本発明は、半導体レーザ内に集積されるモノリシック構造のマイクロヒータを用いた、半導体レーザの変調方法および波長変換装置に対する波長整合方法に関するものである。本発明の一つの実施形態によれば、例えば波長ドリフトなどの半導体レーザにおける熱誘導性のパターニング現象を補正する方法が提供され、その方法は、レーザ駆動電流Ｉ_Ｄが相対的低値にある場合にレーザの加熱素子駆動電流Ｉ_Ｈが相対的高値にセットされるものである。レーザ駆動電流Ｉ_Ｄが相対的低値から相対的高値へと増加するよりも時間Δｔ先立って、加熱素子駆動電流Ｉ_Ｈは相対的高値から相対的低値へと減少する。その半導体レーザは、波長選択領域（１２）、位相整合領域（１４）、利得領域（１６）を備え、それぞれの領域に一対の加熱素子ストリップ（６２，６４）が設けられたＤＢＲレーザダイオードとすることができる。
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【課題】安定したＡＰＣ駆動を行うことの可能な自励発振型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。半導体層２０のうち埋込リッジ部２８の延在方向に対して垂直な前端面に出射側反射膜３３が形成されており、前端面側の反射率ＲｆはＰ２＜Ｐｏｐ＜Ｐ１を満たすように調整されている。 （もっと読む）

【課題】ＤＦＢ半導体レーザの発振波長とＥＡ変調器の吸収端波長との調整をとることが容易な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体積層物２５のIII−Ｖ化合物半導体膜２１ａ上だけでなく第２の半導体積層物３１のIII−Ｖ化合物半導体膜２９上にも回折格子用マスク３３を形成する。回折格子用マスク３３を用いて第１の半導体積層物２５のIII−Ｖ化合物半導体膜２１ａをエッチングして、パターン形成された回折格子構造２１ｂを形成する。回折格子用マスク３３を除去した後に、第１の積層構造物２５内の回折格子構造２１ｂおよび第２の積層構造物３１内の半導体膜２９を覆うように、カバー層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３５を堆積する。回折格子構造２１ｂの屈折率とIII−Ｖ化合物半導体膜３５の屈折率との差により分布帰還のための周期構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることが可能な光増幅素子を提供する。
【解決手段】 入力導波路４０２、複数の多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃおよび出力導波路４０４をｎ−ＩｎＰ基板４０１上に形成し、入力導波路４０２および出力導波路４０４は、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成するとともに、多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃは、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成し、多モード導波路４０３の両脇に高反射膜４０９、４１０を対向配置し、入力信号光４１１の導波方向と直交する方向に多モード導波路４０３内でレーザ発振を起こさせながら、入力信号光４１１を多モード導波路４０３内に伝搬させることにより、入力信号光４１１を増幅する。 （もっと読む）

【課題】自然放出光を選択的に反射することにより、半導体光検出器による自然放出光の検出レベルを低減し、もって光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１、フィルタ部３および半導体光検出器２を備える。面発光型半導体レーザ１は基板１１上にｎ型ＤＢＲ層１２〜ｐ型コンタクト層１７をこの順に積層したものである。フィルタ部３は面発光型半導体レーザ１から出力される光のうち誘導放出光の光軸と平行な方向（積層方向）の透過率がその光軸とは異なる方向の透過率よりも高い透過特性を有する。半導体光検出器２はフィルタ部３を透過した光の一部を吸収する光吸収層２１を有する。フィルタ部３および半導体光検出器２はｐ型コンタクト層１の表面にこの順に重ね合わせて面発光型半導体レーザ１と共に一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザウェハ１００は、ウェハ１１０と、面発光レーザ素子１１１〜１２１とを備える。ウェハ１１０は、複数の領域Ｅ１〜Ｅ１１に分類され、複数の領域Ｅ１〜Ｅ１１は、ウェハ１１０の外周から内周に向かって同心円状に分布する。面発光レーザ素子１１１〜１２１は、それぞれ、ウェハ１１０の領域Ｅ１〜Ｅ１１において形成される。そして、面発光レーザ素子１１１〜１２１の各々は、活性層、共振器スペーサー層、反射層、選択酸化層およびコンタクト層からなるメサ構造体を含んでいる。面発光型半導体レーザウェハ１００においては、ウェハ１１０の面内方向におけるメサ構造体の寸法分布が基準値以内になるように面発光レーザ素子１１１〜１２１における複数のメサ構造体は異なる寸法を有する。 （もっと読む）

