【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が１μｍ未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが１％以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚ｔ〔ｎｍ〕と歪ε〔％〕とが、
−０．７２０＋０．０９８８ε^−１．２＜ｔ≦−０．７０５＋０．２２７ε^−１．２
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。 （もっと読む）

【課題】発光ムラを抑制した面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】面発光素子アレイ３０は、基板上に形成された複数の並列素子アレイＰＡ−１、ＰＡ−２、・・・ＰＡ−ｎを含み、各並列素子アレイは、接続手段により直列に接続される。並列アレイ素子は、並列に接続された複数の面発光素子Ｐ１、Ｐ２、・・・Ｐｍを含んで構成され、面発光素子は、好ましくは面発光型半導体レーザから構成される。さらに並列素子アレイの向きは、複数の面発光素子に接続される電極の位置から決定され、並列素子アレイは、互いに向きが異なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、ディスク状の光共振器を備えた発光素子において、発光のメカニズムを解明することによって、新たな構造を提案してレーザ発振の可能な発光素子を実現することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、基板上に積層されたディスク状の光共振器を備える発光素子であって、前記光共振器は光を伝搬させる半導体からなるコアと前記コアに対して積層方向の前記基板側又はその反対側のうち少なくとも前記基板側に積層されたクラッドとを有し、前記コアは少なくともディスク外周側が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われており、前記クラッドはディスク外周側の一部が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われていることを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、被り成長を伴わない構造でフリップチップボンディングに適した構造を実現する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた第１導電型半導体層上に、少なくとも半導体活性層及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型半導体層を順次積層した積層構造を含む第１メサストライプと、前記第１メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第１テラス構造と、前記第１メサストライプと平行する独立で且つ前記第１メサストライプと同じ積層構造を有する第２メサストライプと、前記第２メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第２テラス構造とを設け、前記第１テラス構造の平坦面に前記第１メサストライプの前記第２導電型半導体層に接続する第１電極と、前記第１テラス構造と前記第２テラス構造の間に露出する前記第１導電型半導体層に接続し前記第２テラス構造の平坦部まで延在する第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】メサ部を形成するためのエッチング深さを精度良く制御できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、エッチングマーカー層４２を半絶縁性基板２０上に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７をエッチングマーカー層４２上に順に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７に対してプラズマエッチングを行うことにより、所定の光導波方向に延びるメサ部２２〜２４を形成するメサエッチング工程とを備える。エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。メサエッチング工程の際、プラズマ発光強度の変化に基づいてプラズマエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】単純な配線構造を使用でき、高い発光効率をもった半導体素子を得る。
【解決手段】ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。成長基板１１表面に達する深さをもつ分離溝３０を形成する（図１（ｄ））。ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。支持基板５０の一方の主面上に、第２の導電性接合層５１を形成する（図１（ｆ））。第２の導電性接合層５１と第１の導電性接合層４２とが直接接するようにして、高温で加圧接合する（図１（ｇ））。次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層１２とＣｒＮ層１３を除去する（図１（ｈ））。第１の積層体２５におけるｎ型層２１上の一部に、ｎ側電極６１を形成する（図１（ｊ））。最後に、第２の積層体２６全体を覆って第２の導電性接合層５１上の一部にｐ側パッド電極６２を形成する（図１（ｋ））。 （もっと読む）

