【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと高調波発生素子とを用いて倍周波数のレーザ光を出力する発光装置に関し、出力特性の劣化を抑制しうる発光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】単一縦モード発振する半導体レーザと、半導体レーザの温度を制御する第１のヒータと、半導体レーザから出力された光を増幅して出力する利得部と、利得部の温度を制御する第２のヒータと、利得部から出力された光を二次高調波に変換して出力する第二高調波発生素子と、環境温度及び前記利得部を駆動するための入力信号に基づいて第１のヒータを制御する制御装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】発振波長の高速制御を安定的に実現すること。
【解決手段】この波長可変半導体レーザの制御方法は、波長可変半導体レーザの発振波長を制御する制御方法であって、ＳＧ−ＤＦＢ領域２４における注入電流の変化に対する発振波長の変化率ａと、ＣＳＧ−ＤＢＲ領域２２におけるヒータ印加電力の変化に対する発振波長の変化率ｂとを取得し、目標発振波長と現在の発振波長との差分を算出し、差分がゼロに近づくように偏差が与えられた注入電流を、帰還制御によってＳＧ−ＤＦＢ領域２４に供給し、該注入電流の偏差及び変化率ａ，ｂを基に、ヒータ印加電力の目標値を決定し、該目標値と現在のヒータ印加電力との差がゼロに近づくように、帰還制御によってＣＳＧ−ＤＢＲ領域２２に供給するヒータ電流を調整する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による補正を容易に行うことができるファイバレーザ発振器を提供する。
【解決手段】発熱部品である励起用レーザダイオード１１ａを当接配置するベース部３１ａと該ベース部３１ａから延設されて筐体１７外部に取り出される放熱部３１ｂとを備えて筐体１７よりも熱伝導率の高い材質からなる熱交換部３１と、熱交換部３１に取り付けられる温度センサと、温度センサからの温度情報に基づいて励起用レーザダイオード１１ａの駆動電流を補正する温度出力補正部とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加及び回路規模の増大を生じさせることなく、光出力及び波長の高速制御を可能にすること。
【解決手段】この波長可変半導体レーザの制御方法は、電流の注入によって利得波長特性が可変となるＳＧ−ＤＦＢ領域２４と、ヒータへの印加電力により反射波長特性が可変となるＣＳＧ−ＤＢＲ領域２２とを備え、動作温度、電流、及び印加電力により出力光の波長が可変とされる波長可変半導体レーザ１０の制御方法であって、印加電力、出力光の強度、及び動作温度をモニタすることで出力光の波長を所定値に維持し、外部制御信号に応答して、強度及び印加電力のみモニタしながら出力光の波長を切り替えて、波長を安定化させる。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光強度を向上したレーザ装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】第１のレーザと、第２のレーザと、外部共振器と、制御部と、を備えたレーザ装置が提供される。前記第１のレーザは、第１のレーザ光を出射する。前記第２のレーザは、第２のレーザ光を出射する。前記外部共振器は、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光とが入射される。前記制御部は、前記外部共振器の共振波長を制御して前記第１のレーザ光に共振させ、前記第２のレーザを制御して前記第２のレーザ光を前記外部共振器に共振させる。 （もっと読む）

【課題】高温時に半導体レーザ等の発光素子に供給するバイアス電流の増加を抑制することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールは複数のレーザダイオードと導波路型合波器を備える。レーザダイオードは、素子温度が変化するとバイアス電流の閾値とスロープ効率が変化する特性を有している（Ａ）。導波路型合波器は、制御温度範囲内において高温時の発振波長λ_１’に透過中心波長を合わせた分光特性を有している（Ｂ）。このため、外部への光出力を一定水準とすると、高温時に導波路型合波器の分光特性により光損失が最小化される分を考慮すると、高温時のバイアス電流を通常より低く設定（ΔＩｈ低減）することができる（Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】光出力がオフ状態からオン状態に遷移する際に、安定した波長の光を出力すること。
