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Fターム[5F173AR13]の内容

半導体レーザ (89,583) | 課題、目的 (7,608) | 光出力特性 (3,399) | 出力 (1,475) | 安定 (127)

Fターム[5F173AR13]に分類される特許

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【課題】 良好な高周波特性を有する面発光レーザと、当該面発光レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子を含む光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光素子100は、面発光レーザ130と、当該面発光レーザ130から出射されたレーザ光の一部を検出するMSM受光素子120と、を含む光素子であって、前記面発光レーザ130は、基板101の上方に形成された第1ミラー102と、前記第1ミラー102の上方に形成された活性層103と、前記活性層103の上方に形成された第2ミラー104と、を有し、前記MSM受光素子120は、前記第2ミラー102の上方に形成された光吸収層111と、前記光吸収層111の上方に形成された第1電極112と、前記光吸収層の上方に形成された第2電極113と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 消費電力が少なく、熱的機械的に安定な多波長半導体レーザ素子および多波長半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の主面に形成され、特定波長の発振光を放射する第1半導体レーザ素子12と、第1半導体レーザ素子12と発振光の光軸が実質的に同一光軸をなすように光軸平行に近接して配置され、第1半導体レーザ素子12の共振器長L1より短い共振器長L2を具備し、特定波長と異なる波長の発振光を放射する第2半導体レーザ素子13と、第1および第2半導体レーザ素子12、13の活性層にそれぞれ電気的導通を取るための電極17、18、19と、第1半導体レーザ素子12の光軸と平行な側面および第2半導体レーザ素子13の光軸と垂直な端面にそれぞれ近接して配置され、上面に絶縁膜20が形成された凸部14と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることが可能な光増幅素子を提供する。
【解決手段】 入力導波路402、入力信号光411、多モード導波路403および出力導波路404をn−InP基板401上に形成し、入力導波路402および出力導波路404は、InGaAsPをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成するとともに、多モード導波路403は、InGaAsPをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成し、多モード導波路403の両脇に高反射膜409、410を対向配置し、入力信号光411の導波方向と直交する方向に多モード導波路403内でレーザ発振を起こさせながら、入力信号光411を多モード導波路403内に伝搬させることにより、入力信号光411を増幅する。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザの出力光量を常に所定の出力光量に安定化させることができる半導体レーザ駆動回路および画像記録装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ駆動回路は、露光光源として、その点灯/消灯を制御する指令信号に応じてパルス変調された半導体レーザからの光ビームを用いて画像の記録を行う画像記録装置で用いられるもので、指令信号と半導体レーザからフィードバックされる信号との差分を増幅し、半導体レーザの点灯時と消灯時とで電圧の極性が逆の出力信号を出力する誤差増幅アンプと、誤差増幅アンプの入力端子と出力端子との間に直列に接続されたダイオードおよび抵抗素子とを備えている。ダイオードは、半導体レーザの消灯時に順バイアスとなるように接続され、抵抗素子の抵抗値は、半導体レーザの点灯時に誤差増幅アンプに流れる電流量と略同等の電流量が、半導体レーザの消灯時に、ダイオードおよび抵抗素子を介して誤差増幅アンプに流れるように設定されている。 (もっと読む)


少なくとも、基板、平均屈折率がN1cldである第一導電型クラッド層、平均屈折率がNAである活性層構造、平均屈折率が、N2cldである第二導電型クラッド層を有する発振波長λ(nm)の半導体レーザであって、基板と第一導電型クラッド層の間に、第一導電型を示し平均的な屈折率がN1SWGである副導波路層を有し、かつ、副導波路層と基板の間には、第一導電型を示し平均屈折率がN1LILである低屈折率層を有し、かつ、これら屈折率が特定関係式を満たすことを特徴とする半導体レーザを開示する。この半導体レーザは、電流/光出力/温度等の変化に対して安定な発振波長を有する。
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【課題】 利得結合型分布帰還型半導体レーザ素子は、屈折率結合型分布帰還型半導体レーザ素子と比較して過渡的な出力変動が少ないという特徴を持つが、利得を持つ活性層の途中まで回折格子を形成する際に、活性層のある特定深さで制御性良く回折格子エッチングを止めることができないという課題があった。
【解決手段】
エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。 (もっと読む)


本発明は、オプトエレクトロニクスにおいて使用されるレーザ源、特に半導体レーザ・ダイオード(1)からなる供給源の安定化に関する。このようなレーザ源は、光通信の分野におけるファイバ増幅器のためのいわゆるポンプレーザとしてしばしば使われ、エルビウムドープファイバ増幅器は、顕著な例である。このようなレーザは、通常提供された周波数帯の安定性のある電力出力で狭帯域幅光学的放射を提供するように設計されている。本発明は、外部反射器手段を使用しているこのようなレーザ源に関し、好ましくは、きわめて狭い帯域幅を有するきわめて高い相対フィードバックを提供し、約100モードまたはそれ以上を含むきわめて長い外部空洞およびレーザダイオードのきわめて低い前部面(2)反射率と結合した1つまたはそれ以上の適切に設計されたファイバ・ブラッグ・グレーティング(9)からなる。このことにより、動的温度安定要素を必要とすることなく、その動作においてきわめてレーザ源を安定させる。 (もっと読む)


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