誘電体磁器組成物及び電子部品
【課題】 中間域のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、Ｍ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、Ｍ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品に関する。更に詳しくは、比誘電率（εｒ）が比較的高く、無負荷品質係数（Ｑｕ）が大きく、且つ共振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値が小さい誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の移動体通信及び衛星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用した各種の通信システムが急速に発展し、これに伴って多くの誘電体材料が開発されている。これらの誘電体材料では、比誘電率（εｒ）、無負荷品質係数（Ｑｕ）及び共振周波数の温度係数（τｆ）の３つの誘電特性が重視され、概ねεｒはその値が大きいこと、Ｑｕはその値が大きいこと、τｆはその絶対値が小さいこと、が要求される。しかし、これらは相反するものであり、同時に全てを達することは困難である。このため、目的の範囲で各特性をコントロールできることが望まれている。
従来、上記のような用途で使用される誘電体材料として、下記特許文献１に開示されたεｒが２０〜３０程度であるＢａＯ−ＺｎＯ−Ｔａ２Ｏ５系材料（ＢａＺｎＴａ系）、及び、下記特許文献２に開示されたεｒが６０〜８０程度であるＢａＯ−ＲＥ２Ｏ３−ＴｉＯ２（ＲＥ：希土類元素）系材料（ＢａＲＥＴｉ系）が知られており、高周波用の共振器やフィルタの材料として実用化されている。しかし、未だこれらの材料の中間的なεｒを発揮する材料は少なく、近年、中間的なεｒを発揮する高周波用途の材料が求められている。
このような材料としては、下記特許文献３及び４に開示されたＣａＯ−ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５系材料（ＣａＴｉＡｌＮｂ系）が知られている。更に、本発明者らによる下記特許文献５が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特公昭５９−４８４８４号公報
【特許文献２】特公昭５９−３７５２６号公報
【特許文献３】特開２００１−３０２３３１号公報
【特許文献４】特開２００１−３０２３３３号公報
【特許文献５】特開２００２−３０８６７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献３及び４の材料はτｆのばらつきが大きい。このため、バランスのよい各誘電特性を細かく網羅するということが困難である。また、上記特許文献５の材料はτｆのばらつきが抑えられ、Ｑｕも比較的大きく優れた材料であるが、εｒが多少小さめであるという問題がある。
本発明は上記観点に鑑みてなされたものであり、上記中間域のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下に示す通りである。
（１）Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、
これらの元素について、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、Ｍ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たすことを特徴とする誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３２５
０．０５４<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
（２）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３００
０．０６２<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
（３）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．２７５
０．０６９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
（４）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４４４<ａ≦０．５００
０．１３３<ｂ≦０．２７５
０．０７５<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３２３
（５）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４５１<ａ≦０．５００
０．１４１<ｂ≦０．２７５
０．０７９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３００
（６）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜５モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（７）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜２モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（８）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜１モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（９）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜０．６モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１０）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜１０モル％含有する上記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１１）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜８モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１２）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜６モル％含有する上記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１３）上記希土類元素ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種である上記（１０）乃至（１２）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１４）本誘電体磁器組成物に含有されるＴｉの全量を１００モル％とした場合に、Ｔｉの３０モル％未満がＺｒ及び／又はＳｎに置換された上記（１）乃至（１３）のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１５）本誘電体磁器組成物に含有されるＡｌの全量を１００モル％とした場合に、Ａｌの３０モル％未満がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種に置換された上記（１）乃至（１４）のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１６）本誘電体磁器組成物に含有されるＭ２の全量を１００モル％とした場合に、Ｍ２の３０モル％未満がＳｂに置換された上記（１）乃至（１５）のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１７）上記（１）乃至（１６）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体部を備えることを特徴とする電子部品。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の誘電体磁器組成物によれば、４５〜６５程度のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆの絶対値を小さくコントロールできる。このため、バランスのよい誘電特性を細かく網羅することができ、種々目的に応じて誘電特性を選択できる。特にεｒの値の選択性を得ることができ、更に、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆの絶対値の小さい特性を得ることができる。
ＭｎをＭｎＯ２換算で５モル％以下含有する場合は、誘電特性にほとんど影響なく焼成時の酸素が供給されて、安定して目的とする誘電特性が得られる。
ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で１０モル％以下含有する場合は、各誘電特性のコントロールの自由度をより広くできる。
ＲＥがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種である場合は、特にεｒを保持しつつ、Ｑｕ及びτｆを向上させることができる。
Ｔｉの３０モル％未満がＺｒ及び／又はＳｎに置換された場合は、非置換時における各誘電特性値の近傍で各誘電特性をコントロールすることができ、所望の誘電特性の組み合わせを細かく網羅することができ、種々目的に応じて誘電特性を選択できる。特にＴｉをＺｒで置換した場合はεｒ及びＱｕにほとんど影響を与えることなくτｆの絶対値を小さくすることができる。また、ＴｉをＳｎで置換した場合はεｒにほとんど影響を与えることなくτｆ及びＱｕを細かくコントロールできる。
Ａｌの３０モル％未満がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種に置換された場合は、各誘電特性を非置換時における各誘電特性値の近傍でコントロールすることができる。特にＹ及びＹｂにより置換した場合は、τｆの絶対値を小さくすることができる。
Ｍ２の３０モル％未満がＳｂに置換された場合は、特に焼結性が向上され、安定して目的とする誘電特性が得られる。
本発明の電子部品によると、４５〜６５程度のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆを小さくコントロールできる。このため、バランスのよい誘電特性を細かく網羅した各電子部品を得ることができる。特にεｒの値の選択性を得ることができ、更に、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆの小さい特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明について、以下詳細に説明する。
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＯの各元素を含有してなる誘電体磁器組成物であって、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）により表した場合に、０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０、０．１７０<ｄ<０．３４６であることを特徴とする。尚、以下、この組成式を組成式［１］ともいう。
【０００８】
上記「Ｍ１」は、Ｃａ及びＳｒのうちの少なくとも一方を表す。従って、Ｍ１がＣａのみである場合、組成式［１］は［ａＣａＯ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｓｒのみである場合、組成式［１］は［ａＳｒＯ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｃａ及びＳｒの両方である場合、組成式［１］は［ａ（Ｃａ１−ｘＳｒｘ）Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表される。但し、ｘは０<ｘ<１である。
即ち、Ｍ１は「Ｃａのみ」、「Ｃａ及びＳｒの両方」、「Ｓｒのみ」のいずれであってもよい。ＣａとＳｒとは任意の割合で置換することができる。Ｍ１が「Ｃａ及びＳｒの両方」である場合、上記ｘの範囲は特に限定されないが、例えば、０．０１≦ｘ≦０．５とすることができ、更に０．０１≦ｘ≦０．３とすることができ、特に０．０１≦ｘ≦０．１とすることができる。
【０００９】
上記「ａ」は、組成式［１］中のＭ１Ｏのモル比を表す。このａは、０．４３６<ａ≦０．５００であり、０．４４４<ａ≦０．５００が好ましく、０．４５１<ａ≦０．５００がより好ましい。この範囲ではεｒを保持しつつ、特に大きなＱｕを得られる。
【００１０】
