【課題】外付け部品点数を増加させずに、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路における重畳周波数及びその高調波成分の不要輻射を低減させること。
【解決手段】重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路（４）と、重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器（３）と、このバイアス信号及び発振信号に基づき重畳出力信号を出力する出力回路（１）とを備える重畳回路において、出力回路は、出力回路の電源に接続される第１のキャパシタ（５）、第２のキャパシタ（６）、第３のキャパシタ（７ａ、７ｂ）、第１のローパスフィルタ（８）、及び第２のローパスフィルタ（９）の少なくともいずれかを備えることで、電源電流の変化を抑制し、不要輻射を低減させる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と、自励発振半導体レーザ１の発振期間においては、所定の周期で変動する負のバイアス電圧を自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部に印加して、発振光の発振周波数を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置１１０を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用いて記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１のゲイン部３に注入するゲイン電流を制御する制御部３８または、過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】発光電圧の異常により半導体レーザ素子が破壊されることを防止する。
【解決手段】
光ディスク装置の半導体レーザ素子破壊防止回路が、半導体レーザ素子の発光を指示する旨の発光指示信号を出力する発光指示回路部と、半導体レーザ素子を発光させるために半導体レーザ素子用電源から光出力制御回路部に供給される発光電圧を監視し、発光電圧に異常がないと判断するとき、半導体レーザ素子の発光を許可する旨の発光許可信号を出力する電圧監視回路部と、発光指示信号及び発光許可信号が入力されるときのみ、光出力制御回路部に半導体レーザ素子を発光させる発光許可回路部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードの劣化を好適に抑制する。
【解決手段】レーザダイオード駆動装置（１、２）は、レーザダイオード（ＬＤ）、及びレーザダイオードの発光出力を検出する発光出力検出手段（ＭＤ）を有する光源部（２０）と、光源部に電気的に接続され、発光出力検出手段の出力に応じて、レーザダイオードの発光出力を制御する出力制御回路（１１）の少なくとも一部を有する制御部（１０）と、を備える。光源部は、更に、出力制御回路に電力を供給する第１電力供給路の一部（Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３）と、一端が第１電力供給路の一部に電気的に接続されると共に、他端が発光出力検出手段に電気的に接続され、発光出力検出手段に電力を供給する第２電力供給路（Ｌ２）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、レーザ光の光パルス及びレーザ光の変調の同期が容易に得られる記録装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１及び外部共振器を含むモードロックレーザ部２１０と、このモードロックレーザ部２１０から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段２と、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号に同期した信号を半導体レーザ１のゲイン部１１６に供給する、基準信号生成部１５と、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成する記録信号生成部１６と、記録信号に基づいて、光変調手段２を駆動する駆動パルスを生成する駆動回路１７とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置２００を構成する。 （もっと読む）

【課題】光出力制御回路の精度を向上し、さらにフォトダイオードに対する要求スペックを緩和して選定範囲を広げる。
【解決手段】レーザーダイオード１０の発光を受光して照度に比例した電流Ｉ１を発生するフォトダイオード２０と、電流Ｉ１の電流値に応じた電圧値である電圧Ｖ１を出力する電流電圧変換部３０と、レーザーダイオード１０の発光を制御する制御部６０と、電圧Ｖ１を補正して補正電圧Ｖ２を出力する補正部５０と、補正電圧Ｖ２を検知する検知部４０と、を備え、補正部５０は、フォトダイオード２０の順方向電圧特性と検知部４０の検知した補正電圧Ｖ２とに基づいてフォトダイオード２０の順方向電圧の変動に起因して電流Ｉ１に発生するオフセットに相当する電圧値を電圧Ｖ１に加算し、制御部６０は、補正電圧Ｖ２が一定になるようにレーザーダイオード１０の発光を制御する。 （もっと読む）

【課題】小型で低消費電力の光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬである発光素子と、該発光素子に電流を供給する駆動回路と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記電流は、上記信号によって、発光素子の温度特性に対応するように調整される。また、上記ＶＣＳＥＬは、温度に対して閾値電流が単調増加するように共振器長が設定されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光検出回路において、動作停止モードと動作モードの切り替え時に発生する尖頭出力を抑制することで後段に接続される回路の破壊や誤動作を防止する。
【解決手段】レーザ光検出回路３は、レーザ光の強度に応じた信号を増幅して出力する差動増幅器３０、差動増幅器３０の出力がベースに印加された駆動トランジスタＴＲ５、駆動トランジスタＴＲ５のエミッタに接続された第２の定電流源３２、駆動トランジスタＴＲ５のエミッタがベースに接続された出力トランジスタＴＲ７、駆動トランジスタＴＲ５のエミッタと接地の間に接続されたバイパストランジスタＴＲ９、及び制御回路を備える。制御回路は、動作停止モードから動作モードに遷移する時に、バイパストランジスタＴＲ９をオンすることにより第２の定電流源３２からバイパストランジスタＴＲ９を経由して接地に至るバイパス電流経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体レーザの出射光強度を増大させることができる。
【解決手段】本発明は、半導体レーザ５１からレーザ光である情報光ビームＬＭを出射し、情報光ビームＬＭを集光して光情報記録媒体としての光ディスク１００に照射する。このとき光ディスク装置１０は、半導体レーザ５１に緩和振動を生じさせる振動電流値αでなりパルス状のレーザ駆動電流波ＤＪｗを半導体レーザ５１に対して供給する。 （もっと読む）

