【課題】低閾値電流であって信頼性が高い面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、下部多層膜反射鏡と上部多層膜反射鏡とを有する光共振器と、前記共振器内に位置し、量子井戸層と障壁層とを有する多重量子井戸構造の歪み活性層と、前記歪み活性層の上側に位置し、選択酸化部を有する電流狭窄層と、を備え、前記電流狭窄層は、前記歪み活性層に対して前記選択酸化部内の歪みの影響が及ぶ位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でＶＣＳＥＬアレイ上の各発光素子を個別にモニタリングすることのできるモニタリング方法とＶＣＳＥＬアレイを提供する。
【解決手段】 複数の垂直共振器型面発光素子が基板上に配置されたＶＣＳＥＬアレイであって、第１の光素子１１０と、第２の光素子１２０とを備えている。第２の光素子１２０は、バイアス方向切換手段により、第２の光素子１２０に対して印加する電圧を逆方向のバイアスに切り換えたときに、第１の光素子１１０から出射された基板水平方向の光１４０を受光して、電気信号に変換する。また、第２の光素子１２０は、バイアス方向切換手段により、第２の光素子１２０に対して印加する電圧を順方向のバイアスに切り換えたときに、基板水平方向の光１５０を出射する。 （もっと読む）

【課題】外部の環境温度変化や、波長可変フィルタまたは波長可変ミラーの経年変化、さらに元々の透過帯域幅の広い波長可変フィルタを用いて構成していても、高いレーザモード安定性を長期に渡って実現することができる外部共振器型波長可変レーザ装置を提供する。
【解決手段】液晶の屈折率変化を利用した波長可変ミラー（８）または波長可変フィルタ（１１）を用いた外部共振器型半導体波長可変レーザ（１３）において、液晶の駆動電圧周波数に対する屈折率変化の応答で、応答が最大となる共振周波数ＦＲに対し、液晶の屈折率を制御するための駆動用ＡＣ電源電圧の周波数Ｆ１は、ＦＲと大きく異なる周波数に設定される。前記ＡＣ電源電圧に加えて、ＦＲ近傍の周波数のディザーＡＣ信号Ｆ２が重畳されて、共に波長可変ミラー（８）または波長可変フィルタ（１１）を駆動する。レーザの光出力をモニタするＰＤ（１７）は、ディザーＡＣ信号Ｆ２の振幅が最小となるよう駆動用ＡＣ電源電圧の振幅を制御する。 （もっと読む）

【課題】光通信の光源として使用する光通信用光源回路において、無駄な電力消費を低減しつつ、簡単な制御によって半導体レーザ素子の消光比を所定範囲に抑えて、環境温度が幅広く変化した場合でも、正確な光通信を行い得るようにすること。
【解決手段】通信制御回路１４は、トランジスタ１２、１３を交互にオン、オフ制御することによって通信用光信号をレーザダイオード（ＬＤ）素子３から出力する。パルス電流制御回路８は、ＬＤ素子３の消光比が一定になるようにパルス電流源７の出力電流を制御する。ペルチェ素子１にパルス電流４が流れることにより、ペルチェ素子１によってＬＤ素子３を冷却する。 （もっと読む）

【課題】伝送レートの切替え時間を短縮することができる光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１のＣＰＵ１９は、光送信サブアセンブリ３のレーザダイオード３ａに供給するバイアス電流の制御値及び変調電流の制御値をトランシーバＩＣ１５に転送する。ＣＰＵ１９は、伝送レートに対応させたバイアス電流の制御値と変調電流の制御値とを、光送信サブアセンブリ３の温度に基づいて、選択可能な各伝送レートすべてについて、一定周期毎に算出し、上位ホスト１７から伝送レートを選択するレートセレクト要求があった場合には、算出したバイアス電流の制御値及び変調電流の制御値のうち、レートセレクト要求に係る伝送レートに対応する制御値をトランシーバＩＣ１５に転送する。 （もっと読む）

