【課題】
反射率の異なる共振器構造を有するとともに、レーザ光の出力特性の低下が抑制され、且つ安定した出力を行うことのできる構成を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】
第１導電型クラッド層２とリッジストライプ形状の第２導電型クラッド層７との間に活性層４が配されてなる積層体と、その両端面に設けられた互いに異なる反射率の共振器膜３１、３２とを有する半導体レーザ１００であって、共振器長さ方向において、反射率の小さい前記共振器膜３１側を前方側とし、反射率の大きい前記共振器膜３２側を後方側とするとき、前記前方側における光の閉じ込め係数が、前記後方側における光閉じ込め係数よりも小さくなるように設定がされている構成とする。 （もっと読む）

【課題】複数の機能を一体に有し、部品点数の低減、小型化、低コスト化を実現できる光学素子を提供する。
【解決手段】光源ユニット１は、光源としての面発光レーザ１０と、カップリングレンズ１２とを備えている。面発光レーザ１０から出射する光ビームはランダム偏光（ＴＥ偏光とＴＭ偏光がランダムに含まれる）を示しているが、カップリングレンズ１２を透過した光ビームは所定の方向を持つ直線偏光（ＴＭ偏光）となっている。すなわち、カップリングレンズ１２は偏光子としての機能も有しており、ある１方向の直線偏光のみを透過させている。これは、カップリングレンズ１２の面発光レーザ１０側の曲面状の光学面の表面１２ａに、周期性を持った凹凸の微細構造２を設けることにより、構造複屈折性を発生させていることにより実現されている。 （もっと読む）

【課題】 光検出部を有すると共に、良好な高周波特性を有する電気光学素子および光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 基板に形成されている発光素子部３０と、前記基板における発光素子部３０の形成側面であって発光素子部３０の形成領域以外に形成されている受光素子部（光検出部）４０と、発光素子部３０から受光素子部４０にわたって形成されている透明部材からなる透明層５１と、透明層５１の少なくとも上面における発光素子部３０の発光軸の近傍以外に形成されている反射層５２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 入力信号の状態の変化に応じて所望の出力信号を得られるように特性を最適化できる非線形半導体光素子駆動装置を提供する。
【解決手段】 フィードバック制御回路２は、双安定半導体レーザ５０の入出力特性を調整するための制御信号を出力する。温度制御回路３は、フィードバック制御回路２からの制御信号に従って、ペルチェクーラー２１の温度を制御する。可変抵抗制御部４は、フィードバック制御回路２からの制御信号に従って、双安定半導体レーザ５０の所望の入出力特性が得られるように可変抵抗５の抵抗値を調整する。確率共鳴制御回路６は、双安定半導体レーザ５０の入出力特性を調整するための制御信号を出力する。電流供給部７は、確率共鳴制御回路６からの制御信号に従って、確率共鳴効果が得られるように雑音が付加された電流を、ｐ型電極５４，５５を介して双安定半導体レーザ５０に注入する。 （もっと読む）

【課題】 安定な飽和吸収信号が得られる飽和吸収用ガスセルを提供する。
【解決手段】 鏡間距離ＬがＬ＝Ｒ／２で表される距離に設定された曲率半径Ｒの凹面鏡２５５Ｂと平面鏡２５５Ａで構成される半共焦点光学系２５５により、ガスセルにレーザ光を複数回往復させる。 （もっと読む）

【課題】 光モニタするための光だけでなく、外部から発信された光も受光することのできる光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、当該面発光型半導体レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する光検出素子１５０と、外部からのレーザ光を受光する受光素子１２０と、を含み、前記光検出素子は、基板の上方に形成された第１の光吸収層１５１を有し、前記面発光型半導体レーザは、前記第１の光吸収層の上方に形成された第１ミラー１０２と、前記第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、前記活性層の上方に形成された第２ミラー１０４と、を有し、前記受光素子は、前記第２ミラーの上方に形成された第２の光吸収層１１２を有する。 （もっと読む）

