【課題】素子同士を互いに貼り合わせる際にクラックなどの欠陥の発生を低減することの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】光検出素子１上に、制御層２および面発光型半導体レーザ素子３を光検出素子１側からこの順に備える。光検出素子１は、基板１０上に、光吸収層１１と、同一面内に形成されたｐ型半導体部１２および樹脂部１３とを基板１０側からこの順に有する。ｐ型半導体層１２は、積層面内方向に、１または複数の凸部１２Ａ−１と、１または複数の凹部１２Ａ−２とを含む凹凸部１２Ａを有している。凹部１２Ａ−２には、樹脂部１３が充填されている。 （もっと読む）

【課題】不純物の不要な拡散を抑制しながら抵抗を低減することができる半導体光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層６には、ｐ型のドーパントであるＺｎだけでなく、Ｆｅもドーピングされている。Ｚｎ濃度は１．５×１０¹⁸ｃｍ^-3であり、Ｆｅ濃度は１．８×１０¹⁷ｃｍ^-3である。半絶縁性の埋め込み層１０には、深いアクセプタ準位を形成する不純物としてＦｅが添加されており、その濃度は、６．０×１０¹⁶ｃｍ^-3である。従って、ｐ型クラッド層６中のＦｅ濃度は、埋め込み層１０中のＦｅ濃度の３倍である。 （もっと読む）

【課題】リッジ上の電極に接続されるワイヤの剥がれを防止できると共に横方向の光閉じ込め効果が高い半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、基板１０の表面に積層された窒化物半導体層２０のｐ型半導体層２３の上面に突出して形成されたストライプ状のリッジ２３ａを備え、ｐ型半導体層２３よりも屈折率が低く、リッジ２３ａから所定距離だけ離間したｐ型半導体層２３の表面を被覆する第１保護膜３０と、ｐ型半導体層２３よりも屈折率が低く、リッジ２３ａの側面とｐ型半導体層２３の表面と第１保護膜３０とを被覆する第２保護膜４０と、リッジ２３ａの上面に接続されると共に第２保護膜４０を被覆するｐ電極５０とを備え、ｐ電極５０の上面は、リッジ直上部分よりも、第１保護膜３０上の第２保護膜４０の直上部分の方が高く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｓ基板上の歪量子井戸構造における、歪補償をすると共に、結晶性の向上と熱抵抗を低減する。
【解決手段】 ＩｎＧａＡｓ基板１の上に、歪量子井戸構造αを構成する。この歪量子井戸構造αの量子井戸層４，６，８は、圧縮歪となっている。この圧縮歪を歪補償するため、引っ張り歪となるＧａＡｓ層を含むＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ障壁層３，５，７，９を、量子井戸層４，６，８の間に積層形成する。これにより、歪によるミスフィット転位や欠陥の発生が緩和される。また２元結晶であるＧａＡｓは熱抵抗が低減し温度上昇を抑制することができる。なお、引っ張り歪となるＧａＡｓの代わりに、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、またはＩｎＧａＡｓを用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】より多くの光量を得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１１と、ｎ型半導体基板１１上に形成されたｎ型クラッド層１３、活性層１４、及びｐ型クラッド層１５を有し、両端に互いに平行で平滑な端面２７を配したストライプ２５ａと、ｎ型半導体基板１１上に形成され、ｎ型クラッド層１３、活性層１４、及びｐ型クラッド層１５と実質的にそれぞれ同一の層を有し、ストライプ２５ａとは方向が異なり、両端に互いに平行で平滑な端面２７を配したストライプ２５ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】発光効率などが、品質改善された量子ドット及び半導体レーザの作製を可能とすること。
【解決手段】III-V化合物を含む第１の半導体からなる基板上にAlを含む半導体からなる中間層を形成し、微細なホールパターンを有するマスク層をマスクとして、塩素系ガスによるドライエッチング法を用いて中間層をエッチングし基板を表出させる。さらに中間層を水蒸気酸化法により酸化させ、表出された基板の上に、III-V化合物を含む第２の半導体材料を主成分とする量子ドットを形成させることによって作製する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、基板１と、基板１の上面１ａ上に形成されたＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層４とを備えている。ＡｌＧａＮ層２は第１ＡｌＧａＮ層２ａと、第１ＡｌＧａＮ層２ａ上に形成された第２ＡｌＧａＮ層２ｂとを有しており、第１ＡｌＧａＮ層２ａのＡｌ濃度は第２ＡｌＧａＮ層２ｂのＡｌ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度変化に対して安定した動作を行うＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】本発明のＶＣＳＥＬは、レーザ光を発する活性領域１０４と、活性領域を挟み込むように配置され、かつ活性領域から発せられたレーザ光を共振する下部ＤＢＲ１０２および上部ＤＢＲ１１０と、片持ち梁構造にされた上部ＤＢＲ１１０を温度変化に応じて可変する可変手段とを有する。可変手段は、上部ＤＢＲ１１０を移動させることで、共振波長を変化させ、活性領域の利得のピーク波長に一致しもしくは近づくようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の駆動（主発光）領域への転位の伝播、引っ張り歪の発生を抑制した窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体基板１００と、その上に積層された窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、基板１００は、高転位密度領域と低転位密度領域とを有する基板であって、少なくとも高転位密度領域には凹部が形成され、窒化物半導体層は、基板の凹部側面から横方向への成長膜厚が凹部以外の領域から縦方向への成長膜厚よりも大きい第１の窒化物半導体層１１０と、第１の窒化物半導体層１１０上に、Ｉｎを含有する第２の窒化物半導体層１２０とを有し、基板１００の凹部上に、第１及び第２の窒化物半導体層１１０、１２０は凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用した窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体レーザ素子５０は、低密度欠陥領域と基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなるｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、ｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。高密度欠陥領域のコア部１２ａに貫通孔３２を設ける。貫通孔３２の延長方向線上の前記積層構造の少なくとも上部に結晶が変質し電気抵抗が高くなったイオン注入領域５２を形成する。ＧａＮ系半導体レーザ素子５０の注入電流領域はイオン注入領域５２により狭窄する。ｎ側電極３０は貫通孔３２の間に設け、ｐ側電極２８はｎ側電極３０の真上に設ける。 （もっと読む）

