重畳回路
【課題】外付け部品点数を増加させずに、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路における重畳周波数及びその高調波成分の不要輻射を低減させること。
【解決手段】重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路（４）と、重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器（３）と、このバイアス信号及び発振信号に基づき重畳出力信号を出力する出力回路（１）とを備える重畳回路において、出力回路は、出力回路の電源に接続される第１のキャパシタ（５）、第２のキャパシタ（６）、第３のキャパシタ（７ａ、７ｂ）、第１のローパスフィルタ（８）、及び第２のローパスフィルタ（９）の少なくともいずれかを備えることで、電源電流の変化を抑制し、不要輻射を低減させる。
【解決手段】重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路（４）と、重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器（３）と、このバイアス信号及び発振信号に基づき重畳出力信号を出力する出力回路（１）とを備える重畳回路において、出力回路は、出力回路の電源に接続される第１のキャパシタ（５）、第２のキャパシタ（６）、第３のキャパシタ（７ａ、７ｂ）、第１のローパスフィルタ（８）、及び第２のローパスフィルタ（９）の少なくともいずれかを備えることで、電源電流の変化を抑制し、不要輻射を低減させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクドライブ等に用いられるレーザーダイオードを制御する高周波重畳回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクドライブ等に用いられるレーザーダイオードが出力するレーザーには、シングルモードとマルチモードがある。しかし、シングルモードでは、マルチモードに比べてモードホッピング雑音や、戻り光雑音が大きいという欠点があるため、マルチモードで動作させることが望ましい。
レーザーダイオードは、レーザーの出力直後はマルチモードで動作しており、その後、数ｎｓｅｃ（ナノ秒）といった時間でシングルモードへと移行する。そこで、レーザーダイオードをマルチモードで動作させ続けるために、数百ＭＨｚという周波数でレーザーダイオード出力のオン、オフを繰り返させるということを行っており、そのために高周波重畳回路（以下、単に「重畳回路」ともいう）による制御が必要となる。
【０００３】
図８は、従来の重畳回路の構成図である。図８に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とによって構成されている。出力回路１からの出力信号は、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１０を介して、レーザーダイオードに印加される。
また、重畳による出力変動によってレーザーダイオードの発光閾値を越えるように、重畳振幅設定バイアス回路４によって重畳振幅が設定される。また、マルチモードが維持されるように、発振器３によって重畳周波数が設定される。
【０００４】
この重畳回路では、まず、重畳振幅設定バイアス回路４から出力される電流が、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタＱ１ａ、Ｑ１ｂに流れる。そして、この電流を増幅した電流が、ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂに流れることになる。これにより、重畳振幅が設定される。
また、発振器３で生成される発振信号は、ロジック回路２を介して出力され、重畳回路の出力段であるＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂのオン、オフを制御する。具体的には、ロジック回路２から出力される発振信号により、スイッチＳＷ２ａがオンであり、スイッチＳＷ３ａがオフであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオンとなる。同時に、スイッチＳＷ２ｂがオフであり、スイッチＳＷ３ｂがオンであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオフとなる。
【０００５】
また、ロジック回路２から出力される発振信号により、スイッチＳＷ２ａがオフであり、スイッチＳＷ３ａがオンであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオフとなる。同時に、スイッチＳＷ２ｂがオンであり、スイッチＳＷ３ｂがオフであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオンとなる。
尚、電流のミラー元になる側にあるスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂは、ロジック回路２で制御しているのではなく、常にオンしている。これらスイッチが挟まれている理由はミラー精度を保つためである。各スイッチがオン抵抗のない理想回路であればスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂはなくても良いことになる。
【０００６】
このように、ＭＯＳトランジスタＱ２ａとＱ２ｂは、常にどちらか一方のみがオンとなるように制御され、それが交互に切り替わり、出力回路１の出力端への電流の放出と吸入を繰り返すことで、図８の重畳回路は高周波の重畳信号を出力する。
ここで、ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂでの貫通電流の発生を防ぐため、これらが同時にオンとなることがないようにロジック回路２で切り替えのタイミングが制御されている。
【０００７】
しかし、重畳周波数は数百ＭＨｚ以上であり、そのような高周波は不要輻射を発生させやすい。また、基本波のｎ倍（ｎ≧２の整数）の高調波も発生する。このため、不要輻射を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３４６８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１のような手法により不要輻射を抑制することは可能であるが、不要輻射の影響を十分に抑えるためには、外付けのフィルタやバイパスコンデンサ等が必要となる。一方で、コスト削減のためには、外付けの部品点数の削減が求められる。よって、不要輻射を低減するために、フィルタ等を外付けとするのではなく、より効果的な箇所にフィルタやバイパスコンデンサを設けることにより、不要輻射に対する対策を施すことが求められている。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、外付け部品点数を増加させずに、不要輻射を低減することを可能とする重畳回路の提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記問題を解決するために、本発明の一態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記出力回路は、前記出力回路の電源に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１１】