【課題】 安定したレーザ光を射出すること。
【解決手段】 半導体レーザ素子１１のリアー端面１１ｂから出射されるモニタ光Ｍを検出するモニタ光用受光素子１２ａと、モニタ光用受光素子１２ａの近傍において迷光を検出する迷光用受光素子１２ｂ及び１２ｃを配置する。モニタ出力補正部は迷光用受光素子１２ｂ及び１２ｃの検出結果に基づいて、モニタ光用受光素子１２ａの検出結果を補正し、補正されたモニタ光の検出結果に基づいて半導体レーザ素子１１の出力が一定になるように駆動制御部が半導体レーザ素子１１の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】 光検出素子が面発光型半導体レーザの光学特性に与える影響を抑制することのできる光素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、前記面発光型半導体レーザの出射面の上方に形成された光検出素子１２０と、を含み、前記光検出素子は、光吸収層を有する半導体層１２２を含み、
前記半導体層は、下記式（１）を満たす膜厚ｄを有する。
（２ｍ−１）λ／４ｎ−３λ／１６ｎ＜ｄ＜（２ｍ−１）λ／４ｎ＋３λ／１６ｎ・・・（１）
〔式（１）において、ｍは整数、ｎは半導体層の屈折率、λは設計波長を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 屈折率導波構造を成す幅広のストライプ導波路を有する半導体レーザにおいて、安定した高次横モード発振を実現する。
【解決手段】 10μｍ以上の幅を有する、屈折率導波型のストライプ導波路101と、このストライプ導波路101の両端に各々形成された、互いに平行な２つの共振器ミラー102、102とを有する半導体レーザ100において、ストライプ導波路101の長軸と共振器ミラー102とがなす角度θを、90±0.1度の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 面発光型半導体レーザの光検出素子側の電極と、光検出素子の面発光型半導体レーザ側の電極とを電気的に分離することの可能な光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる光素子１００は、発光素子１４０と、当該発光素子１４０上に設けられた光検出素子１２０と、を備える光素子の製造方法であって、（ａ）基板の上方に、第１ミラー１０２、活性層１０３、第２ミラー１０４、特異層１５４、および光吸収層１１２を順次積層する工程と、（ｂ）少なくとも前記特異層を含む層をパターニングする工程と、（ｃ）前記特異層を側面からエッチングすることにより、前記光吸収層と前記第２ミラーの間を中空にした中空領域と、前記特異層がエッチングされないで残留した残留領域とを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フォルダを支持基体に取り付ける場合に、締め付けトルクを確保すると共に温調素子に対して損傷を与えることがないレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】レーザーダイオード（ＬＤ）３０と、ＬＤ３０から照射されたレーザー光の第２高周波を出力するＰＰＬＮ３４と、ＬＤ３０とＰＰＬＮ３４の間に配置され、レーザー光の波長の範囲を規定するファイバーブラッググレーティング３２とを備え、ＬＤ３０を保持するＬＤフォルダ４３と、ＰＰＬＮ３４を保持するＰＰＬＮフォルダ４０と、ＬＤフォルダ４３及びＰＰＬＮフォルダ４０を取り付けるための支持ベース７０と、ＰＰＬＮフォルダ４０を素子７０に取り付け固定するための第１取り付け機構を備え、フォルダ４０，４３と支持ベース７０の間に、ペルチェ素子４１，４４及び弾性を有する放熱シート７２を挟持する形で、フォルダ４０，４３が支持ベース７０に対して取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化による受光回路の出力変動を簡便な構成で防止できる受光回路などを提供する。
【解決手段】ＬＤパワーモニタ用フォトダイオード４と、帰還抵抗１３が接続されたＩ−Ｖアンプ５を備え、フォトダイオード４の受光部１６は保護膜１９で覆われている。レーザ光の波長が環境温度の変化によってシフトすることに伴う保護膜１９の光透過率の温度依存性と、帰還抵抗１３の抵抗値の温度依存性とがお互い補償しあって、受光回路の出力電圧が温度変化に対して一定になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 電気−光変換効率が極めて高いレーザ発振状態を利用しながらも、環境温度変化による蛍光の光量の変動が極めて小さく、また単純で安価な構成を有しかつレーザ光が外部に漏れない安全な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、第１と第２の端面（Ｍ１、Ｍ２）に挟まれたファブリペロー型共振器を有する半導体レーザ部（Ｌ１２）と、レーザ光出射端面として作用し得る少なくとも第１の端面（Ｍ２）に隣接して設けられていてレーザ光を吸収して可視光を放出する蛍光体含有部（１１０）と、その蛍光体含有部を通過したレーザ光を半導体レーザ部に帰還させるためのレーザ光帰還機構（Ｍ３）とを備えていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 高温で良好な自励発振を起こし、かつ、戻り光ノイズが小さい半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】 クラッド層に、可飽和吸収層８３を形成する。また、活性層８１と可飽和吸収層８３との間に、ポテンシャル井戸構造を有するキャリアトラップ層８２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 波形歪みや雑音特性の劣化を招くことなく、半導体光増幅器と自動利得制御や自動パワー制御に用いる素子を集積化できるようにしながら、入力信号光のパワーの変化に対応して自動利得制御や自動パワー制御を行なえるようにする。
【解決手段】 半導体装置を、ｐ型半導体層１２とｎ型半導体層１０とで活性層１１を挟み込んで構成され、活性層に沿って複数の領域を有する半導体積層体１と、ｐ型半導体層又はｎ型半導体層上に設けられ、複数の領域のそれぞれに１つずつ設けられる複数の電極２と、複数の電極の少なくとも１つの電極に接続され、バイアス電圧印加方向を切り替えるスイッチ４とを備えるものとし、スイッチ４が一側に切り替えられた場合、電極２Ａを介して順バイアス電圧が印加され、増幅領域１４Ａとなり、スイッチ４が他側に切り替えられた場合、電極２Ｂを介して逆バイアス電圧が印加され、減衰領域１４Ｂとなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザを用いた光源装置において、本来必要となる主たる方向への光ビームのロスを少なくし、光偏向器や光学素子の透過率や反射率の偏光依存性が生じず、小型である。
【解決手段】面発光レーザ１０１から放射された発散性の光ビームは、通常は光軸方向（実線方向）に放射されている。光量制御を行うときには、光路変更手段１０７によってその光路が折り返しミラー１０８側に切り替えられ（破線方向）、光検出器１０３でその光量が検出される。 （もっと読む）

