【課題】 ３０〜５０程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．０９３≦ｂ<０．１２４、０．０９３<ｃ≦０．１５０且つ０．２５１≦ｄ<０．３６２。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】比誘電率（εｒ）、Ｑｆ値が高い誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】（Ｂａ_１−ａＳｒ_ａ）_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０．２０≦ａ≦０．５０）の組成を有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物を提供する。疑似タングステンブロンズ構造を有するＢａ_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４系の誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換することによって、比較的高い比誘電率（εｒ）を維持しつつ、Ｑｆ値を著しく向上させ得る。また、Ｂａ_４Ｓｒ_２（Ｎｄ_１−ｂＹ_ｂ）_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０≦ｂ≦０．４０）の組成を有している誘電体磁器組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性（例えば、安定な誘電特性、高い信頼性、低い焼結温度、高い絶縁抵抗および高い相分解温度）を有する組成物を達成するために、従来の誘電性ＺｎＴｉＯ_３材料系の特性を改善する新規な材料系を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）：
（Ｚｎ_１−ａＭｇ_ａ）（Ｔｉ_{１−ｂ−ｃ}Ｍｎ_ｂＤ_ｃ）_ｄＯ_３ （Ｉ）
によって表される組成物を含む誘電材料であって、ここで、Ｄは、５以上の原子価を有する元素であり、ａは、０以上０．５以下であり、ｂは、ｃ以上０．１以下であり、ｃは、０より大きく０．１以下であり、ｄは、１以上１．５以下である、誘電材料。 （もっと読む）

【課題】 Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３系材料において、該材料が有する高いＱｆ値、誘電率を維持したままで、温度係数τｆを正の方向へ制御することができる電子デバイス用誘電体磁器組成物とその製造方法の提供。
【解決手段】 Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３系誘電体磁器組成物に、Ｚｎを加えたＢａ［（ＭｇＺｎ）_１／３Ｔａ_２／３］Ｏ_３系誘電体磁器組成物を、焼結温度１５７０℃以上、焼結時間５時間以上で焼結することにより、組成物中のＺｎＯを揮発させ、Ｚｎ及び／又はＭｇがドープされたＢａＴａ_２Ｏ_６を析出させ、該ＢａＴａ_２Ｏ_６の体積濃度を制御することにより、Ｑｆ値、誘電率を維持したままで、温度係数τｆを正の方向へ制御する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率、および共振周波数の温度係数の調整が可能な誘電体磁器を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ_ｘＳｎ_ｙＴｉ_ｚＯ₄（ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、０．５５＜ｘ＜１．００、０．８５＜ｚ＜１．１５）を主成分とし、ＮｉＯ、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からＮｉＯを必須とした１種以上を添加物として選択し、それぞれ１重量％以下（０重量％を含まず）添加してなる誘電体磁器であって、ルチル型結晶構造をとる結晶相を含有する誘電体磁器とする。 （もっと読む）

Ｔｉを含有する誘電体からなり表層部にＴｉとＺｎとを含む酸化物を含有してなる誘電体粒子の集合体１００重量部に対してガラス成分を２．５〜２０重量部配合することで低温焼結誘電体磁器組成物が提供される。この低温焼結誘電体磁器組成物を８８０〜１０００℃で焼成することで低温焼結誘電体磁器を製造する。これにより、Ａｇ及びＣｕまたはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる内部導体を有する積層構造電子部品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】特許文献１の高周波用誘電体磁器組成物の場合には、焼成温度が１３５０〜１４００℃と高温であり、積層コンデンサ用材料として使用するには依然として焼成温度が高すぎる。また、特許文献２の積層コンデンサの場合には、積層コンデンサの製造工程が複雑で製造に手間がかかり、しかも、接着層とセラミック層との熱収縮率の差により構造欠陥を生じる虞があって積層セラミックとしての小型化、多層化を実現することが難しい。
【解決手段】本発明の誘電体セラミック組成物は、一般式がＭｇ_ｘＳｉＯ_２＋ｘ＋ａＳｒ_ｙＴｉＯ_２＋ｙで表される誘電体セラミック組成物であって、上記一般式におけるｘ、ｙ及びａは、それぞれ１．７０≦ｘ≦１．９９、０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．０５≦ａ≦０．４０の関係を満足するものである。 （もっと読む）

高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式：ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−ｙＣａ（Ａｌ_b/2Ｎｂ_c/2）Ｏ_1+(3b+5c)/4−ｚＣａ（Ｍｇ_d/2Ｗ_e/2）Ｏ_1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅ（ただしｘ、ｙ、ｚはモル比である）は、０．４７５≦ｘ≦０．５８、０．２１≦ｙ≦０．５０５、０．０１８≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．９≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．１、０．９≦ｃ≦１．１、０．９≦ｄ≦１．１、０．９≦ｅ≦１．０５の範囲内にある。
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