この構成によれば、電源電流の変化を抑制することで、不要輻射の発生を抑えることが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記出力回路は、出力トランジスタと、前記出力トランジスタを駆動するための駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを制御する制御回路と、を有し、さらに、前記出力トランジスタを駆動する前記駆動トランジスタからの信号ライン、前記駆動トランジスタを流れる電流の電流ライン、前記駆動トランジスタを制御する前記制御回路からの制御ライン、の少なくとも１つに接続されるキャパシタをさらに有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１２】
この構成によれば、重畳電流の急峻な変化を抑えることで、不要輻射を低減することが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、前記キャパシタは、前記電流ラインと前記制御ラインとの間に接続されていてもよい。
この構成によれば、重畳電流の急峻な変化を抑えることで、不要輻射を低減することが可能である。
【００１３】
また、本発明の他の態様によれば、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路は、前記制御回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有していてもよい。
この構成によれば、デジタル信号の遷移により発生する急峻な電流変化は不要輻射の原因となりうるが、ローパスフィルタにより電源雑音の抑制、及び出力回路への伝播を防ぐことで、不要輻射を低減させることが可能である。
【００１４】
また、本発明の他の態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記発振器は、２値化回路を含み、前記２値化回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１５】
この構成によれば、不要輻射を大幅に低減させることが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記出力回路は、前記出力回路の出力端子に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１６】
この構成によれば、重畳回路の出力端の揺れを抑えるとともに、重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバでＤＣ電流出力回路が出力する大電流のＤＣ電流の重畳周波数及びその高調波での変動を防ぐことで、不要輻射を低減することが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路は、前記出力回路の後段にハイパスフィルタをさらに備え、前記キャパシタは、前記出力回路の出力端子と前記ハイパスフィルタとの接続点に接続されていてもよい。
この構成によれば、重畳回路の出力端の揺れを抑えるとともに、重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバでＤＣ電流出力回路が出力する大電流のＤＣ電流の重畳周波数及びその高調波での変動を防ぐことで、不要輻射を低減することが可能である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様によれば、重畳回路において不要輻射の原因となりうる箇所に、キャパシタやフィルタを設ける対策を施すことで、外付け部品点数を増加させることなく、電流の急峻な変化を抑制し、不要輻射を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る高周波重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバの構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図８】従来の高周波重畳回路の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下の説明において参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によって示す。
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図１に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを基本構成とする。これらの構成及び動作は、図８に示される重畳回路の構成及び動作と同様である。本実施形態の重畳回路においては、これらの基本構成に加えて、出力回路１が、出力回路の電源とグランドとの間に接続されるキャパシタ５を備えている点が特徴である。
【００２０】
出力回路１は、ロジック回路２と、４つのｐ型ＭＯＳトランジスタＱ１ａ、Ｑ２ａ、Ｑ３ａ、Ｑ４ａと、４つのｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１ｂ、Ｑ２ｂ、Ｑ３ｂ、Ｑ４ｂと、スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ、ＳＷ３ａ、ＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂ、ＳＷ３ｂと、定電流源１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂと、キャパシタ５と、を含んで構成される。
ロジック回路２は、スイッチＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂ、ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂのオン、オフを制御する回路である。
【００２１】
スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａは、それぞれ、トランジスタＱ３ａ、Ｑ４ａのドレインと、グランドとの間の接続を切り替えるスイッチである。また、スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂは、それぞれ、電源ＬＶＤＤと、トランジスタＱ３ｂ、Ｑ４ｂのドレインとの間の接続を切り替えるスイッチである。
重畳振幅設定バイアス回路４の二つの出力端子は、トランジスタＱ１ａ（又はＱ１ｂ）のドレイン、トランジスタＱ３ａ（又はＱ３ｂ）のゲート、及びＱ４ａ（又はＱ４ｂ）のゲートにそれぞれ接続されている。
【００２２】
