【課題】誘電体多層膜により上部ＤＢＲが形成されている面発光レーザ等において、高い歩留りで製造することのできる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記上部ＤＢＲは、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成されており、前記誘電体層の膜厚は、前記活性層における発振波長をλとし、前記誘電体膜における屈折率をｎとした場合、λ／４ｎよりも厚いことを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子にキャリアを注入することによって発生した熱の排熱効率を高くして、半導体光素子における、キャリアの再結合によるエネルギーから光への変換効率を高くする。
【解決手段】基板と、基板上の、第１の軸線、および、第１の軸線と所定の角度で交差する第２の軸線のいずれに対しても、所定の周期Ｔ１を有する位置に２次元的に配置され、キャリアが注入されて発光する活性層を有する複数の半導体光素子を備え、当該位置の少なくとも一つは、複数の半導体光素子のいずれもが形成されていない非光素子位置である、２次元光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高次の横モード光の発振を抑制する垂直型発光素子を提供する。
【解決手段】互いに対向して形成され、光を共振させる下側多層反射膜および上側多層反射膜と、上側多層反射膜の下に形成され、上側多層反射膜と異なる組成の層を含む中間層と、光の共振方向と平行な断面において中間層を挟み、且つ、上端が中間層の上面よりも上側となるように形成された電極部とを備える垂直型発光素子を提供する。上側多層反射膜は、中間層を挟んで電極部を形成した後に、中間層上に積層して形成される。 （もっと読む）

【課題】効率の良いレーザ動作を実現することが可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、活性層４０と第１反射層３０とを含む半導体積層３と、半導体積層３の活性層４０側の主面３ａから離間して配置された第２反射層６０と、を備える。活性層４０は、キャリヤ励起層４１及びキャリヤ励起層４１に挟まれた井戸層５０を有する。キャリヤ励起層４１はIV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ複数の半導体層からなると共に、キャリヤ励起層のバンドギャップは井戸層５０に近づくに従って減少する。井戸層５０は、IV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ短周期超格子構造を有する第１の層及びIV−VI族化合物半導体を含む第２の層を備える。 （もっと読む）

