【課題】素子温度を正確に見積もることの可能な温度検出部を備えた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、複数のレーザ構造部２０と、１つの温度検出部３０とが設けられている。レーザ構造部２０および温度検出部３０は共に、半導体基板１０を成長基板として形成されたものであり、かつ半導体基板１０の法線方向にＰＩＮ接合を有している。温度検出部３０は、上面に低反射率層（図示せす）を有しており、発振しないようになっている。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導波路コア１７及び第２の導波路コア１９は、第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。第１の導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、第２の導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。 （もっと読む）

【課題】容易かつ簡易に所望のパルス光周波数の得られる光発振装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１からのレーザ光の一部を分離する光分離手段３と、光分離手段によって分離されたレーザ光を受光する受光素子５と、受光素子５で受光したレーザ光量に基づいて、自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する電流を制御する電流制御回路６とを備える光発振装置とする。 （もっと読む）

【課題】結露することがなく、信頼性の高い面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子及び前記受光素子を設置するための領域が設けられているパッケージと、透明な材料により形成された窓部を有し、前記面発光レーザ及び受光素子を覆うため、前記パッケージと接続するためのリッド接続部を有するリッドと、を有し、前記パッケージには、前記リッド接続部と接続されるパッケージ接続部が設けられており、前記面発光レーザから出射された光が前記窓部において反射し、前記面発光レーザに入射することなく前記受光素子に入射するように、前記リッドは前記パッケージに接続されており、前記リッドまたは、前記パッケージと前記リッドとの間には水分を透過する水分透過領域が設けられていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光素子同士を互いに対峙させる形態の共振器構造を有するレーザー光源において、高出力化を実現することが可能なレーザー光源装置、画像表示装置及びモニター装置を提供すること。
【解決手段】第１発光素子及び第２発光素子は、互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように配置されたレーザー光源装置であって、レーザー光を射出する発光部を有する第１発光素子１２と、レーザー光を射出する発光部を有する第２発光素子１３と、第１発光素子１２が設けられる平坦面２２ａと、一部が凸状に形成された曲面２２ｃ，２２ｄと、を有する調整部材２２と、曲面２２ｃ，２２ｄに対応した凹部２３ａを有し該凹部２３ａに調整部材２２が嵌合された保持部材２３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子同士を互いに対峙させる形態の共振器構造を有するレーザー光源において、簡易な構成で、高出力化を実現することが可能なレーザー光源装置、画像表示装置及びモニター装置を提供すること。
【解決手段】一方の発光素子の発光部から射出されたレーザー光が他方の発光素子の発光部に入射するように配置されたレーザー光源であって、レーザー光を射出する発光部を有する第１発光素子１２と、レーザー光を射出する発光部を有する第２発光素子１３と、入射するレーザー光の一部を第１，第２発光素子１２，１３に向かう方向とは異なる方向に射出させ、残りのレーザー光を第１，第２発光素子１２，１３に向かう方向に射出させる分離部１４，１５と、光透過性を有するとともに、第１発光素子１２と第２発光素子１３との間の光路上に配置され入射したレーザー光の光路を変換する光路調整部材１６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力化を実現し得るレーザー光源装置を安価に安定して提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置１０は、発光部（エミッター１８，１９）を有する第１、第２発光素子（第１レーザーダイオード１２、第２レーザダイオード１３）と、入射光を異なる波長の光に変換する波長変換素子１６と、所定の波長に変換されたレーザー光、発光素子から射出された基本波長のレーザー光のいずれか一方を透過させ、他方を反射させる波長選択素子（波長選択ミラー１４，１５）と、を備え、第１発光素子および第２発光素子は、互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように配置され、第１発光素子、第２発光素子の少なくとも一方の発光素子は複数の発光部を有し、その複数の発光部の面積は同一でない。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。
【解決手段】基板としてＧａＡｓよりも格子定数の大きなＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ（０．０３≦ｘ≦０．１０）３元基板を使用し、前記基板上にＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層を形成し、前記Ｉｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層上に基板よりも格子定数の大きなＩｎ_yＧａ_1-yＡｓ（０．１０＜ｙ≦０．２０）層を形成し、さらに前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層上に歪量子井戸構造を形成する。なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。 （もっと読む）

【課題】
Ｉｍ値の変化量が少なく、レーザ光の出力を精度よく調整することができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の半導体レーザ装置は、基板の裏面に設けられた第１電極と、基板の表面に設けられた半導体層と、半導体層の表面に設けられた第２電極とを有する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出力される光を受光する受光素子とを有する半導体レーザ装置において、前記第１電極は、前記基板の裏面に部分的に露出領域を備えるように設けられ、前記受光素子は、受光面が該露出領域と対向するように配置され、前記露出領域は、導波路直下以外の領域に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温から高温までの範囲での安定したＬＤの駆動制御を低コストで実現すること。
【解決手段】このＬＤ駆動方法は、ＬＤに対してバイアス電流及び変調電流を供給することによりＬＤを駆動する方法であって、ＬＤの出力光をモニタするＰＤ５とＰＤ５の出力を受ける第１の制御回路９とを含むＡＰＣ回路により、バイアス電流を光出力の平均が一定となるように決定し、環境温度Ｔをモニタする温度センサ１１と温度センサ１１の出力を受ける第２の制御回路１５により、環境温度Ｔが所定温度Ｔαより低い場合には環境温度Ｔに基づいて変調電流を決定し、環境温度Ｔが所定温度Ｔαより高い場合には、ＡＰＣ回路により決定されたバイアス電流に基づいて変調電流を決定する。 （もっと読む）