ロジック回路２は、常にオンとなるスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂを除いた各スイッチを制御する回路である。本実施形態において、ロジック回路２は、スイッチＳＷ２ａがオンの時にはスイッチＳＷ３ａがオフとなり、これと同時に、スイッチＳＷ２ｂはオフ、スイッチＳＷ３ｂはオン、となるように制御する。
この時、電源ＬＶＤＤからの出力電流は、トランジスタＱ１ａ及びＱ２ａのソース、定電流源１３ａ及び１４ａに流れる。また、定電流源１３ａからの電流は、トランジスタＱ３ａのソースに流れ、そのトランジスタＱ３ａのソース電圧がトランジスタＱ１ａのゲートに印加される。同様に、定電流源１４ａからの電流は、トランジスタＱ４ａのソースに流れ、そのトランジスタＱ４ａのソース電圧がトランジスタＱ２ａのゲートに印加される。スイッチＳＷ２ａがオンとなるタイミングでは、重畳振幅設定バイアス回路４によって決まるトランジスタＱ４ａのソース電圧がトランジスタＱ２ａのゲートに印加され、その印加電圧に応じた電流が流れるようにトランジスタＱ２ａはＯＮとなる。なお、この時、スイッチＳＷ３ｂがオンとなっているため、トランジスタＱ２ｂはＯＦＦとなる。
【００２３】
また、別のタイミングにおいて、ロジック回路２は、スイッチＳＷ２ａがオフの時にはスイッチＳＷ３ａがオンとなり、同時に、スイッチＳＷ２ｂがオンの時にはスイッチＳＷ３ｂがオフとなるように制御する。
この時、電源ＬＶＤＤからの出力電流は、トランジスタＱ３ｂのドレイン及びトランジスタＱ４ｂのドレインに流れ、トランジスタＱ４ｂのソース電圧がトランジスタＱ２ｂのゲートに印加され、その印加電圧に応じた電流が流れるようにトランジスタＱ２ｂがＯＮとなる。なお、この時、スイッチＳＷ３ａがオンとなっているため、トランジスタＱ２ａはＯＦＦとなる。
【００２４】
このように、ＭＯＳトランジスタＱ２ａとＱ２ｂは、常にどちらか一方のみがオンとなり、かつ、重畳振幅設定バイアス回路４により制御された値の電流が流れるように制御され、それが交互に切り替わり、出力回路１の出力端への電流の放出と吸入を繰り返すことで、図１の重畳回路は高周波の重畳信号を出力する。
また、キャパシタ５は、その一方の端子が、他の素子を介さずに直接電源ＬＶＤＤに接続され、他方の端子がグランドに他の素子を介さずに直接接続されている。
【００２５】
ここで、出力回路１は比較的大きな電流を出力し、また、重畳周波数によりその出力量も変化する。そのため、出力回路１の電源は重畳周波数及びその高調波で揺れやすく、不要輻射の原因になりうる。そこで、本実施形態の重畳回路は、キャパシタ５を備えることで電源の揺れを低減し、不要輻射の発生を抑えることが可能である。
すなわち、キャパシタ５は、上記のように電源ＬＶＤＤとグランドとの間に直接接続されている。つまり、キャパシタ５は、出力回路１の他の回路全体と並列関係にあるため、出力回路１の電源が重畳周波数及びその高調波で揺れたとして、その電圧の揺れが直接キャパシタ５に印加される。
【００２６】
よって、キャパシタ５の容量を、シミュレーション等で予め求めることができる不要輻射の大きさに応じて適切な大きさに設定することで、不要輻射自体が出力回路１の出力に与える影響を小さくすることができる。なお、キャパシタ５の容量は、一般的な光ディスクドライブのレーザーダイオード制御用の高調波重畳回路であれば、４０ｐＦ程度となる。
【００２７】
（第２実施形態）
図２は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図２に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に加えて、出力回路１の出力端とグランドとの間に接続されたキャパシタ６を備える点が特徴である。
キャパシタ６は、より具体的には、その一方の端子が、他の素子を介さずに直接トランジスタＱ２ａのドレイン及びＱ２ｂのドレインに接続され、他方の端子がグランドに他の素子を介さずに直接接続されている。
また、図３は、本実施形態に係る重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバの構成の一例を示す図である。図３に示されるレーザーダイオードドライバは、本実施形態の重畳回路１１と、ＤＣ電流出力回路１２と、レーザーダイオード１３とを含んで構成される。
【００２８】
図３に示されるように、本実施形態の重畳回路１１の出力端は、ＤＣ電流出力回路１２の出力端と同じノードに繋がっていることで、高周波を重畳している。
ここで、ＤＣ電流出力回路１２の出力段は、通常１００ｍＡ以上を出力可能な大きなＭＯＳトランジスタで構成される。よって、チャネル長変調効果も大きく、重畳回路１１の出力端と、ＤＣ電流出力回路１２の出力端とが接続されているノードが揺れることで、大電流であるＤＣ電流が変動してしまう。
【００２９】
そこで、本実施形態の重畳回路では、キャパシタ６を設けることで、重畳出力端の揺れを抑えるとともに、大電流であるＤＣ電流の重畳周波数及びその高調波での変動を防ぐことで、不要輻射を低減することができる。
すなわち、キャパシタ６は、上記のように出力回路１の出力端とグランドとの間に直接接続されている。つまり、出力回路１の電源が重畳周波数及びその高調波で揺れる際に、その電圧の揺れが出力回路１の出力端においてキャパシタ６に印加される。
【００３０】
よって、キャパシタ６の容量を、シミュレーション等で予め求めることができる不要輻射の大きさに応じて適切な大きさに設定することで、不要輻射自体が出力回路１の出力に与える影響を小さくすることができる。なお、キャパシタ６の容量は、一般的な光ディスクドライブのレーザーダイオード制御用の高調波重畳回路であれば、１０ｐＦ程度となる。
なお、図２の重畳回路においてキャパシタ６は、ＨＰＦ１０の前と後ろのいずれにも設けることができるが、ＨＰＦ１０の前に置くことで、ノイズの根元である重畳出力段での揺れも抑えることができるため、より好適である。
【００３１】
（第３実施形態）
図４は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図４に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に加えて、キャパシタ７ａ及び７ｂを備える点が特徴である。
キャパシタ７ａ及び７ｂは、出力回路１の出力のオン、オフを制御する信号線と、出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂをそれぞれ駆動するＭＯＳトランジスタＱ４ａ、Ｑ４ｂのドレインとの間に接続されている。より具体的には、キャパシタ７ａは、その一方の端子が、トランジスタＱ４ａのドレインとスイッチＳＷ２ａとの間に接続され、他方の端子がロジック回路２からスイッチＳＷ３ａへの制御線に接続されている。また、キャパシタ７ｂは、その一方の端子が、トランジスタＱ４ｂのドレインとスイッチＳＷ２ｂとの間に接続され、他方の端子がロジック回路２からスイッチＳＷ３ｂへの制御線に接続されている。
【００３２】
電流源１４ａ、１４ｂからの電流が流れるラインは、それぞれ、出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂを駆動させるラインである。このラインと、ロジック回路２の出力である出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂのオン、オフを制御する信号線とに負荷を与えることで、重畳出力の遷移を鈍らせる。これにより、重畳電流の急峻な変化を抑え、重畳周波数の高調波の不要輻射を低減することが可能となる。
