【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体光変調素子部４のコア層４０４と一体に形成されており、半導体レーザ素子部２の活性層２０４にバットジョイント接合されている。このため、その接合部における反射光が半導体レーザ素子部２に戻ることに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、キンクレベルが高く、低動作電流、低動作電圧特性及び、ビーム放射パターンの形状が温度や動作光出力に対して安定な特性を得る。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１のクラッド層と、活性層と、第２のクラッド層とを備える。第２のクラッド層の上部は、前端面と後端面とを結ぶ方向に延びるリッジ部３０と、リッジ部３０の両側方に配置されたウイング部３１とを構成している。前端面側領域４１におけるリッジ部３０の幅は、第１の領域４３におけるリッジ部３０の幅よりも大きく、前端面側領域４１におけるリッジ部３０とウイング部３１との間隔は、第１の領域４３におけるリッジ部３０とウイング部３１との最小間隔よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】高さが互いに異なる２つのボンディングパッドを備える半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定し、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減する。
【解決手段】ボンディングパッド４２の高さＨ_１がボンディングパッド６２の高さＨ_２より低い半導体光集積素子１０の製造方法であって、複数の半導体光集積素子１０が形成されたウエハを切断することにより、棒状の複数の半導体光集積素子アレイ７０を形成する工程と、複数の半導体光集積素子アレイ７０と複数のスペーサー８０とをウエハの厚さ方向に交互に積層して固定する工程と、半導体光集積素子アレイ７０の両端面上に反射膜４４及び６４を形成する工程とを備える。複数のスペーサー８０の可動部８１は、ボンディングパッド４２に向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の側方に位置する光の吸収膜に起因する応力を低減すると共に、水平拡がり角のばらつきを抑制でき、水平拡がり角が安定したＦＦＰ特性を実現できるようにする。
【解決手段】リッジ部６ａの両側方及び両側面上に形成され、両側面上において下部よりも上部が厚い第１の誘電体膜７と、第１の誘電体膜７上におけるリッジ部の両側方で且つリッジ部６ａの側面の上から見て第１の誘電体膜７のリッジ部の側面上部分と重ならない領域に形成され、活性層４からの光を吸収する吸収膜８と、第１の誘電体膜の上に、吸収膜を覆うと共にリッジ部側の端部がリッジ部と反対側の端部よりも厚く形成され、共振方向に対して垂直な方向の断面が順メサ形状となる厚膜部を有する第２の誘電体膜９とを備えている。リッジ部は、側面が第１の誘電体膜の上面に対して内側に傾いた順メサ形状を有し、吸収膜のリッジ部側の端部は、第２の誘電体膜の厚膜部の外側の境界位置よりもリッジ部に近接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】安定で均一な空間横モード動作をさせることのできる端面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 この端面発光型半導体レーザ素子は、半導体層内に形成された２次元フォトニック結晶４を備えており、電極８の接触領域の一方向を長さ方向（Ｘ軸）とし、この長さ方向及び基板の厚み方向の双方に垂直な方向を幅方向（Ｙ軸）とした場合、２次元フォトニック結晶４は、基板に垂直な方向（Ｚ軸）から見た場合、電極の接触領域を含み接触領域よりも幅方向に広い領域内に位置し、且つ、一方向（Ｘ軸）に沿った間隔毎に屈折率が、ブラッグの回折条件を満たしつつ、周期的に変化する屈折率周期構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】出射ビーム形状を安定にすることができる半導体レーザを得る。
【解決手段】半導体レーザは、回折格子１０が設けられたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）領域１１と、回折格子１０が設けられていないＦＰ（Fabry-Perot）領域１２とを有する。ＤＢＲ領域１１と出射端面１３との間に光導波路部１４が配置されている。共振器長方向において、光導波路部１４の長さはＤＢＲ領域１１の長さ以上である。 （もっと読む）

【課題】光強度分布制御層による簡単な構成により２次元フォトニック結晶による回折光の強度を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザの提供。
【解決手段】基板１０１上に設けられた下部クラッド層１０２と、下部クラッド層上に設けられたキャリアを注入することで発光する活性層１０３と、活性層上に設けられた活性層で発生した光を面内で共振させる２次元フォトニック結晶層１０４を有する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、２次元フォトニック結晶層上に設けられ、該２次元フォトニック結晶層中の光強度分布を制御する光強度分布制御層１０５を備え、下部クラッド層と、活性層と、フォトニック結晶層と、光強度分布制御層と、該光強度分布制御層上に設けられた上部クラッド層と、の積層構造によるスラブ導波路が構成され、光強度分布制御層の屈折率は、スラブ導波路の実効屈折率より大きく、面内での膜厚分布が異なっている。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】信頼性特性と光学特性とを満足することができる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置１００は、基板上に形成された第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成され、リッジ部及び平坦部を有する第２の半導体層と、リッジ部の上に形成された第１電極と、リッジ部の側壁部から平坦部にかけて延在するように形成された誘電体膜とを有する。さらに、フロント端面１００ａから当該フロント端面１００ａとリア端面１００ｂとの間の所定の位置までの領域を領域Ａとし、当該所定の位置からリア端面１００ｂまでの領域を領域Ｂとしたときに、領域Ａにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Aは、領域Ｂにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Bより厚く、少なくとも領域Ａにおいて第１電極はリッジ部に接している。 （もっと読む）