【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要でオーミック抵抗が低く、チップ状態で高周波特性の測定が可能な半導体レーザとその高周波特性測定方法を提供する。
【解決手段】第１クラッド層２０、活性層３０、電流ブロック部４０、第２クラッド層５０、コンタクト層６０、第１オーミック電極７０、第２オーミック電極７６、絶縁膜６４、第１コンタクト電極８０、貫通電極９０及び第２コンタクト電極８６を備えて構成される。第１コンタクト電極は、絶縁膜上に形成されていて、第１オーミック電極と電気的に接続されている。貫通電極は、第１クラッド層、電流ブロック部、第２クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成されていて、第２オーミック電極と電気的に接続されている。第２コンタクト電極は絶縁膜上に形成されていて、貫通電極と電気的に接続されている。第１コンタクト電極は第２コンタクト電極を挟む位置に電極パッド８４を有している。 （もっと読む）

【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】メサ基板の第１主表面上の、活性層の両側に電流ブロック部を形成する。活性層及び電流ブロック部上に第２クラッド層及びコンタクト層を順に形成する。ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。メサ基板を裏面研磨を行うことにより第１クラッド層を形成する。第１クラッド層の第２主表面上に第２オーミック電極を形成する。開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードアレイ構造の成長後にサファイア基板を除去して、レーザダイオードアレイへの電気的コンタクトの形成の簡略化と特別な構造の使用の回避、更に優れたヒートシンクのレーザダイオードアレイへの取り付けを、可能にする。
【解決手段】レーザダイオードアレイ構造を備えた半導体膜の成長後に、半導体膜のサファイア基板側と反対側に支持基板１１０５を取り付ける。その後、サファイア基板を除去する。サファイア基板の除去後、熱伝導性基板１１３８をサファイア基板があった側に取り付ける。サファイア基板が除去されているので、レーザダイオードアレイへ電気的コンタクトを設けるのに特別な構造が不必要となり、又、より効果的なヒートシンク効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電流を供給する電極が固定の半導体発光素子と比べて、温度による発光効率の低下を防ぐことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１の制御部１２０は、高温時と低温時でｐ側及びｎ側電極の組み合わせを変更し、例えば、低温時には、ｐ側電極１４ａとｎ側電極１６ａ、ｐ側電極１４ｂとｎ側電極１６ｂとを組み合わせて第１の電極対を構成する。半導体発光装置１は、電流経路が電流通過領域１０の中心部付近を経由するので、電流狭窄径（Ｏｘ）における電流密度が均一となり、低温時の発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザと、その製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型クラッド層20と、活性層30と、電流ブロック部40と、第2導電型クラッド層50と、コンタクト層60と、第1電極70と、第2電極80と、貫通電極90とを備えて構成される。活性層は第1導電型クラッド層の第1の主表面側に形成され、電流ブロック部は第1導電型クラッド層上の活性層の両側に形成されている。第2導電型クラッド層は活性層及び電流ブロック部上に形成され、コンタクト層は第2導電型クラッド層上に形成されている。第1電極は第1導電型クラッド層の第2の主表面上に形成され、第2電極はコンタクト層上に形成されている。貫通電極は、第1導電型クラッド層、電流ブロック部、第2導電型クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成され、第1電極及び第2電極のいずれか一方と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、実装が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。レーザ光は、メサ構造部４の形成領域の上部側から半導体基板２の基板面に垂直な方向に発する。メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。面発光レーザ１をその厚み方向に絶縁層５を通して貫通する孔部８を形成し、絶縁層５の上面に、メサ構造部４から孔部８まで、メサ構造部４のｐ型の層に導通するｐ型の電極１３を形し、電極１３を孔部８の内壁を通して面発光レーザ１の下面側まで延設する。半導体基板２の底面には面発光レーザ１の下面側に形成されたｐ型の電極１３に間隔を介してメサ構造部４のｎ型の層に導通するｎ型の電極１４を形成する。 （もっと読む）

