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Fターム[5F173SF68]の内容

Fターム[5F173SF68]に分類される特許

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【課題】高温時に半導体レーザ等の発光素子に供給するバイアス電流の増加を抑制することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールは複数のレーザダイオードと導波路型合波器を備える。レーザダイオードは、素子温度が変化するとバイアス電流の閾値とスロープ効率が変化する特性を有している(A)。導波路型合波器は、制御温度範囲内において高温時の発振波長λ’に透過中心波長を合わせた分光特性を有している(B)。このため、外部への光出力を一定水準とすると、高温時に導波路型合波器の分光特性により光損失が最小化される分を考慮すると、高温時のバイアス電流を通常より低く設定(ΔIh低減)することができる(C)。 (もっと読む)


【課題】通信品質を向上させること。
【解決手段】光送信器は、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータ。光送信器は、半導体レーザチップと、光アイソレータと、光ファイバスタブと、を備えている。半導体レーザチップは、低温になるほど光の出射パワーが増加する。光アイソレータは、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータであって、低温になるほど挿入損失が増加する。光ファイバスタブは、光アイソレータを通過した光を出力する。 (もっと読む)


【課題】波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流源21から矩形状の電流パルス(電流Iop-none(t))が出力され、補正回路22からは、RC時定数回路22Aを用いて導出されたアシスト電流IA(t)が出力される。レーザ駆動部40によって、電流源21の出力と、補正回路22の出力とを互いに重ね合わせた電流パルス(Iop(t)=Iop-none(t)+IA(t))が半導体レーザ装置31に印加される。 (もっと読む)


【課題】良好な光出力特性の光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供。
【解決手段】LD22で発したレーザ光をEA変調器22が変調する光送信器16に対し制御回路14は、ケース温度(TC)が予め設定した低温側基準温度(T_cool)および高温側基準温度(T_heat)の範囲内にある場合、EA変調器22への加熱・冷却を停止し、EA変調器22へのバイアス電圧をメモリ回路44に記録したテーブル情報に基づいて変調器温度に対応するバイアス電圧に設定し、ケース温度が低温側基準温度以下の場合、EA変調器22を加熱するとともに低温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定し、ケース温度が高温側基準温度以上の場合、EA変調器22を冷却するとともに高温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定する構成。 (もっと読む)


【課題】調整が容易でコスト削減を図ることのできる光送信器の調整方法を得る。
【解決手段】プリバイアス信号とバーストゲート信号と連続モード信号の組合せにより、レーザダイオードのハイレベルとローレベルの光出力を行う。この光出力の光レベルを測定し、その測定値に基づいて、レーザダイオードの光出力パワーと消光比特性が予め定められた規格の範囲に入るように調整する(ステップST2〜ST4)。調整された変調電流とバイアス電流の値を変調電流駆動回路とバイアス電流源の設定値とする(ステップST5)。 (もっと読む)


【課題】DFBレーザを有する光半導体モジュールとして、広域な温度範囲で高い通信速度で動作するものの歩留まりを向上する。
【解決手段】光半導体モジュールは、DFBレーザ1と、光信号を伝送する光伝送路(例えば、光ファイバ2)を有する。光半導体モジュールは、更に、DFBレーザ1からの出射光(レーザ光3)を光伝送路に結合させる光学系4であって、出射光を光伝送路の入射端面2aに集束させるレンズ41を含む光学系4を有する。光半導体モジュールは、更に、DFBレーザ1の出力を検出する検出部5と、検出部5による検出結果に応じてDFBレーザ1の出力を制御する制御部(APC駆動回路6)を有する。光学系4は、想定使用温度範囲の上限温度(例えば85℃)での結合効率よりも、想定使用温度範囲の下限温度(例えば−40℃)での結合効率が低くなるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】レーザ光源の立ち上がりおよび立ち下がりの遅れに起因する画質の劣化を未然に防止することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子106がオン動作すると、時定数回路105の放電回路を介した放電により、発光部107には、目標電流に対してオーバーシュートした後に時定数Aで目標電流に収束する駆動電流Idが供給される。スイッチング素子106がオフ動作すると、時定数回路105の充電回路を介した充電により、発光部107には、消灯電流(零電流)に対してアンダーシュートした後に時定数Bで消灯電流(零電流)に収束する駆動電流Idが供給される。 (もっと読む)