【課題】高い飽和出力と高い飽和利得を得るための量子ドットを用いた半導体光増幅器は、利得媒質である量子ドットへの光の閉じ込めレベルが低いために、素子の長さが長いものを用いる必要があり、その結果、素子の駆動電流が大きくなり消費電力が大きくなるといった課題があった。
【解決手段】量子ドットを活性層媒質の含む光増幅器において、光導波路の光入射側の領域の量子ドット密度が、光出射側の領域のそれより高くなるように量子ドット密度分布をつけて形成することによって、同じ飽和出力と飽和利得を有する量子ドット密度が均一な光増幅器に比べ、光軸方向の素子長がより短く作製することが可能となる。また、その様な量子ドット密度分布は、２列のストライプ形状を有し、かつ前記光導波路の光入射面側の領域における前記間隔が、光出射面側の領域における前記間隔よりも狭くなるような間隔変化形状をもったマスクを用い、有機金属気相成長法によって積層形成することで可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性及び高寿命を実現する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された共振器面に接触する第１保護膜と、該第１保護膜上に形成された第２保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、第２保護膜は、共振器面側の面及びその面と対向する面に突出した厚膜部を有してなる窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザ部および光検出部を含む光素子に関して、信頼性の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ部１４０と、前記面発光型半導体レーザ部の上方に形成された分離部２０と、前記分離部の上方に形成された光検出部１２０と、を含み、前記分離部は、第１導電型の半導体からなる第１分離層２２と、当該第１分離層と屈折率の異なる第２導電型の半導体からなる第２分離層２４とを有し、前記面発光型半導体レーザ部の発振波長の光を反射するミラーとしての機能を有する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、複数の光を高密度で安定して出力する。
【解決手段】面発光レーザアレイ素子２３から射出される複数の光の光路上に、パッケージを封止するとともに、入射光の一部を反射し、残りを透過させるカバーガラス２１を配置し、第５の発光部列Ｌ５からの光及び第６の発光部列Ｌ６からの光について、Ｙ軸方向に関して、第５の発光部列Ｌ５からの光と第６の発光部列Ｌ６からの光との間隔を小さくして透過させるとともに、発光部に戻る方向と異なる方向に反射する。これにより、書きこみドット密度を低下させることなく、発熱による発光部の発光特性の低下を抑制することができる。また、反射光によるノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザの発光特性の劣化を抑制することのできる光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、前記面発光型半導体レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する光検出素子１２０と、を含み、前記光検出素子は、光吸収層及び第１コンタクト層１１１を有し、前記第１コンタクト層は、吸収端波長が前記面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】光応答性を低下することなく、バイアス電流補正時間を短くでき、リニアで安定したレーザパワーと安定した周波数特性を有する半導体レーザのバイアス電流設定方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ、入力電圧により可変可能な電流を半導体レーザに供給する定電流回路、半導体レーザのレーザパワーをアナログ信号に変換する光検出器、光検出器から得たアナログ信号を定電流回路に入力するための２つの電圧変換回路、電圧変換回路からの出力値を維持するための２つのアナログ量記憶媒体、光検出器からのアナログ信号を前記２つの電圧変換回路の内、一方の電圧変換回路へ入力するための切替回路、２つのアナログ量記憶媒体の電圧の差分を算出する差分回路からなり、定電流回路により発光した異なるレーザパワーを２つの電圧変換回路により検出することで閾値電流を算出し、バイアス電流を閾値と同値に設定することで光応答性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】極めて狭帯域化されたレーザビームを出力可能で、しかも発振波長や出力の変動を抑制できる波長安定化レーザを得る。
【解決手段】高周波重畳駆動される半導体レーザ10と、この半導体レーザ10から発せられたレーザビーム11の一部を半導体レーザに戻すハーフミラー等の帰還手段14と、この帰還手段14と半導体レーザ10との間に配されて特定波長の光のみを通過させるバンドパスフィルター等の波長選択手段21とを備えてなる波長安定化レーザにおいて、半導体レーザ10に戻されるもの以外のレーザビーム11の光路に、波長選択手段21によって波長選択されたレーザビーム11の波長をさらに狭帯域化するバンドパスフィルター等からなる狭帯域化手段21、22を設ける。 （もっと読む）

