【課題】簡素な構成、構造の超短パルス・超高出力の半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、閾値電流の値の１０倍以上の値を有するパルス電流で、あるいは又、閾値電圧の値の２倍以上の値を有するパルス電圧で、駆動され、あるいは又、半導体レーザは、３ワット以上の光強度を有し、半値幅が２０ピコ秒以下の第１光ピーク、及び、該第１光ピークに引き続き、１ナノ・ジュール以上のエネルギーを有し、継続時間が１ナノ秒以上である第２光ピークを出射する。 （もっと読む）

【課題】分布ブラッグリフレクタの反射率の変動に起因する光出力の低下を抑制可能な面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光半導体レーザ１１は、第１の部分１７と該第１の部分上に設けられた第２の部分１９とを含む第１のＤＢＲ１５と、第１のＤＢＲ１５上に設けられ、活性層２３を含む半導体メサ２０と、第２のＤＢＲ３３とを備える。第１の部分１７はアンドープの半導体材料からなり、第２の部分１９は、III族構成元素としてＩｎ元素及びＧａ元素並びにＶ族構成元素としてＰ元素を含む材料からなる第３のIII−Ｖ族化合物半導体層１９ａと、III族構成元素としてＧａ元素及びＶ族構成元素としてＡｓ元素を含む材料からなる第４のIII−Ｖ族化合物半導体層１９ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】優れた光出力安定性を有する半導体レーザの出力光安定化方法および半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】半導体レーザから出射されるレーザ光の光路に、波長選択されたレーザ光を半導体レーザに帰還する光帰還部を設け、光帰還部の光学的上流の一点において光路を伝搬する光を分岐し、前記一点よりも光学的上流において光路に合流するループ光路を設ける。また、半導体レーザから出射された出力光が入射され伝搬する前段光ファイバと、所定の分岐比を有し、前段光ファイバの終端が入力端の一つに接続された双方向性光結合器と、双方向性光結合器の出力端の一つに接続された出力光ファイバと、出力光ファイバに形成され、所定の反射中心波長を有するファイバグレーティングと、を備え、前記双方向性光結合器の入力端の他の一つと、出力端の他の一つとが光学的に連結されていることにより、前記ループ光路が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い効率で光を射出可能とし、かつ光量のモニタにより安定した光量の光を射出するための制御を可能とする光源装置、その光源装置を用いるプロジェクタを提供すること。
【解決手段】光源装置１０は、基本波光を波長変換する波長変換素子１４を有する光源装置１０であって、基本波光を射出する複数の光射出部と、複数の光射出部から射出された基本波光の光路中に設けられた光学素子１６と、波長変換素子１４で基本波光を波長変換することにより得られた高調波光を検出する光検出部１８と、を有し、光検出部１８は、光学素子１６で散乱した高調波光を検出する。 （もっと読む）

【課題】上クラッド層とその上に形成されるコンタクト層等との層間に発生するヘテロ障壁を緩和し、半導体レーザ素子の発光出力が低下したり素子の寿命が短くなることを防止できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に順次形成された、下クラッド層３と、活性層４と、第１の上クラッド層５と、（Ａｌ_ｘ０Ｇａ_１−ｘ０）_ｙ０Ｉｎ_１−ｙ０Ｐを含む第２の上クラッド層７と、（Ａｌ_ｘａＧａ_１−ｘａ）_ｙａＩｎ_１−ｙａＰを含む第１の緩和層２１，及び，（Ａｌ_ｘｂＧａ_１−ｘｂ）_ｙｂＩｎ_１−ｙｂＰを含む第２の緩和層２３を有するヘテロ障壁緩和層２０と、ＧａＡｓを含むコンタクト層１３と、を有し、ヘテロ障壁緩和層は、それぞれに対応する元素の組成比率であるｘ０，ｙ０，ｘａ，ｙａ，ｘｂ，ｙｂが、０≦ｘａ＜ｘ０，０≦ｘｂ＜ｘ０，ｘａ＝ｘｂ，ｙ０＜ｙａ＜１，及び、０＜ｙｂ＜ｙ０、の関係をそれぞれ満足する構成を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ光安定性に優れた光モジュール、電子機器および空間通信システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、ベース層上に形成された量子ドットと、量子ドットを覆うカバー層と、を有する量子ドットレーザ６０と、一定の駆動電流を前記量子ドットレーザに供給する駆動回路６２と、を具備する光モジュールである。本発明によれば、量子ドットレーザを用いるため、ＡＰＣ回路を用いなくとも光出力を一定にすることができる。 （もっと読む）