半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第１のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第２のベースサブ領域を備え、前記第１と第２のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。２端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第１の伝導型のエミッタ領域と、第１の伝導型の領域と反対に第２の伝導型のベース領域の間に第１の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第２の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース／ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース／ドレイン電極に信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】低コスト性および高信頼性を維持しつつ、光デバイスの利用性を拡大しうる実装体を提供する。
【解決手段】実装体Ａは、母基板１の上方に、光デバイス１０をフリップチップ状態で搭載したものである。母基板１の上面には、第１，第１配線パッド５，６が設けられ、母基板１には開口１ａが形成されている。光デバイス１０の主面側には、ｐ電極１５，ｎ電極１６が設けられている。光デバイス１０と母基板１との間に、光透過性樹脂内に鎖状金属粒子３１を分散させたＡＣＦ３０が介在している。ＡＣＦ３０中の鎖状金属粒子３１により、ｐ型電極１５，ｎ型電極１６と、第１，第２配線パッド５，６とがそれぞれ電気的に接続されている。鎖状金属粒子を分散させたＡＣＦ３０は、チップボンディング機能、電気的接続機能に加え、光の通路としても機能する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも効率良く光を取り出すことができる半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。半導体層３０の一部には、ｐ型半導体層５及び活性層４をエッチングなどにより除去して露出したｎ型半導体層３の表面にオーミック電極９を形成してある。基板１上にボンディング電極（ｎパッド）７を形成してあり、ボンディング電極７は、オーミック電極９を覆うようにして延設され、オーミック電極９に接続してある。半導体層３０の他の一部の側面には、半導体層３０の外周側面を被覆する被覆膜１１を形成してあり、被覆膜１１が形成された半導体層３０の近傍には、基板１上にボンディング電極（ｐパッド）８を形成してある。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬ）の作製方法を提供すると共に、作製した面発光レーザアレイを用いた高速または高解像度の書き込みが可能な画像形成装置を実現する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ素子は、少なくとも一部がＡ１組成の異なるＡｌＧａＡｓ高屈折率層と低屈折率層とからなるＤＢＲ（反射鏡）１０２，１０６とＤＢＲで挟まれた活性層１０３を有し、選択酸化層１０５により電流挟窄を行う面発光レーザ単素子（ＶＣＳＥＬ単素子）において、ＶＣＳＥＬ素子に電流を注入するための配線であって、凸部であるＶＣＳＥＬ素子のメサ上部からメサ底部を接続するメサ側壁部配線幅Ｗ２は凹部であるメサ底部に形成された配線幅Ｗ３よりも広いことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板ベース部（１）と、前記基板ベース部の上および／または横に配設されたメサ（Ｍ）とを有する垂直共振器を備える表面放射半導体レーザーにおいて、前記メサが本質的に基板ベース面に対して垂直に見て：第１の、前記基板ベース部に対向して配設されたドープ領域（２）の少なくとも一部と、第２の、前記基板ベース部と離隔して配設されたドープ領域（４）の少なくとも一部と、本質的に活性層に対して垂直に放射するレーザー放射ゾーンを有する少なくとも１つの活性層（Ａ）を有する前記第１および第２ドープ領域の間に配設された活性領域（３）とを含む表面放射半導体レーザーに関し、メサ（Ｍ）がその側面フランクの少なくとも一部分区間に少なくとも１つの狭隘部（Ｅ）を有することを特徴とする。
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電気的励起レーザシステム及びその方法が開示される。システムは、シリコンのマイクロリング共振器を含む。III−Ｖ族半導体材料から形成された量子井戸は、マイクロリング共振器と光学的に結合されて光学利得を提供する。III−Ｖ族半導体材料から形成され、第１のタイプのキャリアでドーピングされた台形バッファが量子井戸に光学的に結合される。リング電極が台形バッファに結合される。台形バッファにより、リング電極がマイクロリング共振器の光学モードから実質的に分離されることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板の一方に発光層を形成し、発光層を形成した同じ側にｎ側電極とｐ側電極を形成した半導体発光装置では、投入電力が大きくなるとｎ側電極の近傍で発熱が生じ発光効率が低下するという課題があった。
【解決手段】ｎ側電極のオーミック電極とｐ側電極のオーミック電極との間の距離は一定の範囲になるように形成し、印加された電圧による素子内部の電界をオーミック電極間でほぼ一定値となるようにする。特に１Ａ以上を流す半導体発光素子の場合は、電極間距離は５０μｍ以上にして形成するのが好適である。 （もっと読む）