【課題】熱が活性層にこもり難い面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子１の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子１において、反射層１０２は、４０．５周期の［ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなり、共振器スペーサー層１０３，１０５の各々は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。また、活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層１０６は、２４周期の［ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ／Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなる。そして、メサ構造体の底面は、共振器スペーサー層１０３の途中に位置している。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザ及び静電耐圧素子を有し、高速駆動が可能な光半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の表面に直交する方向にレーザ光を射出する多層構造の面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザの上方または下方に形成された多層構造の光検出素子と、面発光型半導体レーザを静電破壊から保護する静電耐圧素子とを半導体基板上に備え、面発光型半導体レーザを駆動する一対のパッド部３５ｃ、３６ｃと光検出素子の一対のパッド部３５ｃ、３６ｃとが、それぞれ独立して設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ／ＩＩ−ＶＩ半導体インターフェイスを再現的に製造する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素ソース（６８、１７０）、ＩＩ族元素ソース（７２、９２’）、Ｖ族元素ソース（７０、１７２）、及びＶＩ族元素ソースを含む分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置（５０、１５０）を準備する。ＩＩＩ−Ｖ半導体表面を有する基板（１２）をＭＢＥ装置（５０、１５０）内に位置決めする。基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。基板の温度を交互分子線エピタキシーによってＩＩ−ＶＩ半導体成長に適切な温度まで調整し、結晶質ＩＩ−ＶＩ半導体バッファ層（１６）をＩＩＩ−Ｖバッファ層上に成長させる。ＩＩ族及びＶＩ族ソースを操作して、ＩＩＩ−Ｖバッファ層をＶＩ族元素フラックスに暴露する前にＩＩ族元素フラックスに暴露させる。 （もっと読む）