【解決手段】光送信機１は、駆動電流Ｉ_ＬＤに応じて光信号Ｐ_Ｏを出力するＬＤ２１と、ＬＤ２１の温度Ｔ_ＬＤを制御するＴＥＣ２２と、ＬＤ２１に駆動電流Ｉ_ＬＤを供給するＬＤドライバ３と、ＴＥＣ２２の温度Ｔ_ＴＥＣを制御するＴＥＣドライバ４と、電流設定信号Ｓ_ＩをＬＤドライバ３に送出し、温度設定信号Ｓ_ＴをＴＥＣドライバ４に送出するコントローラ５と、を備え、コントローラ５は、光出力イネーブル信号ＥＮがイネーブルに遷移したことを検出したとき、電流設定信号Ｓ_ＩによってＬＤドライバ３を制御して駆動電流Ｉ_ＬＤを段階的に増加させるとともに、温度設定信号Ｓ_ＴによってＴＥＣドライバ４を制御してＴＥＣ２２の温度Ｔ_ＴＥＣを段階的に減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デジタル回路から発生するノイズがレーザモジュールに影響を与えることにより、レーザモジュールの出力レーザ光のスペクトル線幅が増大すること。
【解決手段】レーザモジュールと、レーザモジュールを駆動するアナログ回路と、レーザモジュールのレーザ出力を制御するデジタル回路と、アナログ回路およびデジタル回路が実装され、レーザモジュールに接続される基板とを備え、基板は、基板内においてアナログ回路に対向して設けられるアナログ用グランドパターンと、基板内においてデジタル回路に対向して設けられるデジタル用グランドパターンと、基板内に設けられ、レーザモジュールに接続されるレーザ用グランドパターンとを有するレーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置において、赤色半導体レーザは温度が高いほど光出力の低下が大きくなる傾向にあるため、赤色レーザ光源装置に対して温度上昇を抑制するために冷却風を多く送るようにすると共に、赤色レーザ光源装置の温度を正確に検出する。
【解決手段】赤色レーザ光源装置２３のホルダ４５の表面に温度センサ６２を取り付け、赤色レーザ光源装置に隣接して配設された冷却ファンからの冷却風が温度センサに送風されるのを防止するために、ホルダの表面に温度センサを覆う風除けカバー８１を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】温度調整点の数を少なくして設定作業の手間を軽減しつつ、安定した光出力の制御を可能にする。
【解決手段】ＬＤに供給するバイアス電流Ｉｂｉａｓ及び変調電流Ｉｍｏｄを調整するＬＤの駆動方法であって、常温、高温、および低温の三温度の環境下で、所定の光出力強度を得るためのバイアス電流ＩｂｉａｓをＬＤに供給するとともに、三温度の環境下で所定の消光比を与える変調電流Ｉｍｏｄの値を予め取得する第１ステップと、所定の光出力強度を得るようにＬＤに供給するバイアス電流ＩｂｉａｓをＡＰＣ動作によって制御する第２ステップと、三温度以外の温度の環境下では、第１ステップで取得された三温度における変調電流の値を用いて、当該温度における変調電流Ｉｍｏｄの値を指数関数によって近似することによって算出し、算出値を基にＬＤに変調電流Ｉｍｏｄを供給する第３ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体レーザ光源の間で寿命のばらつきが小さく、長寿命化が可能で信頼性の高い光源装置および光源装置を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】光源装置１００は、複数の半導体レーザ光源１０１と、複数の半導体レーザ光源１０１の設置領域を複数の領域に分けることで、その設置領域の複数の半導体レーザ光源１０１が、各グループに１つの半導体レーザ光源１０１が属する、または、電気的に直列に接続された複数の半導体レーザ光源１０１が属するよう複数のグループに分けられた基板１０２と、設置領域の複数の半導体レーザ光源１０１に流れる電流値をグループ単位で独立に制御することにより、半導体レーザ光源１０１の温度制御を行う電流制御部１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】起動時のレーザダイオードの温度制御における電源の電力供給能力が十分でない場合であっても、レーザダイオードを含む装置の起動を可能とする。
【解決手段】