【課題】発熱、劣化といった問題を生じさせることなく、生成される光パルスの短パルス化や高ピーク出力化を達成し得る自励発振型半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層及び第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体；第２化合物半導体層上に形成された第２電極；第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極を備え、第２電極は、発光領域を経由して第１電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第１部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分に、分離溝によって分離されている自励発振型半導体レーザ素子の駆動方法にあっては、光出力−電流特性においてキンクが発生する電流値以上の電流を第２電極の第１部分に流す。 （もっと読む）

【課題】 赤色半導体レーザにおいて出力向上，特性の安定化を図る。
【解決手段】 共振器の少なくとも一端にコーティング膜が設けられ、前記コーティング膜は、前記共振器端面に形成される第１層と、該第１層上に形成される第２層とを有する半導体レーザ素子の製造方法において、前記第１層の光学厚さｄ１と前記第２層の光学厚さｄ２の和がレーザ光の波長の０．４５倍から０．５５倍の厚さであり、前記第１層と前記第２層の光学膜厚比ｄ１／ｄ２は、０．５４≦ｄ１／ｄ２≦０．９５、または１．０５≦ｄ１／ｄ２≦１．８６の関係となる設計値で、前記第１層と前記第２層とを成膜する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードの状態を検出する。
【解決手段】ＣＤ用レーザダイオード１０−１及びＤＶＤ用レーザダイオード１０−２は、それぞれ制御用トランジスタＱ１，Ｑ２で駆動制御される。制御用ＩＣ１２は、所望の光量となるようにトランジスタＱ１，Ｑ２の制御電圧を設定する。制御用ＩＣ１２は、異なる２つのパワーにおける制御電圧の初期状態からの経時変化に基づいて、レーザダイオード１０−１、１０−２の劣化／故障を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化により高周波特性が向上していく反面、耐圧低下の傾向があり、短波長レーザのような動作電圧の高いレーザダイオード駆動装置に微細化された半導体素子を使用する場合、耐圧に問題が生ずるという課題があった。
【解決手段】レーザダイオード駆動装置は、レーザダイオードに流す電流を調整することができる可変電流源（１）と、可変電流源の出力電流を増幅することができる電流駆動回路（２）と、レーザダイオード（５）の動作状態を検知する動作検知手段（６，７，８）と、レーザダイオード（５）を発光動作させない時に、電流駆動回路（２）の耐圧を確保できるように動作する保護回路（３）と、電流駆動回路（２）および保護回路（３）の耐圧を確保できる電圧を生成し、保護回路（３）に伝達する保護電圧生成回路（４）とを有して構成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード駆動時の消費電力を抑え、電源回路の出力電圧を高速に立ち上げるレーザダイオード駆動装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオード駆動装置は、レーザダイオードＬＤのカソードに接続され、ＬＤを流れる電流を制御する駆動電流制御回路１０と、ＬＤのアノードに接続され、ＬＤに印加する可変な出力電圧を発生する電源回路２０とを備える。電源回路２０は、ＬＤの想定される駆動電圧以上の最大駆動電圧と所定の第１参照電圧Ｖｒ１との和に等しい出力電圧の初期値Ｖｏ＿ｉｎｉｔを発生し、このときのＬＤのカソード電圧を取得し、取得されたカソード電圧と第１参照電圧Ｖｒ１との差を縮小するように電圧Ｖｏ＿ｉｎｉｔから減少させた電圧を発生する。第１参照電圧Ｖｒ１は、駆動電流制御回路１０によりＬＤに所定電流を流すために必要な最小のカソード電圧である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、歩留まりの優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供するとともに、信頼性が高く、小型・軽量の光ピックアップ及び光学装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００では、上面１ａを有するサブマウント１と、上面１ａ上に接合層３を介して接合された青紫色半導体レーザ素子１０と、上面１ａ上に青紫色半導体レーザ素子１０に隣接して接合層５を介して接合された赤色半導体レーザ素子２０とを備え、接合層５の融点は、接合層３の融点より低く、上面１ａからの赤色半導体レーザ素子２０の高さは、上面１ａからの青紫色半導体レーザ素子１０の高さより大きい。 （もっと読む）

【課題】
Ｉｍ値の変化量が少なく、レーザ光の出力を精度よく調整することができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の半導体レーザ装置は、基板の裏面に設けられた第１電極と、基板の表面に設けられた半導体層と、半導体層の表面に設けられた第２電極とを有する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出力される光を受光する受光素子とを有する半導体レーザ装置において、前記第１電極は、前記基板の裏面に部分的に露出領域を備えるように設けられ、前記受光素子は、受光面が該露出領域と対向するように配置され、前記露出領域は、導波路直下以外の領域に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）