【課題】 レーザ光の偏光方向を安定的に一定方向に制御することが可能なＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】 基板上に形成されたメサ構造１０は、その内部に少なくとも活性層を含み、メサ構造１０の頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する。基板水平面２０に対して垂直であり、かつ、メサ構造１０のおおよそ中心を原点とする２つの直交する直交面（Ｘ面、Ｙ面）が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれＬｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線とし、Ｌｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２としたとき、少なくともＡｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２のいずれか一つが異なる値とする。 （もっと読む）

低消費電力ディスプレー素子用の３次元光量子リング（ＰＱＲ）レーザーは、その半導体材料の利得プロファイルに属するエンベロープ波長領域で離散的に多波長発振する発振モード間の間隔（ＩＭＳ）を調節してＩＭＳが最大値を有するようにし、発振モードの数が最小となるように半径を有する。ＰＱＲレーザーは３次元トロイダルキャビティ構造に起因した多波長発振特性を示し、発光波長帯で発振させることで、ＬＥＤよりも低い閾値電流及び数ｎｍ乃至数十ｎｍのエンベロープ波長領域で多波長モードを有するように設計される。ＰＱＲレーザーはその多波長発振特性及びＩＭＳの調節によって色感及び高輝度はＬＥＤのように維持されながらより電力を少なく消耗する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質が均一で、膜剥離による信頼性の劣化がない、低コスト、低電圧で高速の面型光スイッチを提供すること。
【解決手段】 半導体基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層と、該活性層の上部及び下部にもうけられた多層膜反射鏡とを有する面発光半導体レーザと、該半導体レーザから出射された光を変調するための電圧を印加する変調電極と、該電極によって形成された電界によって屈折率変化を生じる有機結晶からなる電気光学効果の媒体と、光強度変化に変換するための偏光板とを構成要素として含む面型光変調器とからなる面型光スイッチにおいて、該変調電極は同一平面上に形成され、有機結晶からなる電気光学効果の媒体はその電極間に形成されており、該変調電極と有機結晶からなる電気光学効果の媒体との間に有機樹脂または無機膜からなる下引層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 偏光方向を任意所望の特定の方向に安定して制御することができ、更に単一基本横モード発振において高出力が得られ、更に高速変調が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板の表面（基板面）に平行な方向に、レーザ共振領域を中心とした低屈折率コアと、前記低屈折率コアの周辺を取り囲んで、実効屈折率が低屈折率である領域と高屈折率である領域とを繰り返し設けて成る周期構造とが形成されている面発光レーザ素子において、前記低屈折率コアの幅が、前記基板面に平行な面内において、互いに直交する２方向で相違している事を特徴としている。 （もっと読む）

アクセプターの水素不動態を最小にしたトンネル接合デバイス(102)は、炭素を不純物添加された第1半導体材料のp型トンネル接合層(106)を含む。第1半導体材料は、アルミニウム、ガリウム、ヒ素及び、アンチモンを含む。第2半導体材料のn型トンネル接合層(104)は、インジウムと、ガリウムと、ヒ素を含み、かつ、アルミニウム及びヒ素の一方をも含む。p型層とn型層のトンネル接合層間の接合は、トンネル接合(110)を形成する。
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半導体光電子装置（６５０）は、少なくとも１つの空洞（６６０）と少なくとも１つの多層干渉反射器（６２０、６３０）とを含んでいる。空洞（６６０）は、好ましくは、光学モードが横方向の面内において伝搬しない反導波路空洞の特性を有するように設計されている。存在している光学モードは、垂直方向または垂直方向に対して半導体と空気との界面における全内部反射の角度を下回る角度において傾斜した方向（６３３）に伝搬するモードである。このような設計は、寄生光学モードの影響を軽減させ、かつ、垂直空洞面発光レーザー、上部表面または基板を介して放射する傾斜空洞型レーザー、垂直空洞共振または傾斜空洞共振光検出器、垂直空洞共振または傾斜空洞共振光増幅器、および発光ダイオードを含む光電子装置の特性を改善する。
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歪み補償構造（１１２）は、酸化物形成層（１０６）に隣接する歪み補償層（１０４）を含む。歪み補償層（１０４）は、酸化物形成層（１０６）の少なくとも一部の酸化による格子パラメーラの変化を補正するものである。 （もっと読む）

基板（１）上に第１のＤＢＲ層（２）、第１クラッド層（３）、活性層（４）、第２クラッド層（５）、酸化電流狭窄部形成層（６）、第２のＤＢＲ層（７）が順次積層された積層構造（２０）と、上部電極（８）及び下部電極（９）とを有する。また、光軸（１０）から所定の距離以上離れた積層構造（２０）の一部領域に、基板（１）上に形成された段差（１１）付近から伸びる構造変調領域（１２）が存在する。この構造変調領域（１２）は、層厚、界面平坦性及び界面の基板面に対する傾き等のパラメータの少なくとも１つが他の領域と異なり、光軸（１０）を含む発光の中心部に比べて反射率が低い。構造変調領域（１２）に囲まれた内側の高反射領域の実効的な幅（Ａ）を、ほぼ基本横モード光の幅に等しく設定する。一方、電流狭窄部の非酸化領域の直径（Ｂ）を、これより広めに設定する。このような構成とすることにより、簡単な構造で、工程を著しく増加させることなく、単一モード発振特性の優れた面発光レーザを得ることができる。 （もっと読む）