【課題】
雑音信号を最小化させたり、使用される要求仕様による雑音信号の制御を可能にすることで、高速伝送に使用するのに適した注入ロッキング型光源を提供する。
【解決手段】
インジェクションシードを通してシード光を受けて、波長ロックされた光を伝送光として出力するＴＸ送信部を含む注入ロッキング型光源において、前記インジェクションシードは、広帯域光源と、前記広帯域光源を受けて、これをシード光フィルターに伝達するシードサーキュレータと、前記シードサーキュレータを通過した広帯域光源のうち所望の波長帯域の光のみを通過させるシード光フィルターと、前記シード光フィルターを通過した特定の波長帯域の光を受けて、波長ロックされた光を変調なしに一定のパワーで前記シード光フィルターに出力する注入光源とを含んで構成され、前記シード光フィルターは、前記注入光源から出力される波長ロックされた光を受けて、これを前記シードサーキュレータに出力し、前記シードサーキュレータは、これを受けて前記シード光として出力することを特徴とする注入ロッキング型光源を構成する。 （もっと読む）

【課題】熱クロストークを増大させることなく、複数の面発光レーザを高い集積度で配置することができる面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】複数の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を、副走査方向に対応するα方向と、該α方向に対して傾斜したβ方向とに沿ってそれぞれ等間隔に２次元的に配置し、かつα方向における複数の面発光レーザの間隔ｄ１が、β方向における面発光レーザの数×ｄ２の演算結果よりも大きくなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】単位共振器あたりの電流密度を低減し、長寿命とした窒化物系半導体III−Ｖ族化合物レーザを得る。
【解決手段】光閉じ込め係数Γが小さくなると、内部損失が低減するので、単位共振器長あたりの電流密度も低減する。本発明では、Γを１．５以上３．０以下に設定し、共振器長を８００μｍ以上２，０００μｍ以下とする。これにより、従来に比べて小さな内部損失を持つ構造としたうえで共振器を長くすることになるので、単位共振器あたりの電流密度を低減し、長寿命とした窒化物系半導体III−Ｖ族化合物レーザが得られる。 （もっと読む）

【課題】内部で発生する迷光の前方への放射を抑制することができる集積型半導体レーザ素子およびこれを備える半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体レーザ素子であって、前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の出力及びビーム品質を向上させる。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の層構造の上に、ＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６からなり、線幅３０μｍ、曲率６８０μｍ（曲率＜光導波路の路幅×２５）のリッジなＳ字構造の光導波路２５が設けられた層構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】ミラーの反射特性がずれても反射率が下がらない反射帯域の広いミラーを備えた垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に１対の反射ミラーで構成される共振器と、該共振器中に介在する活性領域とを備えている垂直共振器型面発光レーザにおいて、
前記共振器を構成する少なくとも一方の反射ミラーは、第１の媒質と第２の媒質とが、該基板の面内方向に屈折率が周期的に変化するように配列した屈折率周期構造からなり、
且つ、前記第１の媒質の前記面内方向の断面積の大きさは、前記第１の媒質の厚さ方向で変化している構成とする。 （もっと読む）