【課題】それぞれの面発光レーザ素子の発振周波数と所望の発振周波数との誤差が小さい面発光レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】ｌｏｇ_２ｎ回の調整工程を有し、それぞれの調整工程においてそれぞれの波長調整層の膜厚を調整するか否かを波長調整層毎に選択することで、それぞれの波長調整層を略一定間隔の膜厚にし、それぞれの調整工程における調整量は、ｄ×２＾ｋであらわされ、単位量ｄとして、それぞれのレーザ素子にそれぞれの目標発振周波数の光を発生させようとした場合の、目標発振周波数が隣接する他のレーザ素子との間で有するべき波長調整層の膜厚差の平均値を用いる製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】所定の波長を出射する面発光レーザ素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】基板の上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記活性層より上部に形成された波長調整層を含み、前記波長調整層の厚さを変えることにより、異なる波長を各々出射する複数の面発光レーザを有するものであって、前記波長調整層はＧａＩｎＰとＧａＡｓＰとを交互に積層した膜、または、ＧａＩｎＰとＧａＡｓとを交互に積層した膜により形成されているものであって、前記積層した膜の一部を各々の層ごとに除去することにより、前記波長調整層の膜厚を変えたものであることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】温度変動による共振波長の変動を低減したレーザ素子を提供する。
【解決手段】基板と、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部と、基板の表面と垂直な方向に順次形成され、内部光の少なくとも一部を反射させることで内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを備え、共振部は、下部反射層および上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、活性層に正孔を注入するｐ型クラッド層、および、活性層に電子を注入するｎ型クラッド層を含む半導体層と、下部反射層および上部反射層の間に、共振方向において半導体層と直列に設けられ、半導体層とは熱光学係数の符号が異なる調整層とを有するレーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】閾値電流を低下することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２を有する半導体部と、半導体部の第１半導体層側に設けられた第１反射器４１と、半導体部の第２半導体層側に設けられた第２反射器４２と、を有する。特に、第２半導体層１２と第２反射器４２との間に設けられ第２半導体層１２と接続された第２電極３２と、第２反射器４２の周囲に設けられ第２電極３２と接続された接続電極５０と、第２半導体層１２と前記接続電極５０との間に設けられ半導体部１０からの光を反射可能な電流狭窄部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】ワイヤレス接続により、薄型パッケージ化の容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次配置された第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８・表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０・第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８の第１劈開面４２ａに沿って形成され、第１劈開面４２ａおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１劈開面４２ａに対向する第２劈開面４２ｂに沿って形成され、第２劈開面４２ｂおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第２絶縁層２４ｂと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で面発光レーザ素子のレーザ発振波長を高精度に制御することができる加熱機構を用いた面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】２つの多層膜反射鏡からなる光共振器と、前記光共振器内に配置された活性層と、前記活性層の近傍に設けられた高抵抗加熱部と、前記高抵抗加熱部に接続し、該高抵抗加熱部に電流を伝えるための該高抵抗加熱部よりも電気抵抗が低い低抵抗部とを有し、当該面発光レーザ素子のレーザ発振波長を調整するための加熱機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた、Ａｌを含む化合物とその酸化絶縁物とを有する電流狭窄層を備える面発光レーザを提供する。
【解決手段】電極１２１と電極１３１との間に流れる電流の経路を制限する電流経路制限層であって電流注入部１１０ａと電流狭窄部１１０ｂとを有する電流狭窄層１１０の両側に擬似的組成傾斜層１０９、１１１を設ける。擬似的組成傾斜層１０９、１１１を複数の半導体層１７１〜１７５で形成し、半導体層１７１〜１７５の各層をＧａＡｓ層１７１ａ〜１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ〜１７５ｂとでそれぞれ形成し、ＧａＡｓ層１７１ａ〜１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ〜１７５ｂの膜厚比を変化させることによって、平均的Ａｌ組成が変化する擬似的組成傾斜層１０９、１１１を構成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた、Ａｌを含む化合物とその酸化絶縁物とを有する電流狭窄層を備える面発光レーザを提供する。
【解決手段】電流注入部１１０ａと電流狭窄部１１０ｂとを有する電流狭窄層１１０の両側に擬似的組成傾斜層１０９、１１１を設ける。擬似的組成傾斜層を形成する半導体層１７１、１７２、１７４、１７５の各層をＧａＡｓ層１７１ａ、１７２ａ、１７４ａ、１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ、１７２ｂ、１７４ｂ、１７５ｂとでそれぞれ形成し、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の膜厚比を変化させることによって、平均的Ａｌ組成が変化する擬似的組成傾斜層を構成し、擬似的組成傾斜層１０９、１１１内に設けたＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓ層１７３によって、電流狭窄部１１０ｂを形成する際の酸化を停止する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成されたｐ側電極１１０と、発振波長を透過可能な材料から構成されｐ側電極１１０の光出射口１１０Ａ内に形成された第１の絶縁膜１１２と、発振波長を透過可能な誘電体から構成され、第１の絶縁膜１１２の一部を被覆する第２の絶縁膜１１８とを有する。第２の絶縁膜１１８の膜厚は、第２の絶縁膜１１８からの光と第１の絶縁膜１１２からの光の位相差が抑制されるように調整され、かつ第２の絶縁膜１１８が被覆されている部分の反射率が第２の絶縁膜１１８が被覆されていない部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高出力かつレーザ発振波長が均一である面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】複数の面発光レーザ素子が２次元的に配列された面発光レーザアレイ素子であって、前記各面発光レーザ素子は、隣接する他の面発光レーザ素子が多い第１領域と少ない第２領域とでの温度差によるレーザ発振波長の差異が小さくなるように層厚を設定した温度補償層を光共振器内に有する。好ましくは、前記面発光レーザ素子は、イントラキャビティ構造を有する。 （もっと読む）

【課題】所望の出射ビーム形状が得られ、電流注入効率が悪くなることが抑制できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側電極１１３と、ｎ側電極１１７と、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６と、下部ＤＢＲミラー１０２と、活性層１０５を有する共振器１１０と、を備え、上部ＢＤＲミラー１１６と、ｐ側電極１１３と、共振器１１０と、下部ＤＢＲミラー１０２はこの順に配置され、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６の上面にフレネルゾーンを形成する同心円状の溝１２１、１２２、１２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性および信頼性を有する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した多層膜反射鏡と、前記多層膜反射鏡上に成長したＡｌＧａＩｎＮ系材料からなる活性層と、を備え、前記多層膜反射鏡は、Ｚｎ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｍｇ_ｘ１Ｂｅ_ｙ１Ｏ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）からなる低屈折率層と前記低屈折率層よりも屈折率が高いＺｎＯからなる高屈折率層とが交互に積層した構造からなるとともに、ＺｎＯ結晶または前記活性層に対する歪み量が±３％以下である。 （もっと読む）

【課題】光量変動の少ない安定した光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００、受光素子１５０、カバーガラス３００などを有し、受光素子１５０は、レーザチップ１００の＋Ｘ側に配置されている。カバーガラス３００は、その表面で反射された光束が、ブリュースター角と略一致する入射角で、受光素子１５０に入射するように、ＸＺ面内でＸ軸方向に対して傾斜して配置されている。レーザチップ１００は、射出領域内に、光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる長方形状の透明層と透明層がＸ軸方向に対向して形成され、射出領域の中心部の相対的に反射率が高い領域は、射出領域の中心を通りＸ軸に平行な方向に関する幅が、射出領域の中心を通りＹ軸に平行な方向に関する幅よりも小さい形状異方性を有している。 （もっと読む）