本発明の面発光レーザは、第１導電型の基板（１０１）と、第１導電型の基板の上に形成された第１導電型の第１のブラッグ反射鏡層（１０２）と、第１のブラッグ反射鏡層の上に形成されかつ発光領域（１１４）を有する活性層（１０４）と、活性層の上に形成されかつ表面から光軸（Ｚ）の方向に光（１１６）を出射する第２導電型の第２のブラッグ反射鏡層（１０７）と、第２のブラッグ反射鏡の表面から光軸の方向に対して交差する方向に光（１１５）を取り出す光散乱体（１１０）とを備える。これにより、面発光レーザから一方向に出射される光の強度を、簡易な構造でモニターできるようになる。 （もっと読む）

半導体発光素子は、多層構造体と、ガラス基板とを備える。多層構造体は、積層された複数の化合物半導体層を含んでおり、光を生成する。多層構造体は、生成される光を発する光出射面を有しており、その光に対して光学的に透明なガラス基板が、酸化シリコンからなる膜によって光出射面に接着されている。
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本発明は、半導体基板（２ａ）上に形成された活性層（３）と、前記活性層（３）にキャリアを注入する一対の上部電極（５）及び下部電極（６）とを有する面発光レーザ（１００ａ）において、該下部電極（６）の平面形状を、該下部電極（６）から前記活性層（３）への電流の注入が、該下部電極（６）の中心部分では高い電流密度で、その周辺部分では低い電流密度で行われるよう星型形状としたものである。この面発光レーザ（１００ａ）では、面発光レーザの活性層に注入するキャリアの密度分布が、活性層内での光のパワー分布に応じた分布となり、これにより、活性層の、電極周辺部に対応する領域での電流密度の増大によるホールバーニングの発生を回避して、高出力時の横モード安定性を大幅に増大させて高出力特性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は、ｎドープ半導体層領域（３）とｐドープ半導体層領域（４）が相互に連続し、
これらの領域間に第１のｐｎ接合部（５ａ，５ｂ）が形成されている発光型半導体素子に関している。前記第１のｐｎ接合部（５ａ，５ｂ）は、横方向で絶縁区分（６）によって発光区分（７）と保護ダイオード区分（８）に分割されている。保護ダイオード区分（８）の領域においてｐドープ半導体層領域（４）上にはｎドープ層（９）が被着されており、このｎドープ層（９）はｐドープ領域（４）と共に保護ダイオードとして機能する第２のｐｎ接合部（１０）を形成している。この場合第１のｐｎ接合部（５ｂ）は、発光区分（７）の第１のｐｎ接合部（５ａ）よりも大きい面積を有している。保護ダイオード区分（８）は、静電放電（ＥＳＤ）による電圧パルスから発光型半導体素子を保護している。
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本発明は、光学的にポンピングされる面発光型垂直発光領域（２）と、該垂直発光領域（２）を光学的にポンピングするための、少なくとも１つのモノリシック集積ポンピングビーム源（５）とを有する半導体レーザ装置であって、前記垂直発光領域はアクティブにビームを形成する垂直発光層（３）を有し、前記ポンピングビーム源はアクティブなビーム形成ポンプ層（６）を有する形式の半導体レーザ装置に関する。本発明によれば、前記ポンプ層（６）は垂直発光層（３）に垂直方向で後置されており、導電層（１３）が垂直発光層（３）とポンプ層（６）との間に設けられており、コンタクト（９）が半導体レーザ装置の一方の側に取り付けられており、当該一方の側は、導電層（１３）よりもポンプ層（６）に接近しており、導電層（１３）とコンタクト（９）との間では、ポンピングビーム（７）を形成するための電界を電荷担体注入によって励振可能である。
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空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

埋込トンネル接触部を持つ表面放射半導体レーザの単一モード・パワーを増加するために、トンネル接触層（６）は、開口直径（ｗ１）と開口深さ（ｄ１）とを有する開口を具備し、かつｎドーピング電流搬送層（７）でカバーされ、隣接する電流搬送層（７）は、開口の領域に、隆起部直径（ｗ２）と隆起部深さ（ｄ２）とを有する隆起部（１５）を具備するとともに、隆起部（１５）の側面領域の少なくとも周辺で電流搬送層（７）上に構造化層（８； ９）が設けられ、その厚み（ｄ３； ｄ４）が構造化層の光学的厚みが隆起部深さ（ｄ２）の領域において電流搬送層（７）の光学的厚みと少なくとも等しくなるように選択されている構造が提案されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）