【課題】本発明は、劈開時の結晶欠けを抑制できる半導体レーザダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザダイオードは、基板１４と、該基板１４の上方に形成された活性層２６と、該活性層２６の上に形成された半導体層２８と、該半導体層２８のうち該前端面１２ａを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる前端面高抵抗部２８ａと、該半導体層２８のうち該後端面１２ｂを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる後端面高抵抗部２８ｂと、該前端面１２ａにおいて該前端面高抵抗部２８ａと直接接しない部分を有し、かつ該後端面１２ｂにおいて該後端面高抵抗部２８ｂと直接接しない部分を有するように、該半導体層２８の上に形成された電極３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器構造のＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ＡｌＧａＡｓ層から構成されるｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器１０４と、共振器１０４上に形成されたＡｌＧａＡｓ層から構成されるｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器１０４の光学的膜厚が発振波長よりも大きく、共振器１０４は、活性層１０６Ｂの上下に配された一対のスペーサ層１０６Ａ、１０６Ｃと、スペーサ層１０６Ｃの側に形成された共振器延長領域１０５とを含む。共振器延長領域１０５は、ｎ型のＧａＩｎＰから構成される。 （もっと読む）

【課題】窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層のうちの一方は、第１の層と、活性層と第１の層との間に設けられ、第１の層よりもキャリア濃度の低い第２の層とを有し、窓領域が設けられた部分の第２の層の導電型が窓領域を形成する不純物によって反転している。 （もっと読む）

【課題】薄膜が機械的に損傷することを回避できる、シリコン薄膜に等電子中心を導入するための方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上のシリコン薄膜に等電子中心を導入する方法であって、室温において、不純物原子イオンを高電圧で加速させシリコン薄膜に照射し、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中において不純物原子イオンを照射したシリコン薄膜をアニールし、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中においてシリコン薄膜を急冷することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基板上にＩＩＩ族窒化物層が接合していない欠陥領域がない高品質のＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物基板２０にイオン注入領域２０ｉを形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０のイオンが注入された側の主表面側および支持基板１０の主表面側の少なくともひとつに接合用前駆体層４０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０と支持基板１０とを接合用前駆体層４０を介在させて接合し、接合用前駆体層４０をリフローさせることにより接合層５０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０をイオン注入領域２０ｉにおいて分離してＩＩＩ族窒化物層２１と残りのＩＩＩ族窒化物基板２２とにすることにより、支持基板１０の主表面上に接合層４０を介在させてＩＩＩ族窒化物層２１が接合されたＩＩＩ族窒化物層複合基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】高い取出効率を有する半導体チップの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び半導体チップを製造する方法。半導体チップ１は、放射を発生するために設けられた活性領域２３を有する半導体連続層を有する半導体ボディ２を含んで、半導体連続層が半導体ボディ２を形成する。コンタクト部４が半導体ボディ２の上に配置される。注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成される。 （もっと読む）

【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１導電型の第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に形成された活性層１３と、活性層１３上に形成された第２導電型の第２クラッド層１４と、第１ｐクラッド層１４上の所定の領域に形成された第２導電型のリッジ部２と、所定の領域とは異なるリッジ部２の近傍領域の第１ｐクラッド層１４上に形成された第１導電型のｎ型イオン注入層１６ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率を十分に向上させた半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】ｎ型クラッド層７３、ｎ型クラッド層側ガイド層７４、活性層５４、ｐ型クラッド層側ガイド層７６、および、ｐ型クラッド層７７を有し、ｎ型クラッド層側ガイド層７４およびｐ型クラッド層側ガイド層７６を介して、活性層５４に対し垂直方向に電子およびホールが注入される半導体レーザ装置であって、ｎ型クラッド層側ガイド層７４およびｐ型クラッド層側ガイド層７６は、ＩｎＧａＡｓＰにより構成され、ｎ型クラッド層７３およびｐ型クラッド層７７は、Ａｌ組成比が０．１未満のＡｌＧａＩｎＰにより構成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】応答速度の低下及び大型化を防止しつつ、各発光部において均一な変調特性を得ることができる半導体発光素子アレイを提供すること。
【解決手段】本発明に係るＶＣＳＥＬアレイ１では、配線８Ａ〜８Ｒの幅の変更による電気抵抗の均一化とプロトン注入領域１８Ａ，１８Ｄ〜１８Ｎ，１８Ｒの形成における浮遊容量の均一化とを同時に行うことによりＣＲ時定数を略同一にできるため、各ＶＣＳＥＬ素子２Ａ〜２Ｒにおいて均一な変調特性を得ることができる。また、ＣＲ時定数の増大を抑制することができるため、応答速度の低下を防止することができる。更には、配線８Ａ〜８Ｒの幅の変更や発光層４におけるプロトン注入領域１８Ａ，１８Ｄ〜１８Ｎ，１８Ｒの形成は、ＶＣＳＥＬアレイ１に対する外的な部品の付加を要さないため、大型化をも防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 出射される光のシングルモード化を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１Ａでは、非プロトン注入領域１５を介してプロトン注入領域１４の内側に電流が注入される。そのため、活性層４及びＤＢＲ層３，５において電流狭窄領域６ａに対向する発光部１０に電流が積極的に注入される。これにより、発光部１０において基本モードの発生が促進される。更に、上部ＤＢＲ層５において電流狭窄領域６ａの中央部に対向する部分１０ａをプロトン注入領域１４が筒状に包囲している。しかも、プロトン注入領域１４の外側端部１４ｂの少なくとも一部は、軸線Ｌ上から非プロトン注入領域１５の内側端部１５ａを見た場合に、当該内側端部１５ａの少なくとも一部に重なっている。これらにより、発光部１０において高次モードの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶の非極性面または半極性面を表面に有する基板の製造コストを抑えることができ、且つ、ＺｎＯ基板やβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板といった透明導電性基板の上に窒化物系化合物半導体層が設けられた発光素子を実現できる貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、及び発光素子を提供する。
【解決手段】貼り合わせ基板１０Ａは、窒化物系化合物半導体とは異なる材料からなり、主面１４ａを有し、可視光に対して透明な導電性の支持基板１４と、支持基板１４の主面１４ａと貼り合わされ、ＧａＮ結晶のＣ面に対し５０°以上１１０°以下の傾斜角をもって形成された表面１２ａを有するＧａＮ薄層１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子に設けられた複数の共振器に対して、効率良く、かつ良好な均一性で電流を注入する。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１００は、３次元フォトニック結晶１１０を用いている。フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。そして、ＰクラッドおよびＮクラッドにおいて、第１の方向に直交する第２の方向でのキャリアの拡散係数が、第１の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 （もっと読む）