【課題】量子井戸サブバンド間遷移には、赤外線イメージセンサ、量子カスケードレーザや超高速光変調素子への応用があり、従来のＴＭモードのみの光との相互作用に加え、ＴＥモード光との相互作用を可能にし、これらのデバイスの高効率、高性能化を実現する。
【解決手段】電子の有効質量に異方性がある半導体を用い、かつ、等エネルギー面の主軸から傾いた方向に量子井戸構造を形成することにより、ＴＥモード光（電磁波）によりサブバンド間電子遷移を生じさせる方法を発明した。 （もっと読む）

【課題】陰極における伝搬損失を抑制するとともに、高い電流注入効率を維持し、電流励起によるレーザ発振を実現する。
【解決手段】この有機半導体レーザ装置は、有機半導体レーザ活性層２と、有機半導体レーザ活性層２に正孔を供給する第１透明導電膜としての陽極１と、有機半導体レーザ活性層２に電子を供給する陰極３とを備えている。陰極３は、有機半導体レーザ活性層２側に配置された厚さ１０ｎｍ未満（好ましくは、３．０ｎｍ以下、さらに好ましくは、２．５ｎｍ以下）の超薄膜ＭｇＡｇ層３１と、第２透明導電膜３２とを有する積層構造膜からなる。 （もっと読む）

【課題】共振器端面と誘電体膜との応力を緩和させることにより、共振器端面と誘電体膜との密着性を安定させて、高出力状態での連続駆動においても高信頼性を示す窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された互いに対向する共振器端面とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、光出力側の共振器端面を被覆するように誘電体膜が形成され、少なくとも前記窒化物半導体層を構成する１つの元素と前記誘電体膜を構成する１つの元素とが同一であり、前記第１窒化物半導体層及び／又は第２窒化物半導体層の光出力側の共振器端面に、窒化物半導体層の格子定数を大きくする不純物を含有する不純物含有領域が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。
【解決手段】上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第１ミラー層スタックと、第１スタック上に配置された活性層と、活性層上に配置された交互の屈折率の第２ミラー層スタックと、第２スタックの中央に配置され、レーザのスペクトル幅特性を改善するために第２ミラー層スタックの少なくとも幾つかを通って延びる凹部と、を有する表面発光レーザである。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な活性層を有する半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】 半導体光集積素子１００は、ＧａＡｓからなる基板１０と、この基板上に配置された第１の半導体積層構造５１及び第２の半導体積層構造５２を有している。これらの積層構造は、それぞれ第１の活性層１４及び第２の活性層２１を含んでいる。これらの活性層は互いに離間している。これらの活性層の間には、ＧａＡｓからなる光透過層３０が延在しており、この二つの活性層を光学的に接続している。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体発光素子を高い信頼性で再現性、均一性、生産性良く作製する方法を提供し、低コストでの量産化に寄与する技術を確立する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体素子１００は以下の方法に従って製造される。まず、基板１０１の上に、ｎ型クラッド層１０３と、活性層１０５と、ｐ型クラッド層１１０と、ｐ型キャップ層１１１とを積層する。積層後、窒素ガスまたは窒素ガス及び希ガスを供給して、４５０℃以上５５０℃以下の温度にまで放冷する。このとき、供給するガスの量を、ｐ型クラッド層１１０及びｐ型キャップ層１１１の積層に用いた窒素ガスの供給量と水素ガスの供給量との合計量以上とする。その後、室温にまで放冷する。 （もっと読む）

【課題】光検出機構を内蔵しているにも拘わらず、光からフォトカレントへの変換効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第２半導体積層構造２０は、ｎ型低屈折率層２１および光吸収層２２をこの順に積層してなる一組の半導体層と、ｐ型高屈折率層２３および光吸収層２２をこの順に積層してなる一組の半導体層とを交互に積層して構成される。互いに隣り合うｎ型低屈折率層２１、光吸収層２２およびｐ型高屈折率層２３がＰＩＮ接合、すなわち光検出機構（光検出器２４）を構成する。基板１０上に積層された第２半導体積層構造２０からｎ型ＤＢＲ層３８までの各半導体層がレーザ発振用の共振器５０を構成しており、光検出機構が共振器５０に内蔵されている。 （もっと読む）