【課題】レーザ光源からの光を短パルス又は長パルスのいずれかに切り換えることができるレーザ光源駆動装置、レーザ発振器及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】第１電源スイッチ２０がオン、第２電源スイッチ２３がオフの状況下で、スイッチング素子２２がオン／オフされると、ＣＲ回路２７（コンデンサ２６）が充放電されることにより、ＣＲ回路２７を電源としてレーザダイオード７がレーザ光を短パルスで出力する。一方、第１電源スイッチ２０がオフ、第２電源スイッチ２３がオンの状況下で、スイッチング素子２２がオン／オフされると、主電源＋Ｖを電源としてレーザダイオード７がレーザ光を長パルスで出力する。このため、レーザ光のパルス幅を、短パルス又は長パルスのいずれかに切り換えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータを用いることなく、反射戻り光の影響を抑制することが可能な光送受信システムを提供する。
【解決手段】電気変調信号を変調出力光に変換して出力するＥＡ変調器集積半導体レーザ１０１を備える光送信機１と、光送信機１から出力された変調出力光を入力して電気変調信号に変換する光受信機３とを備える光送受信システムにおいて、光送信機１にバイアス・ティー１１５を設け、駆動用の直流電流Ｉ１１に加えて電気アッテネータ１１６によって減衰された減衰電気変調信号Ｖ２５を半導体レーザ１１１に印加する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光効率を向上することができる半導体発光装置。
【解決手段】半導体発光素子Ｄ１と、半導体発光素子Ｄ１に流れるパルス電流を遮断して半導体発光素子Ｄ１の発光量を制御し且つパルス電流の遮断に伴って発生する半導体発光素子Ｄ１の拡散容量の放電が終了する前に半導体発光素子Ｄ１にパルス電流を流すように、半導体発光素子Ｄ１に印加すべきパルス信号のオン／オフのタイミングを制御するパルスタイミング制御部１とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力電源電圧の変動やノイズに起因する光出力の変動を低減し、かつ、消費電力を低減することが可能な光送信回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光送信回路１は、入力電源（入力電源電圧Ｖｉｎ）に接続された共通のカソードを有するレーザダイオード１１及び電界吸収型光変調器１２が一体に集積された光半導体素子１０と、入力電源電圧Ｖｉｎで動作し、電界吸収型光変調器１２のアノードに変調信号を供給する変調駆動回路２０と、レーザダイオード１１のアノードにバイアス電流を供給するＬＤ駆動回路３０と、入力電源電圧Ｖｉｎを昇圧した昇圧電圧Ｖｏｕｔを生成し、当該昇圧電圧Ｖｏｕｔを電源電圧としてＬＤ駆動回路３０に供給する昇圧回路４０と、昇圧回路４０を制御し、入力電源電圧Ｖｉｎの変動に応じて昇圧電圧Ｖｏｕｔを変更させる電圧制御回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来に比して更なる低消費電力化が可能な光送信回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光送信回路１は、共通のカソードを有するレーザダイオード１１及び電界吸収型光変調器１２が一体に集積された光半導体素子１０であって、共通のカソードはグランド電位に接続されており、レーザダイオード１１及び電界吸収型光変調器１２はグランド電位を基準として互いに逆方向のバイアス電位で駆動される、当該光半導体素子１０と、一方の出力がキャパシタ４１を介して電界吸収型光変調器１２のアノードに接続されており、他方の出力がキャパシタ４２を介して電界吸収型光変調器１２のカソードに接続されている差動型の駆動回路２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザー駆動回路の信頼性を低下させることなく消光時に低消費電力化を実現する。
【解決手段】変調回路１は、変調電流の供給と遮断をバースト回路制御信号ＣＴＬ１に応じて制御するゲート回路１０と、電流源回路１４〜１７と、回路１４〜１７による電流の供給と遮断を電流源回路制御信号ＣＴＬ２に応じて制御する回路電流制御回路１８とを有する。バイアス回路３ａは、バイアス電流の供給と遮断を信号ＣＴＬ１に応じて制御するバイアス電流制御回路３０と、電流源回路３１と、回路３１による電流の供給と遮断を信号ＣＴＬ２に応じて制御する回路電流制御回路３２とを有する。制御信号生成回路５は、発光から消光への切替時は信号ＣＴＬ１よりも信号ＣＴＬ２を遅延させ、消光から発光への切替時は信号ＣＴＬ２よりも信号ＣＴＬ１を遅延させる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低い面発光レーザ装置を提供すること。