【課題】高効率で、素子サイズが小さく高密度集積が可能で安価に大量生産でき、形成の制御性に優れ、電子デバイスとの融合性に優れた微小共振器型光源を提供する。
【解決手段】微小共振器型光源は、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、励起光導入用の第一コア３１と、光伝播方向と垂直な断面が矩形でかつ平面視円形の光共振器を構成する第二コア３２と、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、第二コア３２からの光導出用の第三コア３３と、第一コア３１、第二コア３２および第三コア３３を覆うクラッドとを備える。第二コア３３は、発光源となる物質が添加され、発光波長に対してウィスパーリングギャラリーモード条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性を損なうことなく、半導体光検出素子による自然放出光の検出レベルと、暗電流とを低減し、もって光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２０は、下部ＤＢＲ層２１、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、上部ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側から順に含むと共に、コンタクト層２７上に光射出窓２８Ａを含む柱状のメサ部Ｍ１を有する。半導体光検出素子３０は、メサ部Ｍ１の光射出窓２８Ａとは反対側にメサ部Ｍ１と一体に形成されると共に、第１導電型半導体層３１、光検出層３２、第２導電型半導体層３３、３４を基板１０側から順に含む積層構造を有する。光検出層３２の幅Ｌ２がメサ部Ｍ１の幅Ｌ３よりも狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】出力光のパワー低下が効率よく抑えられ、光利用効率が高く、出力光の偏光方向が揃うことで安定した出力が得られ、かつ拡散光学部材の小型化を可能にした、レーザ光源装置、及び画像表示装置並びにモニタ装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源装置３１は、光源３１１、波長変換素子３１２、外部共振器３１３、光路変換素子３１４を備えている。波長変換素子３１２は共振構造中に設けられており、第２のレーザ光ＬＳ２は、光路変換素子３１４によって第二光路Ｏ２に取り出され、第１のレーザ光ＬＳ１の進行方向とほぼ同じ方向へ向けられ、第１のレーザ光ＬＳ１と共に出力光として利用される。波長変換素子３１２内を透過する光の光軸に直交する線と平行な方向の幅をＷ１とし、外部共振器３１３側の端面における、第一のレーザ光ＬＳ１と第二のレーザ光ＬＳ２との光軸間距離をＷ２としたとき、Ｗ２＜Ｗ１を満たしている。 （もっと読む）

【課題】光出力の安定した光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の第１の形態に係る光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、面発光型半導体レーザの出射面の上方に形成された光検出素子１２０と、面発光型半導体レーザと前記光検出素子との間に形成された分離層２０と、を含み、光検出素子は、光吸収層１１２と、当該光吸収層と面発光型半導体レーザとの間に形成された第１コンタクト層１１１と、を有し、前記第１コンタクト層は、吸収端波長が面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなり、かつ前記光吸収層より低い屈折率を有し、前記分離層は、吸収端波長が面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなり、第１コンタクト層と分離層の総膜厚ｄは、下記式（１）を満たす。
ｍλ／２ｎ−λ／１６ｎ＜ｄ＜（２ｍ＋１）λ／４ｎ ・・・（１） （もっと読む）

【目的】出射されるレーザ光の波長を安定化させる。
【構成】半導体レーザの回折格子を加熱するための薄膜抵抗が設けられている。薄膜抵抗は，半導体レーザからレーザ光が出射される前に所定温度に加熱されて，これにより回折格子が所定温度に加熱される（ステップ51）。半導体レーザからの光が，受光感度特性が異なる２つの受光器に入射する。２つの受光器の電流値に基づいて，レーザ光の波長が所定波長よりも長いことおよび短いことが検知される（ステップ54）。レーザ光の波長が所定波長よりも長いことが検知された場合には薄膜抵抗に対する加熱が弱められる（ステップ55）。レーザ光の波長が所定波長よりも短いことが検知された場合には薄膜抵抗に対する加熱が強められる（ステップ56）。 （もっと読む）

【課題】外部共振器の回転角の変化を低減でき、高い効率でのレーザ光の射出を継続可能な光源装置、その光源装置の製造方法、その光源装置を用いた照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】光を射出する光源部と、光源部により射出された光を共振させる外部共振器である体積ホログラム１８と、第１軸を中心とする外部共振器の第１軸回転角を調整するための第１調整軸と、第１軸に略直交する軸である第２軸を中心とする外部共振器の第２軸回転角を調整するための第２調整軸とを備え、第１軸回転角及び第２軸回転角が調整された状態で外部共振器を固定する外部共振器固定部である第１固定部材２１及び第２固定部材２２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振波長における光パワーの波長依存性を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】レーザ発振波長を変更可能な半導体発光素子１１では、光反射器１３は、チャープ回折格子２１と電極２３ａ〜２３ｉとを含む。電極２３ａ〜２３ｉは、チャープ回折格子２１の一部分をなすチャープ回折格子部分２１ａ〜２１ｉのためにそれぞれ設けられる。反射端面１５は半導体発光素子１１の一端面１１ａに設けられている。利得導波路１７は電極２５からキャリア注入による光学的利得を有する。リング共振器１９は、複数の極大値を含む透過スペクトルを有する。光反射器１３及び反射端面１５の各々は半導体発光素子１１のレーザキャビティのための反射鏡である。リング共振器１９及び利得導波路１７は、半導体光源２７を構成しており、またレーザキャビティ内で直列に配置される。 （もっと読む）