レーザダイオード制御回路３は、電源の電圧値が所定の下限閾値に達したときの、ＴＥＣドライバ３２における消費電流値を取得し、その消費電流値に基づきＴＥＣドライバ３２の電流上限値を設定するコントローラ３３を有するので、電源の電圧値における所定の下限閾値を超えて電圧降下が発生することが防止される。これにより、光トランシーバ１が、電源において電圧降下が発生した場合にリセットをかけて起動を中断させる電源電圧監視／リセット回路３８を有していても、起動時におけるリセット回路の作動が防止される。従って、光トランシーバ１の起動が可能となる。 （もっと読む）

【課題】光ノイズが小さく安定したＳＨＧ光を出力し、且つ、消費電力が抑制された半導体レーザ励起固体レーザ装置及びレーザ光の出力方法を提供する。
【解決手段】設定温度において、モードホップを生じることなく一定の波長の単一縦モードの励起光を、設定出力値で出射する半導体レーザと、半導体レーザを駆動する駆動装置と、設定温度において出力効率が最大であり、光ノイズが一定値以下の、且つ励起光の出力値が設定出力値である場合に所定の出力値である出力光を、励起光から生成する固体レーザモジュールと、半導体レーザの温度と固体レーザモジュールの温度を調整する単一の温度調整装置と、出力光が所定の出力値であるように駆動装置を制御し、且つ、半導体レーザ及び固体レーザモジュールの温度が設定温度であるように温度調整装置を制御する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構成で、直列接続された半導体光源素子の異常を確実に検出する。
【解決手段】直列接続されたＬＥＤ20Ａ〜20Ｄと、ＬＥＤ20Ａ〜20Ｄを駆動する駆動回路21と、ＬＥＤ20Ａ〜20Ｄ夫々に並列接続された抵抗RpＡ〜RpＤと、駆動回路21によるＬＥＤ20Ａ〜20Ｄの非発光駆動時に抵抗RpＡ〜RpＤに所定の電流を流す定電流源22と、定電流源22により所定の電流が流された状態でＬＥＤ20Ａ〜20Ｄ全体に印加される電圧値を検出する電圧監視回路23と、レベルシフタ24を介し、電圧監視回路23で検出した電圧値に基づいてＬＥＤ20Ａ〜20Ｄ中で短絡している素子数を判定する制御回路25とを備える。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。
【解決手段】一つの電界吸収型変調器集積レーザを搭載し、温度調整によって発振波長を可変にするＤＷＤＭ用波長可変レーザモジュールを使用する。温度調整範囲において、ほぼ同等の変調・伝送特性を有するようにレーザおよび変調器の駆動条件を決定する。このような電界吸収型変調器集積レーザを用い、駆動条件を内蔵することで、小型低コストな波長可変光送信器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】通信品質を向上させること。
【解決手段】光送信器は、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータ。光送信器は、半導体レーザチップと、光アイソレータと、光ファイバスタブと、を備えている。半導体レーザチップは、低温になるほど光の出射パワーが増加する。光アイソレータは、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータであって、低温になるほど挿入損失が増加する。光ファイバスタブは、光アイソレータを通過した光を出力する。 （もっと読む）

【課題】光源を構成する半導体発光素子の温度が変化しても色バランスを崩すことなく正しい色調を維持する。
【解決手段】発光波長が異なる複数種の半導体発光素子としてのＬＤ18、ＬＥＤ26，27と、画像信号を入力する入力部11と、ＬＤ18、ＬＥＤ26，27を発光して得られる光源光を用いて入力した画像信号に応じた光像を形成する画像変換部12、投影処理部13、マイクロミラー素子14と、形成した光像を投影する投影レンズ部17と、ＬＤ18、ＬＥＤ26，27に対し、種別に発光時の温度を検出する温度センサ29〜31と、発光時の光の強度を測定する照度センサ28と、温度センサ29〜31の検出結果と照度センサ28の測定結果とに基づいてＬＤ18、ＬＥＤ26，27毎の発光強度を制御するＣＰＵ34とを備える。 （もっと読む）

【課題】波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流源２１から矩形状の電流パルス（電流Ｉ_op-none（ｔ））が出力され、補正回路２２からは、ＲＣ時定数回路２２Ａを用いて導出されたアシスト電流Ｉ_A（ｔ）が出力される。レーザ駆動部４０によって、電流源２１の出力と、補正回路２２の出力とを互いに重ね合わせた電流パルス（Ｉ_op（ｔ）＝_Iop-none（ｔ）＋Ｉ_A（ｔ））が半導体レーザ装置３１に印加される。 （もっと読む）