効率的な電流注入を伴う半導体光増幅器(SOA)について記載される。注入電流密度が、例えば、改善された飽和パワーおよび/または雑音指数をもたらすために、一部の領域においてより高く、別の領域においてより低くなるように制御される。制御注入電流は、電流注入電極の抵抗率を変化させることによって、達成することができる。これは、電流注入メタライゼーションの上の誘電体層内に、直列抵抗をデバイスの長さに沿って変化させるようにして開口をパターン形成することによって、達成することができる。
（もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物の活性層への拡散を抑制することにより、安定した光出力特性を有し、その結果、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 活性層５とｐ型クラッド層１０との間に、少なくとも平衡状態においてｐ型クラッド層１０から活性層５方向に向かう電界を有するｐ型不純物拡散抑制層７を設ける構成とすることにより、この電界が、マイナスイオンになっているｐ型不純物をｐ型クラッド層１０方向へ引き戻すように働き、ｐ型不純物の拡散を抑制することができるため、ｐ型不純物の拡散の制御が可能になり、安定した光出力特性を有し、その結果、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体レーザ装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 偏波無依存な増幅特性を実現しながら、連続的な利得制御を実現できるようにする。
【解決手段】 入力側カプラ９と、出力側カプラ１０と、入力側カプラと出力側カプラとを接続する一対のアーム１１，１２とから構成されるマッハツェンダ干渉器１と、一対のアームにそれぞれ設けられ、信号光を増幅する第１及び第２光増幅器２，３と、発振を用いないで制御光を出力する制御光用光源４と、マッハツェンダ干渉器に接続され、制御光用光源から出力される制御光を導波させるための制御光用導波路５（５Ａ，５Ｂ）と、制御光用導波路及びマッハツェンダ干渉器を導波する際に制御光が得る光利得が、制御光が受ける光損失よりも小さくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ構造に関し、特に光相互作用の軽減のために適用されるさらなる技術を備える半導体レーザの提供。
【解決手段】デバイスが、支持体構造、および前記支持体構造上の二つ以上のレーザを含み、各レーザが、誘導に応じて光を放出する半導体構造であって、二つ以上の前記レーザのサブセットの前記半導体構造が同一の半導体材料を含むと共に実質的に同一の形状を有する半導体構造と、前記レーザの半導体構造を通過する電流フローに影響を与える電流フロー構造であって、前記サブセットにおける一対のレーザの前記電流フロー構造はそれぞれ異なって構成されて前記一対のレーザの前記半導体構造から放出される光の波長に影響を与えるようにされた電流フロー構造と、を含むような構成とする。 （もっと読む）