【課題】 パッド電極とこれに対向する電極との間の静電容量が小さく、高周波特性が良好であり、電流リークや静電破壊による不良を防止することができる半導体レーザおよびその実装方法を提供する。
【解決手段】 第２のクラッド層６の上部およびコンタクト層７に溝９、１０を形成してその間にリッジ８を形成する。リッジ８上に電極１２を形成する。リッジ８の側面、溝９、１０の内部および溝９、１０の外側の部分のコンタクト層７上に絶縁膜１１を形成する。この絶縁膜１１のうちの溝９、１０の外側の部分のコンタクト層７上の部分の厚さは少なくとも電極１２の厚さより大きくする。また、電極１２を覆い、かつ溝９、１２の外側の部分の上方の絶縁膜１１上に延在してパッド電極１３を形成する。このパッド電極１３のうちの溝９、１０の外側の部分の上方の部分の上面をリッジ８の上方の部分の上面より高い位置にする。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体レーザ素子を有し、かつ、複数の半導体レーザ素子の駆動方式を任意に選択可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４上で、かつｐ側パッド電極１２の両側に２つのｐ側パッド電極１３，１４が形成されている。ｐ側パッド電極１２およびｐ側パッド電極１３，１４の各々は離間して形成されている。ｐ側パッド電極１３，１４の上面側に、それぞれはんだ膜Ｈが形成されている。赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３上に接合されている。また、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４上に接合されている。ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は離間して形成されているので、ｐ側パッド電極１２，２２，３２がそれぞれ電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】 価格的にも妥当でかつ大きな生産性（歩留まり）で製造することが可能であり、更にその横方向のビームプロファイルが横方向の導波（路）によって広範囲において調整可能なように構成されたとりわけＩｎＰ系面発光型レーザダイオードの提供。
【解決手段】 第１のｎドープ半導体層（２）と少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層（３）と、該活性層（３）のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層（８）に隣接するトンネル接合（７）とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、第１のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）上に、ｎドープ遮断層（６、６ａ）が形成され、次いで、該ｎドープ遮断層（６、６ａ）が、アパーチャ（１０）の形成のために、部分的に刻削され、そして第２のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合（７）のために提供される層が、前記遮断層（６、６ａ）及び前記アパーチャ（１０）上に形成されることを特徴とする。
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【課題】 低価格で、簡単な構成で、小型の発光装置を提供する。
【解決手段】 この発光装置は、複数の面発光部３を含む面発光アレイ１と、それぞれ複数の面発光部３の出射光を１点に集光する複数の回折光学素子６を含む回折光学素子アレイ４と、その一方端が回折光学素子アレイ４によって集光された光を受け、その他方端から出射させる光ファイバ７とを備える。したがって、複数の光ファイバで集光していた従来に比べ、装置の低価格化、構成の簡単化、装置の小型化を図ることができる。 （もっと読む）

成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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共通な光軸に沿って入射光ビームを検出し、出射光ビームを送信する光トランシーバを提供する。かかる光トランシーバは、多種多様な用途に適したコンパクトな光トランシーバを提供する。
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【課題】誘電体マスクを用いることなく作製可能な構造を有しており実屈折率導波が可能である半導体光素子を提供する。
【解決手段】活性層５は、第１導電型半導体領域３の第２の半導体部３ｂ上に設けられている。活性層５は、一対の側面５ａを有している。第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３の第１の半導体部３ａの第２の領域３ｄ上、第２の半導体部３ｂの側面３ｅ上、活性層５上、及び活性層５の側面５ａ上に設けられている。第２導電型半導体領域７の第２の領域７ｄは第１導電型半導体領域３の第２の領域３ｄおよび第２の半導体部３ｂの側面７ｅとｐｎ接合を構成している。活性層５は、第１導電型半導体領域３の第１の領域３ｃと第２導電型半導体領域７の第１の領域７ｃとの間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程を必要としない、また、転位を低減するために厚い膜を形成する必要のない窒化物半導体の転位低減方法を提供する。
【解決手段】 オフ角度αが0.5°以上の微傾斜基板１を用い、その上に、分子線エピタキシャル成長（MBE）法、有機金属気相成長（MOCVD）法、ハイドライド気相成長（HVPE）法などを用いてバッファ層となる窒化物半導体膜２を成長させ、その上に窒化物半導体膜３を成長させる。オフ角度αをある程度大きくして、成長する薄膜の表面に多原子層高さのマクロステップが形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 高出力レーザ素子の出力低下なしに、低出力レーザ素子駆動時の消費電力を低減する半導体レーザ装置を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、発振波長が異なる２つの半導体レーザ素子１０ａ、１０ｂを基板１２上に設けた素子１０を搭載し、半導体レーザ素子１０ａを共振器長が短くなる方向に二分する分離溝２０を設け、後方の素子をフォトダイオード１０ｃとし、長共振器長の素子１０ｂを高出力レーザ素子とし、短共振器長の素子１０ａを低出力レーザ素子としている。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型クラッド層における電子の溢れ出しを抑制し、温度特性を向上させることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】 活性層１４と第１ｐ型クラッド層１７との間に、伝導帯のバンド端の絶対値が活性層１４よりも大きい材料により構成された電子障壁層１６を有している。従来のように屈折率あるいはバンドギャップの大小のみを考慮する場合と異なり、電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃを確実に大きくすることができ、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９における電子の溢れ出しを確実に抑制することができる。