【課題】活性層から発するレーザ光の電極間共振を抑えて電気変換効率を十分に高くすることのできる半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】基板２ａおよび活性層５を有し、活性層５から発するレーザ光のエネルギーが、基板２ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい値に設定された半導体レーザ装置において、基板２ａのキャリア濃度は、２．２×１０^１８ｃｍ^−３以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 活性層及びミラー層に結晶欠陥が生じるのを抑制しつつ、素子容量を低減させ得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１Ａでは、高抵抗層３、活性層７及びＤＢＲ層６，８が化合物半導体基板２上に積層されている。ここで、化合物半導体基板２は、ドナーとなる不純物を含む半導体基板であるため、結晶欠陥が少ないものとなっている。これにより、活性層７及びＤＢＲ層６，８に結晶欠陥が生じるのを抑制することができる。しかも、高抵抗部１０Ａにおいて電極形成部１５を包囲する部分１００Ａが高抵抗層３に達している。更に、化合物半導体基板２において発光部１４及び電極形成部１５に対応する部分２３を包囲する高抵抗部２０Ａが高抵抗層３に達している。これらにより、電極形成部１５及び部分２３の電気的フローティングの度合いが高まるので、素子容量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低く、しきい値電流の小さい半導体レーザ装置を構成する。
【解決手段】この半導体レーザ装置は、ｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０と活性層１８との間に、この活性層１８に密接して配設されるとともに活性層１８のバンドキャップエネルギーの値とｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーであってそれらと離散的に異なるバンドギャップエネルギー、及び活性層１８の屈折率とｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０の屈折率の中間の屈折率を有し、活性層１８よりも薄い厚みを有するｎ側エンハンス層１０２、ｐ側エンハンス層１０４を備え、活性層１８とｎ側ガイド層１６またはｐ側ガイド層２０との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に０次の量子準位を有するものである。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層を用いた半導体レーザ素子において、より高出力あるいは長寿命な特性を有する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮもしくはｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１０３と、ＡｌＧａＩｎＮ多重量子井戸からなり、第１クラッド層１０３上に形成された活性層１０５と、活性層１０５上に形成され、ｐ型もしくはアンドープのＧａＮもしくはＡｌＧａＮからなる第２クラッド層１０６と、第２クラッド層１０６上に形成され、ｐ型ＧａＮもしくはｐ型ＡｌＧａＮからなる第３クラッド層１０７とを有する共振器を備え、共振器は、共振器端部にイオン注入部１０４を有する。 （もっと読む）

【課題】正または負の単一電源の、変調器集積レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１００上にＭＱＷ１０２、ｐ型クラッド層１０４と多層された半導体レーザ部と、半導体基板１００上にｐ型クラッド層１０４、ＭＱＷ２０２、ｎ型クラッド層１０５と多層されたＥＡ変調器部とが、集積された構造とすることで、半導体レーザ部に正の電流を注入し、ＥＡ変調器に正の電圧を印加して動作するＥＡ変調器集積レーザが得られる。 （もっと読む）