【課題】砒化ガリウムをベースとした材料系においても剥離技術を可能にした、ウェハ基板に被着されている犠牲層を備えている、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を有しているエピタキシャル基板。
【解決手段】犠牲層のバンドギャップは周辺の基板のバンドギャップより小さい。 （もっと読む）

【課題】 広帯域の利得スペクトルを有する半導体光増幅器、およびこれを用いた光集積回路を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１１上に量子井戸構造の活性層１４を、障壁層１４ｂとして引張歪みを有するＩｎＧａＡｓ膜、井戸層１４ｗとして圧縮歪みを有するＩｎＧａＡｓ膜を用いて構成する。井戸層１４ｗのバンドギャップを狭くして、井戸層１４ｗの電子の量子準位と障壁層１４ｂの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔＥｃを十分に確保する。 （もっと読む）

【課題】従来のオリエンテーションフラットやインデックスフラットよりも容易に作製することができ且つ視認ができる表裏の判別手段を備えた半導体形成用基板、窒化物系半導体基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の周辺部に、前記基板の表面から裏面へ貫通する貫通孔５を設け、その貫通孔の数の相違をもって又は中心からの距離の相違をもって、表裏の判別を可能とする。上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系半導体または亜鉛化物系半導体を用いた半導体発光素子のフォトルミネッセンス幅を狭くする。
【解決手段】 バッファ層２２、障壁層２３、井戸層２４、障壁層２５およびキャップ層２６を結晶成長用基板２１上に順次積層することにより、井戸層２４は井戸層２４よりもエネルギーギャップの大きな障壁層２３、２５にて挟み込み、バッファ層２２、障壁層２３、井戸層２４、障壁層２５およびキャップ層２６の両端部を切り落とすことにより、柱状量子井戸構造２７を結晶成長用基板２１上に形成する。
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【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、下地基板１０上に形成されたマスク１９、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１、第一層１１上に形成される第二層１２、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３を備える。第一層１１は、マスク１９の開口部１９１内部を埋め込むとともに、被覆部１９２の上面を覆っている。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布である。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】 高出力の窒化物系半導体レーザ素子の信頼性を改善する。
【解決手段】 窒化物系半導体レーザ素子（１０）は、基板（１０１）上の窒化物系半導体積層構造（１０２−１０９）を含み、この半導体積層構造に形成されたリッジストライプ（１１０）によってその半導体積層構造内にストライプ状導波路が生じ、そのリッジストライプ（１１０）が安定化ジルコニア（１１１）または部分安定化ジルコニア（１１１）により埋め込まれていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 活性層上下の両方に多層膜反射ミラーを設ける必要のない、新たな面発光レーザ構造を提供する。
【解決手段】 電磁波の特定の波長域に利得を有する活性材料からなる二次元周期構造体１０１と、前記二次元周期構造体に対向するように所定の距離を隔てて配置された反射鏡２０２とを備え、これらによってレーザ発振可能に構成する。その際、前記二次元周期構造体を誘電体からなる二次元フォトニック結晶で形成し、前記反射鏡２０２との組合せによる反射鏡対で共振器を構成して、レーザ発振を起こすようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。
【解決手段】 活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】＜０００１＞面に対して所定方向にその表面が０°より大きく、１°より小さい傾斜角ほど傾いたＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ基板（１１）（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、そし及び０≦ｘ＋ｙ≦１）と、基板（１１）の表面上に成長された窒化ガリウム系化合物半導体層（２０）とを備える窒化ガリウム系化合物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、
第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒
化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって
、前記窒化物半導体基板の主面には、基準結晶面に対して、少なくとも前記ストライプ状
のリッジ部と略平行方向に、オフ角ａ（θ_a）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞０の関係を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが 上記段切れ部分からリッジ内部への拡散を防止する。
【解決手段】
ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。リッジの下部の側面から分離溝を越える部分は絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 コラプス現象を低減させ、かつ絶縁膜層が半導体層から剥離することなく、高出力動作可能で、信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板（１０）上に形成されたＧａＮ系半導体層（１１）と、前記ＧａＮ系半導体層上に形成された珪素／窒素組成比が０．８から２．５の窒化珪素膜層またはアルミニウム／窒素組成比の比が１．０から２．５の窒化アルミニウム膜層（２０）とを具備する半導体装置。半導体層上に形成される窒化珪素層の組成を選択することにより、絶縁膜層と半導体層との密着性が向上し、半導体層表面から絶縁膜層が剥離することを防ぎ、さらにコラプス現象を低減させることができる。よって、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、Ｍｏ膜を有する電極構造において、当該Ｍｏ膜の剥がれを防止することができる半導体レーザ装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ装置の一例は、クラッド層４と、電極部６（導電積層膜）、導電膜７とを備えている。クラッド層４は、所定の導電型（ｐ型）を有しており、一部に凸部４ａを有している。電極部６は、少なくとも中間層にＭｏ膜６ｂを有しており、凸部４ａの上面に形成されている。導電膜７は、Ｍｏ膜６ｂの側面を覆うように形成されており、Ｍｏ膜６ｂよりも腐食性が低い。 （もっと読む）