電子障壁層１６の構成材料としては、例えば、活性層１４がＧａＩｎＰ混晶により構成されている場合には、ＧａＰ，ＧａＩｎＰ混晶，ＡｌＧａＰ混晶，ＧａＰＳｂ混晶またはＡｌＧａＰＳｂ混晶が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 回折格子が埋め込まれた半導体レーザ装置において、回折格子と活性層との離隔距離Lを短縮することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に回折格子４を形成する形成工程と（ｂ）、回折格子の溝部６を埋め込み、さらに、回折格子全体を覆う埋込層８を、当該埋込層８の上面がほぼ平坦になるまで成長させる第１成長工程と（ｃ）、第１成長工程の後に、埋込層８の成長を停止した状態で埋込層８をその成長温度よりも高い温度に加熱する加熱工程と（ｄ）、加熱工程の後に、埋込層８の上面に活性層１２を成長させる第２成長工程と（ｅ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 発光部と受光部とを含む光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光素子１００は，基板１０１の上方に、基板１０１側から配置された、第１半導体層１０２と、活性層１０３と、第２半導体層１０４と、を含む発光部１４０と、発光部１４０の上方に、発光部１４０側から配置された、第１コンタクト層１１１と、光吸収層１１２と、第２コンタクト層１１３と、を含む受光部１２０と、を含み、光吸収層１１２の上面の面積は、光吸収層１１２の下面の面積以上であり、第２コンタクト層１１３の上面の面積は、光吸収層１１２の上面の面積以上である。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂをサーファクタントとして用いて形成されたＧａＩｎＡｓＳｂ量子井戸層またはＧａＩｎＮＡｓＳｂ量子井戸層を有する半導体装置において、良好な発光強度と、発光スペクトルの半値幅と、所望の発光波長を実現する。
【解決手段】 量子井戸層の成長開始時での成長表面のＳｂ量がサーファクタントとして機能するに十分なように、量子井戸層の成長を開始する前、たとえば障壁層１０４の成長中にＳｂを供給する。その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型クラッド層における電子のオーバーフローを抑制し、温度特性および発光効率を向上させることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｐ型クラッド層１７の厚みは０．７μｍ以下であり、厚みの減少分だけ直列抵抗および排熱抵抗が減少すると共に力学的に平均結晶格子不整合度（Δａ／ａ）をΔａ／ａ＞＋３×１０^-3とすることができる。これにより、ｐ型不純物である亜鉛が活性化されて活性層１５にまで拡散して活性層１５が非発光センター化するのを防ぐことができると共に、亜鉛のドープ量を２×１０¹⁸／ｃｍ³ 以上３×１０¹⁸／ｃｍ³ 以下の範囲まで増加させることができる。これにより、ｐ型クラッド層１７中のキャリア濃度が増加されて直列抵抗が減少し、また、ｐ型クラッド層１７のフェルミレベルがスロープ状になり、電子のオーバーフローによる漏れ電流の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】長期間安定して高出力動作の可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、ｎ型ＧａＮ基板６０１と、ｎ型ＧａＮ基板６０１上に設けられた窒化物半導体の積層構造とを備え、この積層構造は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の格子定数よりも大きな格子定数を有するＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５と、ｎ型ＧａＮ基板６０１とＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５との間に位置するｎ型ＧａＮコンタクト層６０２とを有している。ｎ型ＧａＮコンタクト層６０２は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域６１４を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 光素子及びその製造方法に関して、信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 光素子１００は、基板１１０と、基板１１０の上方に形成され、光が出射又は入射する上面１３２を有する柱状部１３０と、基板１１０の上方であって柱状部１３０の周囲を含む領域に形成された樹脂層１４０と、樹脂層１４０の上方に形成され、樹脂層１４０よりも硬い材質からなる補強層１８０と、補強層１８０の上方に形成されたボンディング部１５６を有し、柱状部１３０の上面１３２における露出領域の端部に電気的に接続された電極１５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法で成長中断なしにクラック防止層を形成し、素子生産効率及び素子特性向上を実現する化合物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子（化合物半導体素子）１０は、ＧａＮ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ高欠陥層１３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ＭＱＷ活性層１５、ＩｎＧａＮ光ガイド層１６、ＡｌＧａＮキャップ層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９が順に積層され、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９上にはｐ型電極２０が形成され、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８上であって、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９及びｐ型電極２０の周囲には絶縁膜２１が形成され、ｐ型電極２０及び絶縁膜２１上にはパッド電極２２が形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２側とは反対のＧａＮ基板１１面にはｎ型電極２３が形成されて構成される。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子と光導波路を精度良く結合させることが可能な発光用光半導体素子を提供する。
【解決手段】発光波長を透過する半導体基板２上に作られた、上記半導体基板の表面１００に対して垂直な方向に光を出射する発光用光半導体素子であって、上記発光用光半導体素子外部に出た光を導く光導波路１２の一端が位置決めされる出射部１１と、上記半導体基板の表面に対して垂直な方向に出射された光を上記出射部の光導波路の一端に導くように反射させる上記表面の一部である反射面８と、を一体に備えた。 （もっと読む）

【課題】基板主面に形成したストライプ状リッジの上に選択的に成長させた窒化物半導体結晶の結晶性を向上し、信頼性の高い窒化物半導体素子が提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、研磨加工された主面を有するＧａＮ基板１０１を用意する工程（Ａ）と、ＧａＮ基板１０１の主面に平行な上面を有する複数のストライプ状リッジをＧａＮ基板１０１の主面に形成する工程（Ｂ）と、５００℃以上の第１の温度でＧａＮ基板１０１を１分以上保持する工程（Ｃ）と、第１の温度よりも３０℃以上高い第２の温度で、複数のストライプ状リッジの上面に選択的に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｄ）とを含む。 （もっと読む）