【解決手段】外部からの指令に従って演算を行い、該演算結果に従って電圧信号を出力する演算処理装置と、前記演算処理装置に直接的に接続し、活性層を有し、前記演算処理装置に対する供給電圧と共通の電圧をバイアス電圧として前記電圧信号に重畳して生成した駆動電圧信号が前記活性層に供給される面発光レーザ素子と、を備える。好ましくは、前記バイアス電圧は、前記演算処理装置に供給されるコア電圧と共通の電圧である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザアレイの各発光点から出射される各レーザ光を平行光に変換しつつ同軸化した場合と同等の効果が得られるコンパクトな複数レーザ同軸化光源装置を得る。
【解決手段】１つのコリメータレンズ１３と、複数の発光点１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを有する半導体レーザアレイ１１と、各発光点１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを選択的に所定のタイミングでパルス点灯させるパルス点灯制御手段１４と、パルス点灯のタイミングに合せて、該パルス点灯により出射される各レーザ光の軸Ｃ_１２Ｒ，Ｃ_１２Ｇ，Ｃ_１２Ｂ上に光軸Ｃ_１３が位置するように、コリメータレンズ１３と半導体レーザアレイ１１との相対位置を変更する相対位置制御手段１５とを設ける。コリメータレンズ１３により各レーザ光を平行光にそれぞれ変換するとともに、各レーザ光の通過領域の重なり部分において、各レーザ光を擬似的に同軸化する。 （もっと読む）

【課題】複数の電源電圧領域で使用しても常に最適な動作を行うことができ、しかも使用しない回路を極力少なくしてチップ面積の増加を抑えることができる半導体装置を得る。
【解決手段】複数の電源電圧領域で使用可能な所定の機能を有する内部回路５と、入力された電源電圧の電圧領域の検出を行い、該検出結果を示す信号を生成して出力する電源電圧領域検出回路２と、電源電圧領域検出回路２の出力信号Ｓｃｍｐを記憶し該記憶した信号を電源電圧領域信号Ｓ１として出力するラッチ回路３と、電源投入時に、内部回路５に対するリセット信号ＲＥＳを生成して出力するリセット回路４とを備え、ラッチ回路３は、内部回路５に対するリセット動作が解除された直後の出力信号Ｓｃｍｐを記憶し、内部回路５は、電源電圧領域信号Ｓ１に応じて内部設定の変更を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード駆動時の消費電力を抑え、電源回路の出力電圧を高速に立ち上げるレーザダイオード駆動装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオード駆動装置は、レーザダイオードＬＤのカソードに接続され、ＬＤを流れる電流を制御する駆動電流制御回路１０と、ＬＤのアノードに接続され、ＬＤに印加する可変な出力電圧を発生する電源回路２０とを備える。電源回路２０は、ＬＤの想定される駆動電圧以上の最大駆動電圧と所定の第１参照電圧Ｖｒ１との和に等しい出力電圧の初期値Ｖｏ＿ｉｎｉｔを発生し、このときのＬＤのカソード電圧を取得し、取得されたカソード電圧と第１参照電圧Ｖｒ１との差を縮小するように電圧Ｖｏ＿ｉｎｉｔから減少させた電圧を発生する。第１参照電圧Ｖｒ１は、駆動電流制御回路１０によりＬＤに所定電流を流すために必要な最小のカソード電圧である。 （もっと読む）

【課題】正または負の単一電源の、変調器集積レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１００上にＭＱＷ１０２、ｐ型クラッド層１０４と多層された半導体レーザ部と、半導体基板１００上にｐ型クラッド層１０４、ＭＱＷ２０２、ｎ型クラッド層１０５と多層されたＥＡ変調器部とが、集積された構造とすることで、半導体レーザ部に正の電流を注入し、ＥＡ変調器に正の電圧を印加して動作するＥＡ変調器集積レーザが得られる。 （もっと読む）

本発明は、幾つかの広領域ＶＣＳＥＬ１０１のアレイと、全てのＶＣＳＥＬ１０１の又は前記アレイのＶＣＳＥＬ１０１のサブグループの活性層により発されるレーザー放射が作用平面５０１において重ね合わさるようにアレイのＶＣＳＥＬ１０１の活性層を作用平面５０１に結像するように配され設計されている１つ又は複数の光学部品２０１、２０２とを有するレーザー装置に関する。提案されるレーザー装置は、この輝度分布又はビームプロファイルに関して特別に設計された光学部品を必要とすることなく、前記作用平面の所望の輝度分布の生成を可能にする。
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【課題】発光体に色彩の変化パターンを発光させ、そのパターンでデータを送信するとともに発光体の位置を特定する方法において、データ送信速度の向上を図る。
