の材料からなる中間層３とを包含し、発光半導体素子は、ＲＣＬＥＤとして光学的な共振器を用いて動作し且つ非コヒーレントなビームを形成するために設けられている、またはＶＥＣＳＥＬとして外部の光学的な共振器を用いて動作し且つコヒーレントなビームを形成するために設けられている。 （もっと読む）

本発明は、スイッチング機能を有する発光素子である発光型トランジスタ(LEFET)であって、十分な発光強度を得ることができ、より発光効率が高いものを提供するために成された。ドレイン電極２５の材料にアルミニウムを、ソース電極２４の材料に金を用いる。ソース電極２４−ドレイン電極２５間に電圧を印加することにより、ソース電極２４から正孔が、ドレイン電極２５から電子が、それぞれ発光体層２６に注入される。正孔と電子が再結合して、発光体層２６が発光する。発光のON/OFFはゲート電圧のON/OFFにより制御される。従来はドレイン電極にも金を用いていたのに対して、本発明では金よりも仕事関数の小さいアルミニウムを用いることにより、より低い電圧でより多くの電子を発光体層２６に注入することができる。そのため、発光強度及び発光効率が向上する。 （もっと読む）

本発明は、光学的にポンピングされる面発光型垂直発光領域（２）と、該垂直発光領域（２）を光学的にポンピングするための、少なくとも１つのモノリシック集積ポンピングビーム源（５）とを有する半導体レーザ装置であって、前記垂直発光領域はアクティブにビームを形成する垂直発光層（３）を有し、前記ポンピングビーム源はアクティブなビーム形成ポンプ層（６）を有する形式の半導体レーザ装置に関する。本発明によれば、前記ポンプ層（６）は垂直発光層（３）に垂直方向で後置されており、導電層（１３）が垂直発光層（３）とポンプ層（６）との間に設けられており、コンタクト（９）が半導体レーザ装置の一方の側に取り付けられており、当該一方の側は、導電層（１３）よりもポンプ層（６）に接近しており、導電層（１３）とコンタクト（９）との間では、ポンピングビーム（７）を形成するための電界を電荷担体注入によって励振可能である。
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