【課題】 マルチレーザでは、熱の影響を受けるレーザ素子ほどレーザ光量の変動幅が大きくなってしまい、安定した光量制御ができなくなってしまう。
【解決手段】 複数のレーザ素子の少なくとも１つのレーザ素子から発光されるレーザ光の強度に基づいて基準光量制御値を取得し（Ｓ３）、その取得した基準光量制御値と、メモリに記憶されている複数のレーザ素子のそれぞれに対応する光量制御補正値とに基づいて、複数のレーザ素子のそれぞれの光量制御値を求める（Ｓ５）。こうして求めた各レーザ素子の光量制御値に応じてレーザアレイを駆動する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加工することにより形成される共振器端面に端面コート膜を形成する場合にその密着性を向上させ、端面劣化を抑制し、通電中の動作電流の増加を抑制し、寿命の大幅な向上が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、劈開などにより形成される共振器端面１８に密着層を介して端面コート膜２０を形成する。密着層としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなるものや、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質からなるもの、例えばＡｌＯ_x 膜などを用いる。端面コート膜２０の最下層としてはＡｌ₂ Ｏ₃ 膜などを用いる。 （もっと読む）

【課題】メサ型単一量子ドット素子を従来の配置構成方法でクライオスタットによる冷却と真空チャンバー内で連続動作あるいは数回の熱サイクル動作を行なうと、発光スペクトルの変化や発光量の低下の現象が生じる。この現象が生じない装置構成を実現する。
【解決手段】メサ型単一量子ドット素子の基板を光学的な第１の透過窓にして、素子を内部に設置する熱導電性材料からなる試料室を設け、この試料室を格納する第２の透過窓を持つ真空チャンバーを設け、冷却機構に熱的に繋がる真空チャンバー内の熱伝導性の支持台上に、試料室を配する。試料室を構成する筐体および天板を介して試料は冷却されるとともに、真空チャンバーの排気系により、同時に試料室内の真空に排気されるようにする。 （もっと読む）

【課題】光検出精度を向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出器１０はｎ型傾斜基板１１上に、バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されており、この上に配置された面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。光検出層１４は活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されている。これにより、面発光型半導体レーザ２０内で発生したレーザ光のうち基本波光は光検出層１４で吸収されず光検出層１４を透過するが、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度のＳＨＧ光が光検出層１４で吸収され光電流に変換される。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子による光の波長の変換効率を精度よく調整することにある。
【解決手段】照明装置１００は、半導体レーザアレイ１０と、光波長変換素子２０と、反射ミラー３０と、赤外ビームスプリッタ３５と、ホログラム素子４５と、赤外光センサ４０と、可視光センサ７０と、制御ユニット９０を備えている。制御ユニット９０は、サーミスタ２２によって光波長変換素子２０の温度を測定し、その温度が目標温度となるように温度調整を行った後、更に、赤外光センサ４０によって測定した赤外レーザ光の光量と、可視光センサ７０とによって測定した可視レーザ光の光量とから波長の変換効率を求め、その効率が所定の効率を超えるように、光波長変換素子２０の温度を微調整する。 （もっと読む）

【課題】良化現象を抑え、歩留よくかつ生産性の高い自励発振型レーザや高出力レーザの構造を提供する。
【解決手段】n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10¹⁸cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10¹⁸cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 （もっと読む）

【課題】幅広い温度範囲で安定して動作することができるＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬは、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性層１０８ｂ、電流狭窄層１１０、ｐ型上部ＤＢＲ１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１４を積層し、コンタクト層１１４上にレーザ光の出射領域を規定する開口部１３２を含むｐ側上部電極１３０が形成されている。ＤＢＲは、アルミニウムの組成の異なるＡｌ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）とＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ層（０≦ｙ≦１、ｘ＜ｙ）とを交互に積層し、Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ層のバンドギャップエネルギーと活性層のバンドギャップエネルギーとの差分Ｓが、０．１ｅＶ≦Ｓ≦０．３ｅＶである。 （もっと読む）

【課題】高い出力安定性および長寿命を実現する窒化物半導体レーザー素子が望まれていた。
【解決手段】井戸層２２および障壁層２１を含む多重量子井戸構造の活性層１４を有する窒化物半導体レーザー素子であって、発振波長が４３０〜４４０ｎｍで、井戸層２２の全積層数が３であり、井戸層２２と障壁層２１とのバンドギャップエネルギーの差が０．３ｅＶ以上である窒化物半導体レーザー素子である。
【効果】井戸層の全積層数を３としたので、高い出力安定性および長寿命化を実現できる。また、井戸層２２と障壁層２１とのバンドギャップエネルギーの差が０．３ｅＶ以上であり、発振特性において従来の素子よりも信頼性に優れる。 （もっと読む）