【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる光学デバイスおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 光学デバイスは、ヒータ（１４）によって屈折率が制御される光導波路を備え温度制御装置（２０）によって温度が制御される光学素子（１０）と、ヒータ（１４）を流れる電流および／またはヒータにかかる電圧を測定する検知部（１７）と、検知部（１７）の測定結果に基づいてヒータ（１４）に投入される電力を一定に保持する制御部（５０）とを備える。光学デバイスの制御方法は、ヒータ（１４）によって屈折率が変化する光導波路を備える光学素子（１０）の温度を温度制御装置（２０）によって制御し、ヒータ（１４）を流れる電流および／またはヒータにかかる電圧に基づいてヒータに投入する電力が一定に保持されるように電力を制御するものである。 （もっと読む）

【課題】歪みが抑制されることにより特性の低下が防止された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１００においては、リッジ部Ｒｉの上方の活性層５周辺の領域が光導波領域ＬＰとなる。光導波領域ＬＰ上には、突起部２１が形成されている。突起部２１はＧａＮを主成分とする。そのため突起部２１の熱膨張係数とＧａＮ半導体層２０の熱膨張係数とはほぼ等しい。この場合、突起部２１の存在により、半導体レーザ素子１００の熱膨張時に光導波領域ＬＰの周辺部分に発生する単位体積当りの応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】３素子以上のレーザ素子を有する端面発光型のレーザアレイチップを具備し、前記レーザアレイチップがサブマウントを介してヒートシンクに固定してある半導体レーザ装置において、レーザアレイチップ内におけるレーザ素子の動作温度の差異を低減し、各レーザ素子間の発振波長の差異低減を実現する。
【解決手段】前記レーザアレイチップの中央部にあるレーザ素子の電極の幅を、前記レーザアレイチップの端部にあるレーザ素子の電極の幅よりも広くする。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザアレイにおける複数の発光部の各光出力特性を経時的に均一とする。
【解決手段】面発光レーザアレイ１００は、メサ形状及び電流狭窄構造の電流通過領域の形状が正方形状の第１の発光部と、メサ形状及び電流狭窄構造の電流通過領域の形状が円形状の第２の発光部とを含んでいる。そして、第２の発光部のほうが、第１の発光部よりも、光出力特性の経時変化が小さい。そして、温度上昇が大きい２次元配列における中央部に第２の発光部を配置し、温度上昇が小さい２次元配列における周辺部に第１の発光部を配置する。これにより、面発光レーザアレイ１００では、アレイ面内の不均一な温度分布があっても、複数の発光部の各光出力特性は時間が経過してもほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造プロセスを用いて製造可能であり、かつ大型化しなくても実効的な共振器長を制御することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内には、発光領域１３Ａとの対向領域を含む領域にエアギャップ２２Ａが形成され、発光領域１３Ａとの対向領域を積層面内方向から取り囲む閉曲線上の一部に、少なくとも一部が発光領域１３Ａとの対向領域を間にして対向する一対の第１孔２３が形成され、共振器構造１７の上面からエアギャップ２２Ａまで達している。エアギャップ２２Ａを積層面内方向から取り囲む閉曲線上の全体に渡って第１熱膨張部２２Ｂが形成され、エアギャップ２２Ａおよび第１熱膨張部２２Ｂを積層面内方向から取り囲む閉曲線上のうち第１孔２３の対向方向とは異なる方向の部位に一対の第２熱膨張部２４が形成され、第２熱膨張部２４と第１熱膨張部２２Ｂとは異なる熱膨張係数を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子は、高出力で高速応答性、高信頼性の発光素子が求められている。特に装置産業においては過酷な環境下でも長時間の使用に耐えうることは重要であり、通電後の使用においてその特性の変動が極めて少ないことが望まれている。多重量子井戸活性層と電流狭窄構造を有する垂直共振器型発光素子において、良好な初期特性と共に高い信頼性を提供する。
【解決手段】多重量子井戸構造と電流狭窄構造を用いた垂直共振器型発光素子において、量子井戸活性層をノンドープとし、キャリア濃度について、ｐ側を１Ｅ１８ｃｍ^−３以上、２Ｅ１８ｃｍ^−３以下、かつ、ｎ側を５Ｅ１７ｃｍ^−３以下にする。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザダイオードと、窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ_1-x-y-zＧａ_xＩｎ_yＢ_zＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、Ａｌを含む。保護層は窒化物半導体レーザダイオードと熱膨張係数の整合をとるように設けられている。 （もっと読む）