【課題】高速動作を行う場合であっても低温時で良好な制御が行えるレーザダイオードの制御方法を提供する。
【解決手段】制御部5は、モニタPD3によって検出される複数の温度においてバイアス電流(Ib)を変化させて予め設定された消光比を与える変調電流(Im)を測定し、当該Ibに対するImの線形関係を与える一次係数α1及びゼロ次係数β1を上記複数の温度のそれぞれに対し算出してメモリ51に保持し(ステップS1)、次に、LD2の現在温度を測定し、APCによってIbを決定し、現在温度に対する一次係数α1及びゼロ次係数β1を取得し、この取得した一次係数α1及びゼロ次係数β1を用いて、決定したIbに対し、所望の消光比を与えるImを算出する(ステップS2)。 (もっと読む)


【課題】光源の強度制御を安定して行うこと。
【解決手段】可変電源140は、可変自在な参照電圧を出力する。受光部120は、光源110から出力される光を受光して電気信号に変換する。バイアス供給部150は、受光部120によって変換された電気信号に応じた強度制御信号と、可変電源140から出力された参照電圧と、に基づくバイアス電流を光源110へ供給する。電圧制御部180は、光源110の強度制御信号に対する強度特性に関する情報を取得し、取得した強度特性に関する情報に応じて参照電圧を制御する。パルス電流供給部230は、一定の消光比制御信号と、電圧制御部180によって制御された参照電圧とに基づくパルス電流を光源110へ供給する。光源110は、入力されるデータ信号に基づいて、パルス電流供給部230によって供給されるパルス電流に応じた消光比の光信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】発光素子がその周囲の発光素子の発熱の影響により、温度検出器の検出温度が実際の発光素子の周囲温度と乖離して発光素子の発光光量が低下してしまうことを抑制する。
【解決手段】全ての送信部のレーザダイオードをオンにする(ステップS2)。そして、フォトダイオードでレーザダイオードの光量を検出し(ステップS4)、レーザダイオードが適正な光量となるようにオフセット値を求めて(ステップS5)、これを温度オフセット記憶部に記憶する(ステップS6)。すなわち、記憶部に記憶されている設定光量となるような温度値を求め、その温度値と温度検出器の検出温度値との差分がオフセット値となる。 (もっと読む)


【課題】複数のレーザダイオードを液晶バックライトユニットに使用した場合でも均斉度を図るとともに、レーザダイオードの発光効率を高める。
【解決手段】直列に接続されたレーザダイオードLD1〜LDnに対し、周囲温度を検出する温度センサ11およびレーザダイオードLD1〜LDnにそれぞれ対応の光量センサOS1〜OSnを設けて、マイコン12に温度および光量のデータを取り込む。取り込まれた温度データに基づいてレーザダイオードLD1〜LDnを駆動する定電流回路13の定電流値を決定する。光量センサOS1〜OSnから得られるレーザダイオードLD1〜LDnの光量を平均化するために、レーザダイオードLD1〜LDnからの光量に基づきレーザダイオードLD1〜LDnの温度を制御することにより、レーザダイオードLD1〜LDnから得られる光量特性の均斉度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】複数の励起用レーザダイオードの負荷を均一化すること。
【解決手段】光ファイバを用いてレーザ光を発生または増幅するファイバレーザ装置1において、光ファイバ11,21に対して励起光を供給する複数のレーザダイオード16,17,24,25と、複数のレーザダイオードを駆動する駆動手段(駆動部18,19,26,27)と、光ファイバから出射されるレーザ光が所望の強度になり、かつ、複数のレーザダイオードのそれぞれの負荷が等しくなるように駆動手段を制御する制御手段(制御部30)と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体発光素子を時分割で間欠駆動する際に、各半導体発光素子の動作温度を正確に測定して、素子の劣化を生じない温度環境を維持する。
【解決手段】LED21〜23と、LED21〜23の各発光期間の発光開始タイミングと発光終了から一定時間前のタイミングとを示す矩形波状のタイミング信号を発生する投影画像処理部15と、タイミング信号に基づき、LED21〜23を各発光期間に対応して時分割で循環的に駆動し、タイミング信号のオフタイミングに基づき、LED21〜23の各電圧値を測定し、その測定結果によりLED21〜23の各駆動電流を調整する投影光処理部28とを備える。 (もっと読む)


