【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光素子１０は、ダイヤモンド半導体層からなり、ｐ型のα層２とｎ型のβ層３との間に一つまたは複数のγ層４を配してなる発光素子であって、前記α層と前記β層は各々、電流を注入するための電極（第一電極５、第二電極６）を備えており、前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が何れも３００Ｋの温度においてホッピング伝導であるとともに、前記α層と前記β層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層に４元混晶を用いた場合であっても、温度特性が良好で、かつ色純度や波長安定性が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】バルク１５Ａ内に複数の量子ドット１５Ｂが形成された活性層１５を備えている。バルク１５Ａは、組成比ｘ１（０≦ｘ１＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。量子ドット１５Ｂは、バルク１５Ａと同一の材料系によって形成されており、具体的には、組成比ｘ２（ｘ１＜ｘ２＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。 （もっと読む）

【課題】長波長化のためにＩｎ組成の高い活性層を用いた場合でも、レーザ発振特性が良好である窒化物系青色半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体レーザは、ｃ面半導体基板１０１と、ｃ面半導体基板１０１上に形成された第１クラッド層１０２及び第２クラッド層１０６と、その間に設けられた量子井戸活性層１０４とを備えている。量子井戸活性層１０４は、Ｉｎ、Ｇａ及びＮを含む量子井戸層１２１と、量子井戸層１２１のｃ面半導体基板１０１側に形成された第１バリア層１２２と、量子井戸層１２１を介して当該第１バリア層１２２と対向して形成された第２バリア層１２３とを備え、量子井戸層１２１内のＩｎ組成は、第２バリア層１２３側から第１バリア層１２２に向けて高くなっており、第１バリア層１２２のバンドギャップよりも第２バリア層１２３のバンドギャップの方が大きい。 （もっと読む）

【課題】出力が高く、受光面における戻り光の反射率の低い窒化物半導体レーザ素子を歩留まり良く作製することができる窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】光出射部が窒化物半導体からなる窒化物半導体レーザ素子であって、光出射部に酸窒化シリコンからなるコート膜が形成されており、光出射部から出射されるレーザ光の戻り光に対するコート膜の反射率が０．５％以下である窒化物半導体レーザ素子とおよびそれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造の質の向上を図ることができるＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる井戸層を成長する工程と、（ｃ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる障壁層を、サーファクタントとしてＳを供給しながら成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ値の向上と、吸収損失の増大の抑制とを両立させることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６Ａ、ストップ層１７、上部クラッド層１６Ｂ、中間層１８およびコンタクト層１９を備える。上部クラッド層１６Ｂ、中間層１８およびコンタクト層１９がリッジ部２０を構成し、リッジ部２０の両端に前端面Ｓ１，後端面Ｓ２を有する。前端面Ｓ１，後端面Ｓ２のうち少なくとも一方の端面およびその近傍に、活性層１４の発光波長に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有する不純物拡散領域３０を有し、少なくともリッジ部２０の幅方向の両端部との対向領域に、リッジ部２０の上面から少なくとも活性層１４にまで達する峰３１を有している。 （もっと読む）

【課題】発光波長４３０〜５８０ｎｍの窒化物半導体レーザ素子において、活性層への光閉じ込め効率が向上され、より高い発光効率を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と、Ｉｎ_eＧａ_fＮ（ｅ＋ｆ＝１）からなる井戸層および、障壁層から構成される活性層と、ｐ型クラッド層と、を含み、発光波長が４３０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である窒化物半導体レーザ素子であって、該ｎ型クラッド層と該活性層との間に、実質的に不純物を含まないＩｎ_aＧａ_bＮ（ａ＋ｂ＝１）の単層からなり、層厚が０．０２〜１．０μｍであるｎ側光ガイド層を備え、該ｎ側光ガイド層のＩｎ組成比ａは、該井戸層のＩｎ組成比より小さく、かつ０．００＜ａ≦０．１０を満足する窒化物半導体レーザ素子である。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、ｐ型基板１１と、ｐ型基板１１上に形成された導電型がｐ型である第１クラッド層としてのｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３上に形成された活性層１４と、活性層１４に接触し、活性層１４上に形成された導電型がｎ型である第２クラッド層としてのｎ型クラッド層１５とを備えている。そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いたＢｅ含有ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザが、結晶の変質無く、室温連続発振するための積層構造を実現すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にＢｅを含む格子整合系ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いて半導体レーザの基本構造を構成し、活性層へのキャリアの注入効率を高めるため、タイプＩ型のバンドラインナップを有するダブルヘテロ構造で活性層、クラッド層を構成し、活性層への光の閉じ込めを増強することができる活性層、クラッド層を構成し、ｐ型クラッド層のＭｇ組成比をＭｇ＜０．２とすること。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、発光の効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。よって、発光の効率が高くなる。ｐ型クラッド層１３がＶＩ族元素としてテルル（Ｔｅ）を含むので、ｐ型クラッド層１３のキャリア濃度が高くなっており、電気伝導性が向上する。 （もっと読む）