【００３３】
キャパシタ７ａ、７ｂの容量を、シミュレーション等で予め求めることができる不要輻射の大きさに応じて適切な大きさに設定することで、不要輻射自体が出力回路１の出力に与える影響を小さくすることができる。なお、キャパシタ７ａ、７ｂの容量は、一般的な光ディスクドライブのレーザーダイオード制御用の高調波重畳回路であれば、１００ｆＦ程度となる。
【００３４】
なお、負荷の与え方としては、出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂのゲート、ロジック回路２の出力ノード、ＭＯＳトランジスタＱ４ａ、Ｑ４ｂのドレインに対して、グランドとの間にキャパシタを接続するという方法でもよい。また、図４のキャパシタ７ａ、７ｂのように接続すると、１つのキャパシタにより２つのノードに負荷を与えることができるので、より好適である。
【００３５】
（第４実施形態）
図５は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図５に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に加えて、電源ＬＶＤＤとロジック回路２との間に他の素子を介さずに接続されるローパスフィルタ（ＬＰＦ）８を備える点が特徴である。
ロジック回路２では信号をデジタル化しているため、その電流変化は急峻であると考えられる。ＬＰＦ８を設けることにより、信号の遷移によって発生する電源雑音の抑制、及び重畳回路への伝播を防ぐことで、不要輻射を低減することができる。
【００３６】
（第５実施形態）
図６は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図６に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）９を備える点が特徴である。また、本実施形態において、発振器３は、発振回路３ａと、二値化回路３ｂとを備えている。
ＬＰＦ９は、二値化回路３ｂの電源ＡＶＤＤと、二値化回路３ｂとの間に、他の素子を介さずに接続されている。
発振器３では、発振回路３ａは、例えばＶＣＯやリングオシレータであり、ここで生成されたアナログ信号を二値化回路３ｂでデジタル化する。ここで、デジタル信号の遷移は急峻な電流変化を起こし、不要輻射の原因になると考えられるが、ＬＰＦ９により、信号の遷移によって発生する電源雑音の抑制、及び重畳回路への伝播を防ぐことで、不要輻射を低減することができる。
【００３７】
（第６実施形態）
図７は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図７に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に、第１実施形態〜第５実施形態において説明した構成を全て加えたものである。つまり、基本構成に加えて、キャパシタ５、キャパシタ６、キャパシタ７ａ、７ｂ、ＬＰＦ８、ＬＰＦ９を備える。また、発振器３は、発振回路３ａと二値化回路３ｂとを備える。
【００３８】
図７に示されるように、重畳回路は、第１実施形態〜第５実施形態において説明した構成を全て同時に備えることが可能である。これにより、不要輻射を大幅に低減させることが可能である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、すべての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【符号の説明】
【００３９】
１ 出力回路
２ ロジック回路
３ 発振器
３ａ 発振回路
３ｂ 二値化回路
４ 重畳振幅設定バイアス回路
５ キャパシタ
６ キャパシタ
７ａ、７ｂ キャパシタ
８ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
９ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
１０ ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１１ 重畳回路
１２ 電流出力回路
１３ レーザーダイオード
１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ 定電流源
ＡＶＤＤ、ＬＶＤＤ 電源
Ｑ１ａ、Ｑ２ａ、Ｑ３ａ、Ｑ４ａ ｐ型ＭＯＳトランジスタ
Ｑ１ｂ、Ｑ２ｂ、Ｑ３ｂ、Ｑ４ｂ ｎ型ＭＯＳトランジスタ
ＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂ、ＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂ、ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂ スイッチ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクドライブ等に用いられるレーザーダイオードを制御する高周波重畳回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクドライブ等に用いられるレーザーダイオードが出力するレーザーには、シングルモードとマルチモードがある。しかし、シングルモードでは、マルチモードに比べてモードホッピング雑音や、戻り光雑音が大きいという欠点があるため、マルチモードで動作させることが望ましい。
レーザーダイオードは、レーザーの出力直後はマルチモードで動作しており、その後、数ｎｓｅｃ（ナノ秒）といった時間でシングルモードへと移行する。そこで、レーザーダイオードをマルチモードで動作させ続けるために、数百ＭＨｚという周波数でレーザーダイオード出力のオン、オフを繰り返させるということを行っており、そのために高周波重畳回路（以下、単に「重畳回路」ともいう）による制御が必要となる。
【０００３】
図８は、従来の重畳回路の構成図である。図８に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とによって構成されている。出力回路１からの出力信号は、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１０を介して、レーザーダイオードに印加される。
また、重畳による出力変動によってレーザーダイオードの発光閾値を越えるように、重畳振幅設定バイアス回路４によって重畳振幅が設定される。また、マルチモードが維持されるように、発振器３によって重畳周波数が設定される。
【０００４】
この重畳回路では、まず、重畳振幅設定バイアス回路４から出力される電流が、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタＱ１ａ、Ｑ１ｂに流れる。そして、この電流を増幅した電流が、ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂに流れることになる。これにより、重畳振幅が設定される。
