【課題】蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１０を準備する工程と、液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を複数回繰り返して成長させる工程と、を備え、結晶成長面２０ｕ内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】割れやクラックを生じることなく、複数枚の窒化物半導体自立基板を取得可能な構造を有する窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】厚さ２ｍｍ以上に同種の窒化物半導体層が積層され、且つ前記積層された同種の窒化物半導体層は、不純物濃度の低い窒化物半導体層１と不純物濃度の高い窒化物半導体層２とが交互に２周期以上積層されて構成されている窒化物半導体結晶１０を製造する。この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ａ面またはｃ面サファイア基板上に、平坦性、結晶性に優れたｃ面ＧａＮを成長させること。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部１をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。凸部１は、側面がｍ面である正六角柱状の凸部を、その正六角柱の中心軸１ｂの回りに反時計回りに１５°回転させたものである。したがって、凸部１の側面１ａは、低指数面であるａ面やｍ面ではない高指数面である。次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってＡｌＮからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してＭＯＣＶＤ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層を形成した。これにより、結晶性、平坦性に優れたＧａＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる活性層へのダメージの小さな窒化物半導体レーザと、安定したＦＦＰと、低消費電力化とを実現することの可能な自励発振型の窒化物半導体レーザと、信頼性の高い窒化物半導体レーザと、これらの製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体層２０の上部に帯状のリッジ部２８が形成されており、リッジ部２８の両側面には埋め込み層２９が形成されている。活性層２３はＧａＩｎＮを含み、活性層２３のＩｎ組成比は、積層面内において不均一な分布を有している。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。好ましくは、前記光増幅導波層は、化合物半導体からなり、化合物半導体からなる基板上に、バットジョイント成長方法を用いて前記受動コア領域と前記能動クラッド領域とをモノリシックに集積して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】複数の波長帯の光を発光可能であり、特に、複数の異なる波長帯の光を複数の縦モードで発振可能な半導体発光素子およびそれを用いた小型且つ低価格な光パルス試験器を提供する。
【解決手段】１．５５μｍ帯に利得波長λ₁を有する活性層１３ａと１．３μｍ帯に利得波長λ₂を有する活性層１３ｂが、光の導波方向に沿って光学的に結合されて、利得波長λ₁、λ₂の長さの順に直列に配置され、短い利得波長λ₂を有する活性層１３ｂ近傍、且つ、活性層１３ａと活性層１３ｂのバットジョイント結合部１９近傍に、短い利得波長λ₂のブラッグ波長を有する回折格子２０が形成された構成を有している。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光素子１０は、ダイヤモンド半導体層からなり、ｐ型のα層２とｎ型のβ層３との間に一つまたは複数のγ層４を配してなる発光素子であって、前記α層と前記β層は各々、電流を注入するための電極（第一電極５、第二電極６）を備えており、前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が何れも３００Ｋの温度においてホッピング伝導であるとともに、前記α層と前記β層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶構造を用いた電流注入型光制御素子において、電流狭窄領域を精密に制御する。
【解決手段】光制御素子４は、周期的に配置された複数の第１の構造体をそれぞれ含む複数の周期構造層が、離散的に配置された複数の第２の構造体を含む少なくとも１つの離散構造層を間に挟んで積層されて構成された３次元フォトニック結晶４１と、該結晶内部に配置された活性部４２と、該結晶のうち導電性材料により構成された部分に接する電極４６，４７とを有する。複数の第２の構造体は、互いに異なる２以上の導電性材料により構成されている。該２以上の導電性材料のうち他の導電性材料よりも高い抵抗を有する少なくとも１つの導電性材料により構成された第２の構造体が、電流が注入された電極から活性部にキャリアを集中させて導くように配置されている。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造の質の向上を図ることができるＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる井戸層を成長する工程と、（ｃ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる障壁層を、サーファクタントとしてＳを供給しながら成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１０ｎｍ以下と微細で、かつ粒度分布の極めて狭い高結晶性の酸化亜鉛量子ドット、該酸化亜鉛量子ドットを効率よく製造することが可能な酸化亜鉛量子ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径Ｄを１０ｎｍ以下とし、粒径の標準偏差σとＤの比σ／Ｄを０．１５以下とする。