【課題】不純物の不要な拡散を抑制しながら抵抗を低減することができる半導体光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層６には、ｐ型のドーパントであるＺｎだけでなく、Ｆｅもドーピングされている。Ｚｎ濃度は１．５×１０¹⁸ｃｍ^-3であり、Ｆｅ濃度は１．８×１０¹⁷ｃｍ^-3である。半絶縁性の埋め込み層１０には、深いアクセプタ準位を形成する不純物としてＦｅが添加されており、その濃度は、６．０×１０¹⁶ｃｍ^-3である。従って、ｐ型クラッド層６中のＦｅ濃度は、埋め込み層１０中のＦｅ濃度の３倍である。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系半導体を用いたＭＱＷ構造の形成に適用可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、（ａ）第１導電型の第１の半導体層を形成する工程と、（ｂ）第１の半導体層上に発光層を形成する工程と、（ｃ）発光層上に第２導電型を有する第２の半導体層を形成する工程と、（ｄ）第１及び第２の半導体層にそれぞれ接続される第１及び第２の電極を形成する工程とを有し、工程（ｂ）は、（ｂ−１）Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ層からなる障壁層を形成する工程と、（ｂ−２）ＺｎＳ_ｘＯ_１−ｘ層からなる井戸層を形成する工程と、（ｂ−３）工程（ｂ−１）及び（ｂ−２）の少なくとも一方の後にアニールを行う工程とを含み、ｘ及びｙは、０≦ｘ、０≦ｙであり、かつＺｎＳ_ｘＯ_１−ｘ層のバンドギャップを、Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ層のそれよりも小さくするような値である。 （もっと読む）

ＺｎＯベースの単一及び多接合光電池を製造するための装置及び方法を開示する。ＺｎＯベースの単一及び多接合光電池、及びその他の光電子装置は、Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yのｐ型、ｎ型、及び非ドープ物質を含み、この場合、それぞれｘ及びｙで表わされる合金組成Ａ及びＢは０と１との間で変動する。合金元素Ａは、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｄ、及びＩｎを含む同族元素から選択され、合金元素Ｂは、Ｔｅ及びＳｅを含む同族元素から選択される。Ａ、Ｂ、ｘ及びｙの選択により、物質のバンドギャップを調整できるようになる。物質のバンドギャップは、約１．４ｅＶと約６．０ｅＶとの間の範囲となるように選択することができる。Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yベースのトンネルダイオードを形成し、Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yベースの多接合太陽光発電装置に使用することができる。また、Ｚｎ_xＡ_1-xＯ_yＢ_1-yベースの単一及び多接合太陽光発電装置は、透明の伝導性ヘテロ構造及びＺｎＯベースの基板への高濃度ドープ接触部を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いたＢｅ系ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザ室温連続発振のための積層構造を実現すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にＢｅを含む格子整合系ＩＩ−ＶＩ半導体を用いて半導体レーザの基本構造を構成し、活性層へのキャリアの注入効率を高めるため、タイプＩ型のバンドラインナップを有するダブルヘテロ構造で活性層、光ガイド層、クラッド層を構成し、活性層への光の閉じ込めを増強することができる活性層、光ガイド層、クラッド層を構成し、クラッド層をバルク結晶で構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】 量子井戸構造を有する光学的活性領域（例えば、レーザ活性領域）の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子（半導体レーザ）を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。
【効果】 半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、元素がイオン注入されたＳｉ基板（１０）と、Ｓｉ基板（１０）上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層（２０）と、半導体層（２０）上に設けられた電極（２２、２４、２６）と、を具備することを特徴とする半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】比較的抵抗が高い窒化物半導体層における共振器端面近傍への電流の注入を抑えることにより、端面近傍での抵抗による発熱を防止し、端面の特性及び寿命を向上させ、素子自体の高寿命化を図ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法及びレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された互いに対向する共振器端面とを有してなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記共振器端面における少なくとも光の出力領域は不純物を含有しており、該光の出力領域は、前記活性層における他の領域よりもバンドギャップが広いか、前記活性層における他の領域よりも不純物濃度が高い窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）