また、発振器３で生成される発振信号は、ロジック回路２を介して出力され、重畳回路の出力段であるＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂのオン、オフを制御する。具体的には、ロジック回路２から出力される発振信号により、スイッチＳＷ２ａがオンであり、スイッチＳＷ３ａがオフであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオンとなる。同時に、スイッチＳＷ２ｂがオフであり、スイッチＳＷ３ｂがオンであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオフとなる。
【０００５】
また、ロジック回路２から出力される発振信号により、スイッチＳＷ２ａがオフであり、スイッチＳＷ３ａがオンであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオフとなる。同時に、スイッチＳＷ２ｂがオンであり、スイッチＳＷ３ｂがオフであるとき、ＭＯＳトランジスタＱ２ａはオンとなる。
尚、電流のミラー元になる側にあるスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂは、ロジック回路２で制御しているのではなく、常にオンしている。これらスイッチが挟まれている理由はミラー精度を保つためである。各スイッチがオン抵抗のない理想回路であればスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂはなくても良いことになる。
【０００６】
このように、ＭＯＳトランジスタＱ２ａとＱ２ｂは、常にどちらか一方のみがオンとなるように制御され、それが交互に切り替わり、出力回路１の出力端への電流の放出と吸入を繰り返すことで、図８の重畳回路は高周波の重畳信号を出力する。
ここで、ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂでの貫通電流の発生を防ぐため、これらが同時にオンとなることがないようにロジック回路２で切り替えのタイミングが制御されている。
【０００７】
しかし、重畳周波数は数百ＭＨｚ以上であり、そのような高周波は不要輻射を発生させやすい。また、基本波のｎ倍（ｎ≧２の整数）の高調波も発生する。このため、不要輻射を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３４６８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１のような手法により不要輻射を抑制することは可能であるが、不要輻射の影響を十分に抑えるためには、外付けのフィルタやバイパスコンデンサ等が必要となる。一方で、コスト削減のためには、外付けの部品点数の削減が求められる。よって、不要輻射を低減するために、フィルタ等を外付けとするのではなく、より効果的な箇所にフィルタやバイパスコンデンサを設けることにより、不要輻射に対する対策を施すことが求められている。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、外付け部品点数を増加させずに、不要輻射を低減することを可能とする重畳回路の提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記問題を解決するために、本発明の一態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記出力回路は、前記出力回路の電源に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１１】
この構成によれば、電源電流の変化を抑制することで、不要輻射の発生を抑えることが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記出力回路は、出力トランジスタと、前記出力トランジスタを駆動するための駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを制御する制御回路と、を有し、さらに、前記出力トランジスタを駆動する前記駆動トランジスタからの信号ライン、前記駆動トランジスタを流れる電流の電流ライン、前記駆動トランジスタを制御する前記制御回路からの制御ライン、の少なくとも１つに接続されるキャパシタをさらに有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１２】
この構成によれば、重畳電流の急峻な変化を抑えることで、不要輻射を低減することが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、前記キャパシタは、前記電流ラインと前記制御ラインとの間に接続されていてもよい。
この構成によれば、重畳電流の急峻な変化を抑えることで、不要輻射を低減することが可能である。
【００１３】
また、本発明の他の態様によれば、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路は、前記制御回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有していてもよい。
この構成によれば、デジタル信号の遷移により発生する急峻な電流変化は不要輻射の原因となりうるが、ローパスフィルタにより電源雑音の抑制、及び出力回路への伝播を防ぐことで、不要輻射を低減させることが可能である。
【００１４】
また、本発明の他の態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記発振器は、２値化回路を含み、前記２値化回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１５】
この構成によれば、不要輻射を大幅に低減させることが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記出力回路は、前記出力回路の出力端子に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路が提供される。
【００１６】
この構成によれば、重畳回路の出力端の揺れを抑えるとともに、重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバでＤＣ電流出力回路が出力する大電流のＤＣ電流の重畳周波数及びその高調波での変動を防ぐことで、不要輻射を低減することが可能である。
また、本発明の他の態様によれば、レーザーダイオード制御用の高周波重畳回路は、前記出力回路の後段にハイパスフィルタをさらに備え、前記キャパシタは、前記出力回路の出力端子と前記ハイパスフィルタとの接続点に接続されていてもよい。