【課題】光損失の発生および消費電力の増加を同時に抑制した半導体光導波路素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、活性コア層と、前記活性コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有する能動部と、前記能動部に接続し、該能動部の活性コア層から出力する光のスポットサイズを拡大するようにテーパー状に形成したコア層と、前記コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有するスポットサイズ変換部と、を備え、前記コア層の上部のクラッド領域の厚さが、前記活性コア層の上部のクラッド領域の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、２次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、該活性層の近傍に設けられた２次元的に周期的な屈折率分布を有する２次元フォトニック結晶と、を備えた２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記２次元フォトニック結晶は、面内の２つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記２つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされている。 （もっと読む）

【課題】発光素子部と変調器部におけるコア層の幅が均一となる光半導体集積装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上の一方の領域に形成された第１のコア層及び第１のクラッド層が積層された発光素子部と、前記半導体基板上の他方の領域に形成された第２のコア層及び第２のクラッド層が積層された変調器部と、を有し、前記発光素子部における前記第１のコア層と、前記変調器部における前記第２のコア層とは、前記半導体基板上において接合されているものであって、前記第２のクラッド層内、または、前記第２のクラッド層に接して制御層が形成されており、前記第２のコア層は、前記第１のコア層よりも、ドライエッチングにおけるエッチング速度が速い材料により形成されており、前記第２のコア層は、前記第１のクラッド層及び前記第２のクラッド層よりも、ドライエッチングにおけるエッチング速度が速い材料により形成されていることを特徴とする光半導体集積装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成されたｐ側電極１１０と、発振波長を透過可能な材料から構成されｐ側電極１１０の光出射口１１０Ａ内に形成された第１の絶縁膜１１２と、発振波長を透過可能な誘電体から構成され、第１の絶縁膜１１２の一部を被覆する第２の絶縁膜１１８とを有する。第２の絶縁膜１１８の膜厚は、第２の絶縁膜１１８からの光と第１の絶縁膜１１２からの光の位相差が抑制されるように調整され、かつ第２の絶縁膜１１８が被覆されている部分の反射率が第２の絶縁膜１１８が被覆されていない部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】モードフィールドが大きく異なる異種光導波路を接続する際に、従来のテーパ構造の光導波路と比べて効率的な光の接合を可能とする光導波路を提供することにある。
【解決手段】構造の異なる２つの導波路４１，４２が所定の長さＬ_taperを有する不連続テーパ構造接合部本体５０を介して接し、一方の導波路４１を導波する光の横方向の広がりが、他方の導波路４２を導波する光の横方向の広がりよりも広い光導波路において、不連続テーパ構造接合部本体５０の幅が前記一方の導波路４１と接する一方の端部５１から他方の導波路４２と接する他方の端部５２に向けて徐々に狭くなり、不連続テーパ構造接合部本体５０における一方の端部５１の幅Ｗ_taperを一方の導波路４１の幅Ｗ_ridgeよりも広くした。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードと変調器の接続部での放射損失を低減することができる半導体光集積素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、レーザダイオード１２及び変調器１４が集積されている。レーザダイオード１２は、コア層４６，７０の両サイドが半導体５４，５６，５８で埋め込まれた埋込型導波路を採用している。変調器１４は、コア層７０の両サイドが半導体５４，５６，５８で埋め込まれないハイメサリッジ導波路を採用している。レーザダイオード１２及び変調器１４におけるコア層４６，７０はそれぞれストライプ状である。 （もっと読む）

【課題】マルチストライプ型の半導体レーザ素子において回折限界にまで集光可能な集光特性を得られるようにする。
【解決手段】第２の導波路１１２及び第３の導波路１１３は、共振器を構成する第１の導波路１１１のそれぞれの側方に該第１の導波路と間隔をおいて平行に形成される。第２の導波路及び第３の導波路の各両端面は、半導体積層体のへき開端面よりもそれぞれ内側に形成されている。第１の導波路と第２の導波路と第３の導波路とは、その伝播モードが光学的に結合し、伝播モードには、第１の導波路、第２の導波路及び第３の導波路のうち、互いに隣接する導波路同士の間の電界の位相が等しい第１のモードと、電界の位相が１８０°異なる第２のモードとが存在する。第１のモードにおける実効屈折率をｎ１とし、第２のモードにおける実効屈折率をｎ２とし、第２の導波路及び第３の導波路の長さをＬとし、発振中心波長をλとすると、Ｌ＝ｍ・λ／（ｎ１−ｎ２）（但し、ｍは１以上の整数である。）を満たす。 （もっと読む）

【課題】活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】活性層７と、前記活性層７を挟んで配置される出射側ＤＢＲ５及び非出射側ＤＢＲ９と、前記出射側ＤＢＲ５側に設けられ、開口部１５ａを有する出射側電極１５と、前記非出射側ＤＢＲ９側に設けられた非出射側電極１３と、を備えた面発光型半導体レーザ素子１であって、前記非出射側ＤＢＲ９の膜厚方向における抵抗が、前記出射側ＤＢＲ５の膜厚方向における抵抗よりも高いことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子１。 （もっと読む）