【解決手段】ＲＧＢの３色を用いて色彩変化パターンを発光させ、その中のＲの波形に、輝度変化明でデータを表す明暗波形を重畳させて送信する。領域の色彩変化はＣＣＤ等を用いて検出し、明暗波形はフォトダイオードなどの光電変換素子を用いて検出する。ＣＣＤは数１０ｆｐｓ程度の頻度で画像データを出力するので、データ速度もこの程度のデータ速度が限界となる。一方、明暗波形を受光する受光素子は一般的には数ＭＨｚ〜数ＧＨｚ程度の周波数を検出できるので、より高速なデータ通信が行える。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ駆動回路の消費電力を低減すること。
【解決手段】半導体レーザ駆動回路１は、ＬＤ２と、主電源及びＬＤ２のアノード間に設けられておりＬＤ２にバイアス電流を供給するための可変電圧回路１２と、を備える。可変電圧回路１２は、主電源から供給される電源電圧と、半導体レーザ駆動回路１の外部の制御回路から入力されバイアス電流を調整するための指示信号とに基づいて、ＬＤ２にバイアス電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】可動部を持たない平面光回路を用いた比較的簡単な構成でありながら、波長可変範囲を大きく拡大する。
【解決手段】導波路共振器１０５を、２×２入出力の任意に定められたパワー分岐比を有する方向性結合器１０６と，この方向性結合器１０６の２つの出力端を結ぶループ状の光導波路１０７とから構成される閉ループ型光回路Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３と、この閉ループ型光回路Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３をその方向性結合器１０６の２つの入力端の片側同士を結んで直列に接続する光導波路（導波路エタロン）１０８，１０９とで構成し、導波路エタロン１０８，１０９にその光導波路の実行屈折率を変化させる実行屈折率変化手段として例えばヒータ１１０，１１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】高い消光比、長距離伝送、および装置の小型化が可能な光送信方法および光送信装置を提供する。
【解決手段】ベースバンド電気信号１１に従って変調された送信光信号１５を出力する光送信装置１０は、ベースバンド電気信号１１に従って直接変調されることで搬送波の周波数が変調された変調光信号１７を出力する半導体レーザ１３と、変調光信号１７の周波数変調成分を振幅変調信号に変換することで送信光信号１５を出力する非対称マッハツェンダ干渉計からなる光フィルタ１４とを有する。半導体レーザ１３の動作条件は、一定の範囲の値に設定される。 （もっと読む）

【課題】発光素子と伝送路の間のインピーダンスを整合する光通信モジュールを提供する。
【解決手段】発光素子１０５と、電気信号伝送路１０２と、インピーダンス整合回路１０３を有する光通信モジュールにおいて、インピーダンス整合回路１０３の整合部１１１のインピーダンスを、電源投入の際に計測した発光素子１０５の微分抵抗値により制御する。インピーダンス整合回路１０３は、電源投入検出信号を発生する電源投入検出部１２３と、発光素子１０５へ供給するバイアス電流を発生し、バイアス電流により前記微分抵抗値を計測する微分抵抗計測部１２４を有する。通常動作において、整合器制御部１２０は、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルに対応した微分抵抗値を第１記憶部１２１から読み出し、整合部１１１のインピーダンスを制御する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＡ素子とＬＤ素子とが一体化されたＥＡ／ＬＤモジュールは、ＥＡ素子のカソードとＬＤ素子のカソードが共通化されている。このため、ＥＡ変調器の外部に引き出されたＥＡ素子のアノード電圧あるいはカソード電圧を制御することで駆動するという、従来のＥＡ変調器の駆動方法をそのまま適用することができない。
【解決手段】 駆動電流に応じてキャリア光を生成する光源であるＬＤ素子１ａ、キャリア光を駆動電圧に応じて吸収することにより強度変調された光信号を出力するＥＡ素子１ｂを含むＥＡ／ＬＤモジュール１と、ＬＤ素子のカソードとＥＡ素子のカソードが共通化された共通端子２と接続され、ＥＡ素子のバイアス電圧制御を行うバイアス電圧制御回路６ａとＬＤ素子の動作電流制御を行う動作電流制御回路５ａを備えた制御回路３とを設けた。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を効率的に駆動して投影画像の高画質化と全発光素子の長寿命化とを図る。
【解決手段】複数ｎ個（ｎ：２以上の自然数）の発光素子を有するＬＥＤアレイ17及びＷドライバ23と、ＬＥＤアレイ17を構成するｎ個のＬＥＤ群を、その点灯期間単位に同期して、それぞれλ／ｎ（λ：点灯期間単位）に基づく位相差でパルス幅変調方式により発光駆動する投影光処理部24及びＷドライバ23とを備える。 （もっと読む）