この構成によれば、重畳回路の出力端の揺れを抑えるとともに、重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバでＤＣ電流出力回路が出力する大電流のＤＣ電流の重畳周波数及びその高調波での変動を防ぐことで、不要輻射を低減することが可能である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様によれば、重畳回路において不要輻射の原因となりうる箇所に、キャパシタやフィルタを設ける対策を施すことで、外付け部品点数を増加させることなく、電流の急峻な変化を抑制し、不要輻射を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る高周波重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバの構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係る高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【図８】従来の高周波重畳回路の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下の説明において参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によって示す。
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図１に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを基本構成とする。これらの構成及び動作は、図８に示される重畳回路の構成及び動作と同様である。本実施形態の重畳回路においては、これらの基本構成に加えて、出力回路１が、出力回路の電源とグランドとの間に接続されるキャパシタ５を備えている点が特徴である。
【００２０】
出力回路１は、ロジック回路２と、４つのｐ型ＭＯＳトランジスタＱ１ａ、Ｑ２ａ、Ｑ３ａ、Ｑ４ａと、４つのｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１ｂ、Ｑ２ｂ、Ｑ３ｂ、Ｑ４ｂと、スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ、ＳＷ３ａ、ＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂ、ＳＷ３ｂと、定電流源１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂと、キャパシタ５と、を含んで構成される。
ロジック回路２は、スイッチＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂ、ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂのオン、オフを制御する回路である。
【００２１】
スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａは、それぞれ、トランジスタＱ３ａ、Ｑ４ａのドレインと、グランドとの間の接続を切り替えるスイッチである。また、スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂは、それぞれ、電源ＬＶＤＤと、トランジスタＱ３ｂ、Ｑ４ｂのドレインとの間の接続を切り替えるスイッチである。
重畳振幅設定バイアス回路４の二つの出力端子は、トランジスタＱ１ａ（又はＱ１ｂ）のドレイン、トランジスタＱ３ａ（又はＱ３ｂ）のゲート、及びＱ４ａ（又はＱ４ｂ）のゲートにそれぞれ接続されている。
【００２２】
ロジック回路２は、常にオンとなるスイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂを除いた各スイッチを制御する回路である。本実施形態において、ロジック回路２は、スイッチＳＷ２ａがオンの時にはスイッチＳＷ３ａがオフとなり、これと同時に、スイッチＳＷ２ｂはオフ、スイッチＳＷ３ｂはオン、となるように制御する。
この時、電源ＬＶＤＤからの出力電流は、トランジスタＱ１ａ及びＱ２ａのソース、定電流源１３ａ及び１４ａに流れる。また、定電流源１３ａからの電流は、トランジスタＱ３ａのソースに流れ、そのトランジスタＱ３ａのソース電圧がトランジスタＱ１ａのゲートに印加される。同様に、定電流源１４ａからの電流は、トランジスタＱ４ａのソースに流れ、そのトランジスタＱ４ａのソース電圧がトランジスタＱ２ａのゲートに印加される。スイッチＳＷ２ａがオンとなるタイミングでは、重畳振幅設定バイアス回路４によって決まるトランジスタＱ４ａのソース電圧がトランジスタＱ２ａのゲートに印加され、その印加電圧に応じた電流が流れるようにトランジスタＱ２ａはＯＮとなる。なお、この時、スイッチＳＷ３ｂがオンとなっているため、トランジスタＱ２ｂはＯＦＦとなる。
【００２３】
また、別のタイミングにおいて、ロジック回路２は、スイッチＳＷ２ａがオフの時にはスイッチＳＷ３ａがオンとなり、同時に、スイッチＳＷ２ｂがオンの時にはスイッチＳＷ３ｂがオフとなるように制御する。
この時、電源ＬＶＤＤからの出力電流は、トランジスタＱ３ｂのドレイン及びトランジスタＱ４ｂのドレインに流れ、トランジスタＱ４ｂのソース電圧がトランジスタＱ２ｂのゲートに印加され、その印加電圧に応じた電流が流れるようにトランジスタＱ２ｂがＯＮとなる。なお、この時、スイッチＳＷ３ａがオンとなっているため、トランジスタＱ２ａはＯＦＦとなる。
【００２４】
このように、ＭＯＳトランジスタＱ２ａとＱ２ｂは、常にどちらか一方のみがオンとなり、かつ、重畳振幅設定バイアス回路４により制御された値の電流が流れるように制御され、それが交互に切り替わり、出力回路１の出力端への電流の放出と吸入を繰り返すことで、図１の重畳回路は高周波の重畳信号を出力する。
また、キャパシタ５は、その一方の端子が、他の素子を介さずに直接電源ＬＶＤＤに接続され、他方の端子がグランドに他の素子を介さずに直接接続されている。
【００２５】
ここで、出力回路１は比較的大きな電流を出力し、また、重畳周波数によりその出力量も変化する。そのため、出力回路１の電源は重畳周波数及びその高調波で揺れやすく、不要輻射の原因になりうる。そこで、本実施形態の重畳回路は、キャパシタ５を備えることで電源の揺れを低減し、不要輻射の発生を抑えることが可能である。
すなわち、キャパシタ５は、上記のように電源ＬＶＤＤとグランドとの間に直接接続されている。つまり、キャパシタ５は、出力回路１の他の回路全体と並列関係にあるため、出力回路１の電源が重畳周波数及びその高調波で揺れたとして、その電圧の揺れが直接キャパシタ５に印加される。
【００２６】
よって、キャパシタ５の容量を、シミュレーション等で予め求めることができる不要輻射の大きさに応じて適切な大きさに設定することで、不要輻射自体が出力回路１の出力に与える影響を小さくすることができる。なお、キャパシタ５の容量は、一般的な光ディスクドライブのレーザーダイオード制御用の高調波重畳回路であれば、４０ｐＦ程度となる。
【００２７】
（第２実施形態）
図２は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図２に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に加えて、出力回路１の出力端とグランドとの間に接続されたキャパシタ６を備える点が特徴である。