蛍光スペクトルにおいて、２．０〜３．０ｅＶの領域の最大蛍光強度Ａと、３．０ｅＶ以上の領域の最大蛍光強度Ｂの比Ａ／Ｂが０．１５以下となるようにする。
レーザーアブレーション装置１で酸化亜鉛量子ドットを発生させ、発生した酸化亜鉛量子ドットを気流中で電気炉３により熱処理して結晶化を促進し、熱処理した酸化亜鉛量子ドットを、微分型電気移動度分級装置（ＤＭＡ）４を用いて分級する工程を経て、酸化亜鉛量子ドットを製造する。
熱処理を５００℃以上の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、ＩＶ族化合物半導体、有機化合物半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された短波長の光を放出又は吸収するよう機能する半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、半導体光デバイスが、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に形成された高純度の酸化モリブデンを含む。これにより、深紫外波長領域から可視波長領域までの光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は同軸レーザーダイオード構造を延長し、同軸線型構造を有するレーザーダイオードを製造するものである。
【解決手段】 長い同軸管状の活性層とより均一的な電界を有するので、多い駆動発光光子とより高い量子効果をもち、より強い誘導放出のレーザー拡大作用を発生するようになる。その製造方法は形成した線型同軸レーザー結晶バーにより軸性ベクトルで同距離に区切り同軸線型構造を有するレーザーダイオードを形成し、ウエハーで材料損耗を防止するためのカット方法である。一致する方向のハイライトを出力するのは同軸発光ファイバーから分散して射出し、白光の照明装置を合成する。ハイライトをより強くし、電力をより節約し、使用時間をより長くし、より安いレーザー発光の方法がこの世紀に電力節約可能な照明装置となる。 （もっと読む）

【課題】通常の半導体レーザ素子の製造プロセスのみによりＣＯＤの発生が抑制される端面膜を有することが可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ）は、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａと、ＧａＮ層１１と異なる材質からなりＧａＮ層１１に接合するＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された切り出し面１０ａを有する半導体基板１０と、切り出し面１０ａの第１領域１１ａ上に形成された素子中央部と、切り出し面１０ａの第２領域１２ａ上に形成された共振器面２０ａを有する素子端面部とを含む半導体レーザ素子層２０とを備える。そして、共振器面２０ａを有する領域２０ｄ（活性層２２の領域２２ｂ）でのバンドギャップＥ_２が、領域２０ｅ（活性層２２の領域２２ａ）でのバンドギャップＥ_１よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタチャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置し、プラズマを用いた反応性スパッタ法によって、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法であり、スパッタチャンバ４１内に、基板１１を加熱するヒータ４４と、プラズマ発生空間７０を取り囲むシールド部材５０と、該シールド部材５０を冷却するパイプ部材（冷却手段）５１とが備えられ、ヒータ４４によって基板１１を加熱するとともに、パイプ部材５１によってシールド部材５０を冷却しつつ、ＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 活性層中へＺｎの拡散が抑制された半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体光素子１Ａは、基板１０と、基板１０上に形成され、活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとｎ型クラッド層２０とを有する半導体メサ部２Ｍと、Ｓｉ不純物を含み、半導体メサ部２Ｍの活性層３０に設けられた窪み部６６に埋め込まれた拡散防止部６２と、Ｚｎ不純物を含み、半導体メサ部２Ｍの周囲を埋め込む半導体埋込層７０とを備える。この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２が不純物としてＳｉを含んでいるため、半導体埋込層７０からのＺｎ不純物をトラップする。従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 （もっと読む）

【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）