【課題】一定の動作電流において、動作温度の変化に伴う光出力の変動を抑制することが可能な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３６を有する量子ドット活性層１４と量子ドット活性層１４を挟む下部クラッド層１２、上部クラッド層１６とを含む半導体層１８と、量子ドット活性層１４から出射されるレーザ光の出射端面３５を覆うように半導体層１８の端面２８に設けられた反射膜３２ａと、を具備し、反射膜３２ａは、動作電流を一定にした場合におけるレーザ光の光出力の温度依存を打ち消すように変化する反射率を有する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】ＥＡＤＦＢレーザにおいて、モニタ用ＥＡ変調器の吸収電流をもとに、モジュール温度を検出する。
【解決手段】分布帰還型レーザ１０１と、分布帰還型レーザ１０１の一方の端面１０１ａから出射された光が入射されてこの光を変調して光信号Ｓを出力する光変調用の電界吸収型変調器１０２と、分布帰還型レーザ１０１の他方の端面１０１ｂから出射された光が入射されるモニタ用の電界吸収型変調器１０３と、電気的分離部１０４，０１５とが、同一の半導体基板上にモノリシック集積して光送信モジュール１００が形成されている。モニタ用のＥＡ変調器１０３に吸収される吸収電流を検出することにより、モジュール温度を検出でき、光信号Ｓを予め決めた規定パワーとするのに必要な制御をすることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層へのｐ型不純物の拡散を抑え、利得、雑音指数の特性劣化が生じないようにする。
【解決手段】半導体素子を、ＩｎＰ基板１上に設けられ、活性層４を有するメサ構造６と、ｐ型不純物をドープした半導体材料からなり、メサ構造の両側を埋め込む第１埋込層７と、少なくとも活性層４の側面と第１埋込層７との間に設けられたＩｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２とを備えるものとし、Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２の膜厚を、臨界膜厚よりも薄く、かつ、ｐ型不純物の拡散長よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】電流を供給する電極が固定の半導体発光素子と比べて、温度による発光効率の低下を防ぐことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１の制御部１２０は、高温時と低温時でｐ側及びｎ側電極の組み合わせを変更し、例えば、低温時には、ｐ側電極１４ａとｎ側電極１６ａ、ｐ側電極１４ｂとｎ側電極１６ｂとを組み合わせて第１の電極対を構成する。半導体発光装置１は、電流経路が電流通過領域１０の中心部付近を経由するので、電流狭窄径（Ｏｘ）における電流密度が均一となり、低温時の発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 既存の光増幅媒体を用いて、増幅帯域をの拡大を行なうため、既存の光増幅器の使用帯域以外の帯域を光伝送に使用できるようにする。
【解決手段】 励起による誘導放出で光を増幅するための光増幅媒体に、少なくとも1つの利得ピークを生じるよう励起する励起手段と、光増幅媒体の利得のピークを等化する利得等化器を該光増幅媒体内に設け、利得のピーク値以外の波長帯域にて平坦な利得を得る。 増幅の変換効率を上げるため、光増幅媒体の長手方向に分布的もしくは分散的に利得等化を行なう手段を設け、光増幅の変換効率を改善する。 （もっと読む）

本発明の目的は、レーザーダイオードのパワー安定化を単純化することにある。この目的のために、ダイ及び前記ダイ上の第１のレーザーダイオード及び第２のレーザーダイオードを有する成るレーザー装置が、提供される。前記第２のレーザーダイオードは、この第１の半導体レーザーのキャビティがレーザー光を発するに十分な供給電圧が印加された場合のレージングを回避する構造又は要素を有している。
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【課題】光導波路基板と直接接合可能で効率的に熱チャープを補正可能な半導体レーザ、及びこれを用いた光送信デバイス、光送受信装置光送信デバイスの駆動方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ２は、発振用の駆動電流を流す半導体レーザｐ側電極８とは絶縁された薄膜ヒータ１１が、光閉じ込め領域２１を挟んで対称に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域までレーザ出力の安定化を図ったレーザ制御方法及びレーザ制御回路を提要するものである。
【解決手段】半導体レーザ素子２に流れる電流を一定にする定電流回路３と、定電流回路３の前段に接続された加算器３３及び乗算器３４とを有するレーザ制御回路を用いる。照射レーザ出力を検出するキャリブレーション用の検出手段２０を用いる。この検出手段２０からの検出信号に基づいて、乗算器３４に入力される規定入力に対する規定レーザ出力が得られるための基準バイアス値と基準ゲイン値を求める。基準バイアス値を加算器３３に入力し、基準ゲイン値を乗算器３４に入力し、自動的なキャリブレーションにより、半導体レーザ素子２の照射レーザ出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】電流非注入領域を有するリッジストライプ上に形成される電極の接触抵抗を低減し、且つ電流−光出力特性に生じる不連続な跳びを抑制すると共に、高出力動作を行えるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。ｐ型クラッド層の上には、リッジ部を覆うように設けられ、リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜１０と、該誘電体膜から露出したｐ型コンタクト層の上面及び側面と接触するＰ電極９とが形成されている。誘電体膜は、リッジ部の端部を覆うことにより、活性層に注入される電流を阻止する電流非注入領域３０を有し、誘電体膜の電流非注入領域はｐ型コンタクト層と接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】光出力の温度依存性を低減することの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲ層１８と下部クラッド層１１との間、すなわち、キャビティ内に基板１０が設けられている。これにより、半導体レーザ１の実効的な共振器長が基板１０の厚さの分だけ長くなり、複数の軸モードで発振が生じるので、温度変化により発振波長がシフトした場合であっても、いずれかの軸モードにおいて、シフトした後の発振波長における波長オフセット量が、光出力が最大となるときの波長オフセット量と等しいか、それに近い値になる。 （もっと読む）