キャパシタ６は、より具体的には、その一方の端子が、他の素子を介さずに直接トランジスタＱ２ａのドレイン及びＱ２ｂのドレインに接続され、他方の端子がグランドに他の素子を介さずに直接接続されている。
また、図３は、本実施形態に係る重畳回路を用いたレーザーダイオードドライバの構成の一例を示す図である。図３に示されるレーザーダイオードドライバは、本実施形態の重畳回路１１と、ＤＣ電流出力回路１２と、レーザーダイオード１３とを含んで構成される。
【００２８】
図３に示されるように、本実施形態の重畳回路１１の出力端は、ＤＣ電流出力回路１２の出力端と同じノードに繋がっていることで、高周波を重畳している。
ここで、ＤＣ電流出力回路１２の出力段は、通常１００ｍＡ以上を出力可能な大きなＭＯＳトランジスタで構成される。よって、チャネル長変調効果も大きく、重畳回路１１の出力端と、ＤＣ電流出力回路１２の出力端とが接続されているノードが揺れることで、大電流であるＤＣ電流が変動してしまう。
【００２９】
そこで、本実施形態の重畳回路では、キャパシタ６を設けることで、重畳出力端の揺れを抑えるとともに、大電流であるＤＣ電流の重畳周波数及びその高調波での変動を防ぐことで、不要輻射を低減することができる。
すなわち、キャパシタ６は、上記のように出力回路１の出力端とグランドとの間に直接接続されている。つまり、出力回路１の電源が重畳周波数及びその高調波で揺れる際に、その電圧の揺れが出力回路１の出力端においてキャパシタ６に印加される。
【００３０】
よって、キャパシタ６の容量を、シミュレーション等で予め求めることができる不要輻射の大きさに応じて適切な大きさに設定することで、不要輻射自体が出力回路１の出力に与える影響を小さくすることができる。なお、キャパシタ６の容量は、一般的な光ディスクドライブのレーザーダイオード制御用の高調波重畳回路であれば、１０ｐＦ程度となる。
なお、図２の重畳回路においてキャパシタ６は、ＨＰＦ１０の前と後ろのいずれにも設けることができるが、ＨＰＦ１０の前に置くことで、ノイズの根元である重畳出力段での揺れも抑えることができるため、より好適である。
【００３１】
（第３実施形態）
図４は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図４に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に加えて、キャパシタ７ａ及び７ｂを備える点が特徴である。
キャパシタ７ａ及び７ｂは、出力回路１の出力のオン、オフを制御する信号線と、出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂをそれぞれ駆動するＭＯＳトランジスタＱ４ａ、Ｑ４ｂのドレインとの間に接続されている。より具体的には、キャパシタ７ａは、その一方の端子が、トランジスタＱ４ａのドレインとスイッチＳＷ２ａとの間に接続され、他方の端子がロジック回路２からスイッチＳＷ３ａへの制御線に接続されている。また、キャパシタ７ｂは、その一方の端子が、トランジスタＱ４ｂのドレインとスイッチＳＷ２ｂとの間に接続され、他方の端子がロジック回路２からスイッチＳＷ３ｂへの制御線に接続されている。
【００３２】
電流源１４ａ、１４ｂからの電流が流れるラインは、それぞれ、出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂを駆動させるラインである。このラインと、ロジック回路２の出力である出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂのオン、オフを制御する信号線とに負荷を与えることで、重畳出力の遷移を鈍らせる。これにより、重畳電流の急峻な変化を抑え、重畳周波数の高調波の不要輻射を低減することが可能となる。
【００３３】
キャパシタ７ａ、７ｂの容量を、シミュレーション等で予め求めることができる不要輻射の大きさに応じて適切な大きさに設定することで、不要輻射自体が出力回路１の出力に与える影響を小さくすることができる。なお、キャパシタ７ａ、７ｂの容量は、一般的な光ディスクドライブのレーザーダイオード制御用の高調波重畳回路であれば、１００ｆＦ程度となる。
【００３４】
なお、負荷の与え方としては、出力ＭＯＳトランジスタＱ２ａ、Ｑ２ｂのゲート、ロジック回路２の出力ノード、ＭＯＳトランジスタＱ４ａ、Ｑ４ｂのドレインに対して、グランドとの間にキャパシタを接続するという方法でもよい。また、図４のキャパシタ７ａ、７ｂのように接続すると、１つのキャパシタにより２つのノードに負荷を与えることができるので、より好適である。
【００３５】
（第４実施形態）
図５は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図５に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に加えて、電源ＬＶＤＤとロジック回路２との間に他の素子を介さずに接続されるローパスフィルタ（ＬＰＦ）８を備える点が特徴である。
ロジック回路２では信号をデジタル化しているため、その電流変化は急峻であると考えられる。ＬＰＦ８を設けることにより、信号の遷移によって発生する電源雑音の抑制、及び重畳回路への伝播を防ぐことで、不要輻射を低減することができる。
【００３６】
（第５実施形態）
図６は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図６に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）９を備える点が特徴である。また、本実施形態において、発振器３は、発振回路３ａと、二値化回路３ｂとを備えている。
ＬＰＦ９は、二値化回路３ｂの電源ＡＶＤＤと、二値化回路３ｂとの間に、他の素子を介さずに接続されている。
発振器３では、発振回路３ａは、例えばＶＣＯやリングオシレータであり、ここで生成されたアナログ信号を二値化回路３ｂでデジタル化する。ここで、デジタル信号の遷移は急峻な電流変化を起こし、不要輻射の原因になると考えられるが、ＬＰＦ９により、信号の遷移によって発生する電源雑音の抑制、及び重畳回路への伝播を防ぐことで、不要輻射を低減することができる。
【００３７】
（第６実施形態）
図７は、本実施形態に係る重畳回路の構成の一例を示す図である。図７に示される重畳回路は、ロジック回路２を含む出力回路１と、発振器３と、重畳振幅設定バイアス回路４とを含む基本構成に、第１実施形態〜第５実施形態において説明した構成を全て加えたものである。つまり、基本構成に加えて、キャパシタ５、キャパシタ６、キャパシタ７ａ、７ｂ、ＬＰＦ８、ＬＰＦ９を備える。また、発振器３は、発振回路３ａと二値化回路３ｂとを備える。
【００３８】
図７に示されるように、重畳回路は、第１実施形態〜第５実施形態において説明した構成を全て同時に備えることが可能である。これにより、不要輻射を大幅に低減させることが可能である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、すべての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【符号の説明】
【００３９】
１ 出力回路
２ ロジック回路
３ 発振器
３ａ 発振回路
３ｂ 二値化回路
４ 重畳振幅設定バイアス回路
５ キャパシタ