本発明は、ドープされたＳｉあるいはドープされたＧａＰをベースとするキャリア層およびそこに配設されたＩＩＩ／Ｖ半導体を備え、かつ組成Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＮ_ａＡｓ_ｂＰ_ｃＳｂ_ｄを有する、モノリシック集積回路構造であって、ここで、ｘ＝７０−１００モル−％、ｙ＝０−３０モル−％、ａ＝０．５−１５モル−％、ｂ＝６７．５−９９．５モル−％、ｃ＝０−３２．０モル−％およびｄ＝０−１５モル−％、ｘとｙの合計は、常に１００モル−％であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの合計は、常に１００モル−％であり、そして、一方のｘとｙの合計と他方のａないしｄの合計の比率は、実質的に１：１であり、モノリシック集積回路構造に、その製造のための方法に、新しい半導体に、ＳｉあるいはＧａＰ技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化されている、発光ダイオードおよびレーザダイオードあるいはまた、モジュレータおよび検出器構造の製造のためのその使用法に、関する。 （もっと読む）

【課題】 高精度のフォトニック結晶を含む半導体発光素子を容易に得ることができる製造方法およびその製造方法を用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 フォトニック結晶効果を有する構造３，５を含む素子を製造する方法であって、結晶反転領域４を含むＧａＮ系半導体層３を形成する工程と、結晶反転領域４をウェットエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 クラックの発生を防ぎ、かつ層厚の均一性が高く、表面が平坦な窒化物半導体の多層膜を備え、高い歩留まりで電流リークのない窒化物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体素子は、窒化物半導体基板の表面に形成された又は窒化物半導体基板以外の基板上に成長した窒化物半導体層の表面に形成された凹状の掘り込み領域１０２を含む加工基板１００と、加工基板１００上に最初に成膜される窒化物半導体下地層１０３を含む、窒化物半導体の多層膜からなる窒化物半導体多層膜１０１とを備え、窒化物半導体下地層１０３が、ＧａＮを組成に含む化合物である構成とする。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板の表面の高転位エリアの数よりも少ない高転位エリアを表面に有する窒化ガリウム膜を含むエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハは、窒化ガリウム膜１７上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域３３を含む。窒化ガリウム系半導体領域３３にはボイド３５が含む。ボイド３５は、窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけられており、窒化ガリウム膜１７の各高欠陥エリア１７ｅは窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅの一つに関連づけられている。窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけてボイド３５を形成することにより、該ボイド３５が高欠陥エリア１５ｅの欠陥の少なくとも一部の伝搬を阻止できる。 （もっと読む）

【課題】 局部的乱れが低減されたＦＦＰを有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第１の端面から第２の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第２導電型の第２クラッド層と、前記第２クラッド層よりも低い屈折率を有し、前記リッジ導波路の両側面と、前記リッジ導波路の上面の一部と、に設けられた誘電体膜と、を備え、前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成された形成領域と、前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成されていない非形成領域と、が設けられ、前記形成領域は、前記第１及び第２の端面の少なくともいずれかから前記リッジ導波路の長手方向に延在し、前記非形成領域は、前記形成領域に隣接して前記リッジ導波路の長手方向に延在してなることを特徴とする半導体レーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化反応の進行度合いを経時追跡することができ、これにより酸化反応を適切に制御することができる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】酸化炉１０内の半導体前駆体１２に白色光源１４から光を照射して、酸化反応中の半導体前駆体１２からの反射光を反射光検出手段１６により検出し、検出した反射光に基づいて、反射率、平均反射率、反射率の変化率、または平均反射率の変化率をコンピュータ１８により演算し、演算結果をモニター２０に表示すると共に、演算結果に基づいて酸化反応を制御し、半導体前駆体１２の酸化可能領域の一部を選択的に酸化して半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】青色から緑色の領域に発振波長を有する半導体レーザであって、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止することで低しきい値電流の半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層１０４が（１１−２２）面上に形成され、（１１−２２）面と垂直な（１−１００）面を共振器端面とすることで、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止すると同時にレーザ共振器を容易に作製することができ、低しきい値電流の半導体レーザを歩留まり良く作製することができる。 （もっと読む）