【課題】高出力時においても、信頼性が高く、均一性および再現性に優れ、安定動作が可能な、発振波長が８５０ｎｍ以上９００ｎｍ以下の半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、発振波長が８６９ｎｍであって、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓガイド層３、量子井戸活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＡｓガイド層６およびｐ型Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第１クラッド層７を備えている。量子井戸活性層１６は、アンドープＩｎＧａＡｓ井戸層５Ａ，５Ｂと、この井戸層５Ａ，５Ｂを挟むアンドープＩｎＧａＡｓＰバリア層４Ａ，４Ｂ，４Ｃと、その井戸層５Ａ，５Ｂと、ｎ型ＧａＡｓ基板１側のバリア層４Ａ，４Ｂとの間に設けられたアンドープＧａＡｓ中間層１４Ａ，１４Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの制御性と光吸収層への光の入射量とを両立させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１４および光吸収層１１をこの順に積層してなる半導体光検出器１の上に、発光領域２３Ａを含む半導体積層構造２０を有する面発光型半導体レーザ２を備える。光吸収層１１は、半導体積層構造２０に接すると共に、半導体積層構造２０側の表面にｐ型半導体層１２を有する。つまり、第２半導体層は、面発光型半導体レーザ２から半導体光検出器１側に射出される光Ｌ２が通過する領域とは異なる部分に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトメタルを保護することにより外部からの水の進入を効果的に防ぎ、高温多湿環境下でも光量低下の少ないＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬ１００は、基板１０２上に形成された下部および上部半導体多層反射膜１０６、１１０と、それらの間に形成された活性層１０８と、電流狭窄層１２４と、上部半導体多層反射膜１１０上に形成され、上部半導体多層反射膜１１０と電気的に接続され、かつ活性層で発生されたレーザ光を出射する開口１１２ａが形成されたコンタクトメタル１１２と、コンタクトメタル１１２の開口１１２ａを覆う保護膜１１４と、ポストＰの側面および頂部の一部を覆う層間絶縁膜１１６と、保護膜１１４および層間絶縁膜１１６によって露出されたコンタクトメタル１１２のコンタクトホール１１８を覆うｐ側電極１２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】自然放出光を高反射率で反射することにより、半導体光検出器による自然放出光の検出レベルを低減し、もって光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１と、光透過部３１および金属部３２からなる層と、半導体光検出器２とをこの順にこの順に重ね合わせて一体に形成されている。面発光型半導体レーザ１は、発光領域１４Ａを含む半導体積層構造１１と、発光領域１４Ａの発光光を積層方向に射出する光射出窓１７Ａとを有する。半導体光検出器２は、積層方向から入射する光の一部を吸収する光吸収層２３を含む半導体積層構造２１を有する。光透過部３１は発光領域１４Ａと対応する領域に形成され、金属部３２は半導体積層構造１１のうち発光領域１４Ａの外縁領域と対応する領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】長い待ち時間を必要とせずに、高出力のレーザ光が安定的に得られるように半導体レーザを駆動する。
【解決手段】半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の光出力を光検出器ＰＤ１〜ＰＤ７により検出し、この光検出器の出力Ｓ10と、半導体レーザの目標光出力に対応した設定値Ｓ11との比較結果に基づいて半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の駆動電流を制御する定出力制御駆動方法において、上記設定値Ｓ11および／または光検出器の出力Ｓ10を、実際の光出力が一定化するように、駆動開始からの経過時間に応じて補正する補正パターンを予め作成しておき、半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７を駆動開始させてから所定の期間、設定値Ｓ11および／または光検出器の出力Ｓ10を上記補正パターンに従って変化させる （もっと読む）

【課題】とりわけ時間的に特に安定したレーザエミッションを有する光ポンピングされる面発光半導体レーザ及びこのような半導体レーザを有する光学的プロジェクション装置を提供することである。
【解決手段】上記課題は、光ポンピングされる面発光半導体レーザにおいて、モード選択装置が半導体レーザの予め設定可能な比較的高い共振モードの抑圧のために設けられており、この半導体レーザにおいてモード選択装置は固定的に半導体レーザの半導体ボディに結合されていることによって解決され、さらに、光学的プロジェクション装置においては、上記光ポンピングされる面発光半導体レーザ及びこのような半導体レーザのための制御電子装置を有することによって解決される。 （もっと読む）

【課題】パルス光出力において光強度が徐々に増加するような変動を抑えることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰから成るＳＣＨ（分離閉じ込めヘテロ構造）−ＭＱＷ（多重量子井戸構造）活性層４上に、ｐ型（Ａｌ_０．７０Ｇａ_０．３０）ＩｎＰ第２クラッド層５、アンドープＧａＩｎＰエッチングストップ層６、ｐ型（Ａｌ_０．７０Ｇａ_０．３０）ＩｎＰ第３クラッド層７、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層９が順次形成されている。ｐ型（Ａｌ_０．７０Ｇａ_０．３０）ＩｎＰ第３クラッド層７、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層９は、電流通路の一部となるリッジ１３を構成している。活性層４が出射するレーザ光の水平方向の放射角が８．７度であり、かつ、動作電流における微分抵抗値が６．０Ωである。 （もっと読む）

【課題】容易に種々のアクティブ領域の動作温度間の変動が少なく作動するレーザダイオード装置、レーザダイオード装置を有するレーザシステム、及び容易に効果的にポンピング可能な光学式ポンピングレーザを提供すること。
【解決手段】アクティブ領域の横方向寸法がラテラル方向において変化する及び／又は隣接するアクティブ領域の間隔がラテラル方向で変化するレーザダイオード装置及び、支持体上に配置されているレーザダイオード装置を有しており、側面と支持体に接している縁部との間の間隔は側面の最も近傍に位置しているアクティブ領域と側面の間の間隔よりも小さい及び／又は前記側面と縁部の間の間隔はレーザダイオード装置の隣接する２つのアクティブ領域の間の間隔よりも小さいレーザシステム、及び上述のレーザダイオード装置又はレーザシステムによってポンピングされる光学式ポンピングレーザ。 （もっと読む）