【課題】 波長ロッカ部を有する光半導体装置において、波長制御の精度を向上させること。
【解決手段】 本光半導体装置100は、半導体レーザ10と、半導体レーザ10の出力光が入力されるエタロン22を含む波長ロッカ光学系20と、波長ロッカ光学系20の出力に基づいて、半導体レーザ10の波長を目標値に制御する波長ロック制御部40と、エタロン22の温度を目標値に制御するエタロン温度制御部42と、エタロン温度の目標値の規定値と、予め外気温変動に対する波長ロッカ光学系20の出力変動量を測定することで得られた補正情報とが格納されてなる記憶部44と、外気温情報及び補正情報に基づき、エタロン温度の規定値を補正してエタロン温度の目標値を演算する補正部46と、を備える。 (もっと読む)


【課題】低温から高温までの範囲での安定したLDの駆動制御を低コストで実現すること。
【解決手段】このLD駆動方法は、LDに対してバイアス電流及び変調電流を供給することによりLDを駆動する方法であって、LDの出力光をモニタするPD5とPD5の出力を受ける第1の制御回路9とを含むAPC回路により、バイアス電流を光出力の平均が一定となるように決定し、環境温度Tをモニタする温度センサ11と温度センサ11の出力を受ける第2の制御回路15により、環境温度Tが所定温度Tαより低い場合には環境温度Tに基づいて変調電流を決定し、環境温度Tが所定温度Tαより高い場合には、APC回路により決定されたバイアス電流に基づいて変調電流を決定する。 (もっと読む)


【課題】EADFBレーザにおいて、モニタ用EA変調器の吸収電流をもとに、モジュール温度を検出する。
【解決手段】分布帰還型レーザ101と、分布帰還型レーザ101の一方の端面101aから出射された光が入射されてこの光を変調して光信号Sを出力する光変調用の電界吸収型変調器102と、分布帰還型レーザ101の他方の端面101bから出射された光が入射されるモニタ用の電界吸収型変調器103と、電気的分離部104,015とが、同一の半導体基板上にモノリシック集積して光送信モジュール100が形成されている。モニタ用のEA変調器103に吸収される吸収電流を検出することにより、モジュール温度を検出でき、光信号Sを予め決めた規定パワーとするのに必要な制御をすることができる。 (もっと読む)


【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると,半導体ゲインチップ11の前方端面から光が出射する。半導体ゲインチップ11の後方端面および光ファイバ4中のFBG4aによって光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。TEC15上に,半導体ゲインチップ11および温度を測定するサーミスタ13が設けられており,TEC15はサーミスタ13の温度が所定温度に保たれるように制御される。半導体ゲインチップ11およびサーミスタ13は共通のサブマウント21上に配置されており,かつヒートパスワイヤ46によって接続されている。サブマウント21およびヒートパスワイヤ46を介して半導体ゲインチップ11の熱がサーミスタ13に伝達される。サーミスタ13を所定温度に保つと,半導体ゲインチップ11(その活性層)の温度も所定温度に保たれる。 (もっと読む)


【課題】リアルタイムで半導体素子の温度測定が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】p層11とn層10とにより構成される半導体レーザ1と、半導体レーザ1のp層11と、半導体レーザ1と電気的に独立したn層15とにより構成されるpn接合と、pn接合に順方向に電流を流したときの電位差に基づき半導体レーザ1の温度を測定する温度測定手段とを備える半導体装置とした。 (もっと読む)


【課題】安定な出力光及び消光比を実現できるレーザダイオード駆動制御装置を提供すること。
【解決手段】LD2の温度を検出し検出結果を出力する温度センサ4と、検出結果に基づいてLD2の出力光の目標光強度Pave(2)とこのPave(2)のもとで出力光のOMAを維持するための目標消光比Er(2)とを取得し、こPave(2)とEr(2)とに基づいてバイアス電流及び変調電流を制御するための制御信号を出力する制御部5と、この制御信号に応じて、バイアス電流及び変調電流をLD2に供給するLD駆動回路6とを備え、制御部5は、温度センサ4の検出結果とバイアス電流の一方又は両方がそれぞれの所定の基準値を超えたと判定した場合にPave(2)とEr(2)とを取得する。 (もっと読む)


【課題】パッケージのピン数の制限下においてもLD近傍の温度を検出することが可能な光送信器を提供すること。
【解決手段】この光送受信モジュール1は、光信号を発するLD18と光信号のモニタ光を受光するPD12とを同軸型パッケージ10に搭載するTOSAと、LD18の光出力を制御する同軸型パッケージ10の外部に配置された制御回路4とを備え、同軸型パッケージ10の外部に配置された定電流源5を更に備え、制御回路4は、定電流源5が生成する定電流をPD12に供給するとともにPD12における電圧降下を検出し、該電圧降下に基づいて得られるパッケージ内温度を基にして、LD18に供給する駆動電流を制御する。 (もっと読む)


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