６ キャパシタ
７ａ、７ｂ キャパシタ
８ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
９ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
１０ ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１１ 重畳回路
１２ 電流出力回路
１３ レーザーダイオード
１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ 定電流源
ＡＶＤＤ、ＬＶＤＤ 電源
Ｑ１ａ、Ｑ２ａ、Ｑ３ａ、Ｑ４ａ ｐ型ＭＯＳトランジスタ
Ｑ１ｂ、Ｑ２ｂ、Ｑ３ｂ、Ｑ４ｂ ｎ型ＭＯＳトランジスタ
ＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂ、ＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂ、ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂ スイッチ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記出力回路は、前記出力回路の電源に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項２】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記出力回路は、出力トランジスタと、前記出力トランジスタを駆動するための駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを制御する制御回路と、を有し、さらに、
前記出力トランジスタを駆動する前記駆動トランジスタからの信号ライン、前記駆動トランジスタを流れる電流の電流ライン、前記駆動トランジスタを制御する前記制御回路からの制御ライン、の少なくとも１つに接続されるキャパシタをさらに有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項３】
前記キャパシタは、前記電流ラインと前記制御ラインとの間に接続されることを特徴とする請求項２に記載のレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項４】
前記制御回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有することを特徴とする請求項２に記載のレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項５】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記発振器は、２値化回路を含み、前記２値化回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項６】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記出力回路は、前記出力回路の出力端子に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項７】
前記出力回路の後段にハイパスフィルタをさらに備え、
前記キャパシタは、前記出力回路の出力端子と前記ハイパスフィルタとの接続点に接続されることを特徴とする請求項６に記載のレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項１】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記出力回路は、前記出力回路の電源に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項２】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記出力回路は、出力トランジスタと、前記出力トランジスタを駆動するための駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを制御する制御回路と、を有し、さらに、
前記出力トランジスタを駆動する前記駆動トランジスタからの信号ライン、前記駆動トランジスタを流れる電流の電流ライン、前記駆動トランジスタを制御する前記制御回路からの制御ライン、の少なくとも１つに接続されるキャパシタをさらに有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項３】
前記キャパシタは、前記電流ラインと前記制御ラインとの間に接続されることを特徴とする請求項２に記載のレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項４】
前記制御回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有することを特徴とする請求項２に記載のレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項５】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記発振器は、２値化回路を含み、前記２値化回路の電源端子と電源との間にローパスフィルタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項６】
重畳出力信号の振幅を設定するためバイアス信号を生成するバイアス回路と、
前記重畳出力信号の周波数を設定するための発振信号を生成する発振器と、
前記バイアス信号及び前記発振信号に基づき前記重畳出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記出力回路は、前記出力回路の出力端子に接続されるキャパシタを有することを特徴とするレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【請求項７】
前記出力回路の後段にハイパスフィルタをさらに備え、
前記キャパシタは、前記出力回路の出力端子と前記ハイパスフィルタとの接続点に接続されることを特徴とする請求項６に記載のレーザーダイオード制御用の高周波重畳回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１３−８０５４１（Ｐ２０１３−８０５４１Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２０１３６（Ｐ２０１１−２２０１３６）
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【出願人】（３０３０４６２７７）旭化成エレクトロニクス株式会社 (840)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【出願人】（３０３０４６２７７）旭化成エレクトロニクス株式会社 (840)
【Ｆターム（参考）】
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