上記「ｂ」は、組成式［１］中のＴｉＯ２のモル比を表す。このｂは、０．１２４<ｂ≦０．３２５であり、０．１２４<ｂ≦０．３００が好ましく、０．１２４<ｂ≦０．２７５がより好ましく、０．１３３<ｂ≦０．２７５が更に好ましく、０．１４１<ｂ≦０．２７５が特に好ましい。この範囲ではεｒを保持しつつ、特にτｆの絶対値を小さく抑えることができる。
【００１１】
このＴｉは、その一部がＺｒ及び／又はＳｎにより置換されてもよい。即ち、Ｚｒのみに置換されている場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂ（Ｔｉ１−αＺｒα）Ｏ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｓｎのみにより置換されている場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂ（Ｔｉ１−βＳｎβ）Ｏ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｚｒ及びＳｎの両方である場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂ（Ｔｉ１−α−βＺｒαＳｎβ）Ｏ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表される。
【００１２】
このＴｉのＺｒ及び／又はＳｎによる置換量は、特に限定されないが、本誘電体組成物に含有されるＴｉの全量を１００モル％とした場合に３０モル％未満であることが好ましい（０．０１〜１０モル％がより好ましく、０．０１〜５モル％が特に好ましい）。即ち、β＝０である場合は０<α<０．３が好ましい（０．０１≦α≦０．１がより好ましく、０．０１≦α≦０．０５が特に好ましい）。また、α＝０である場合は０<β<０．３が好ましい（０．０１≦β≦０．１がより好ましく、０．０１≦β≦０．０５が特に好ましい）。更に、α≠０且つβ≠０である場合は０<α＋β<０．３が好ましい（０．０１≦α＋β≦０．１がより好ましく、０．０１≦α＋β≦０．０５が特に好ましい）。上記範囲では、各誘電特性を非置換時における各誘電特性値の近傍でコントロールすることができる。例えば、ＴｉをＺｒで置換するとεｒ及びＱｕにほとんど影響を与えることなく、τｆの絶対値を小さくすることができる。また、例えば、ＴｉをＳｎで置換するとεｒにほとんど影響を与えることなく、τｆの絶対値を小さくさせたり、Ｑｕを向上させたりと誘電特性を細かくコントロールできる。
【００１３】
上記「ｃ」は、組成式［１］中のＡｌ２Ｏ３のモル比を表す。このｃは、０．０５４<ｃ≦０．１５０であり、０．０６２<ｃ≦０．１５０が好ましく、０．０６９<ｃ≦０．１５０がより好ましく、０．０７５<ｃ≦０．１５０が更に好ましく、０．０７９<ｃ≦０．１５０が特に好ましい。この範囲ではεｒを保持しつつ、特にτｆの絶対値を小さく抑えることができる。
【００１４】
このＡｌは、その一部がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種により置換されてもよい。各元素により置換されている場合の組成式［１］は、前記Ｔｉの場合にならって各々表すことができる。このＡｌのＧａ、Ｙ及びＹｂによる置換の量は、特に限定されないが、本誘電体組成物に含有されるＡｌの全量を１００モル％とした場合に３０モル％未満であることが好ましい（０．０１〜１０モル％がより好ましく、０．０１〜５モル％が特に好ましい）。上記範囲では、各誘電特性を非置換時における各誘電特性値の近傍でコントロールすることができる。特にＹ及びＹｂにより置換した場合は、τｆの絶対値を小さくすることができる。
【００１５】
上記「Ｍ２」は、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくとも一方を表す。従って、Ｍ２がＮｂのみである場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＮｂ２Ｏ５］と表され、Ｔａのみである場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＴａ２Ｏ５］と表され、Ｎｂ及びＴａの両方である場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄ（Ｎｂ１−ｙＴａｙ）２Ｏ５］と表される。但し、ｙは０<ｙ<１である。
即ち、Ｍ２は「Ｎｂのみ」、「Ｎｂ及びＴａの両方」、「Ｔａのみ」のいずれであってもよいが、これらのなかでは「Ｎｂのみ」又は「Ｎｂ及びＴａの両方」であることが好ましい。これらの場合は、εｒを保持しつつ、Ｑｕを大きくでき、更に、τｆを適当な範囲にコントロールし易い。Ｍ２が「Ｎｂ及びＴａの両方」である場合、上記ｙの範囲は特に限定されないが、０．０１≦ｙ≦０．５とすることができ、更に０．０１≦ｙ≦０．３とすることができ、特に０．０５≦ｙ≦０．２とすることができる。この範囲であれば、εｒへの影響を抑えつつ、Ｑｕを大きくでき、またτｆの絶対値を小さくすることができる。
【００１６】
上記「ｄ」は、組成式［１］中のＭ２２Ｏ５のモル比を表す。このｄは、０．１７０<ｄ<０．３４６であり、０．１７０<ｄ<０．３２３が好ましく、０．１７０<ｃ≦０．３００がより好ましい。この範囲ではＱｕを保持しつつ、より大きなεｒが得られる。
【００１７】
このＭ２は、その一部がＳｂにより置換されてもよい。置換されている場合の組成式［１］は、前記Ｔｉの場合にならって各々表される。この置換量は、特に限定されないが、本誘電体組成物に含有されるＭ２の全量を１００モル％とした場合に３０モル％未満であることが好ましい（０．０１〜２０モル％がより好ましく、０．０１〜１０モル％が特に好ましい）。上記範囲では、特に焼結性を向上させることができ、その結果、安定して目的とする誘電特性を得ることができる。
【００１８】
上記各ａ〜ｄの好ましい範囲は、各々の組み合せとすることもできる。即ち、例えば、０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３００、０．０６２<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ<０．３４６とすることができ、更に、０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．２７５、０．０６９<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ<０．３４６とすることができ、より更に０．４４４<ａ≦０．５００、０．１３３<ｂ≦０．２７５、０．０７５<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ<０．３２３とすることができ、特に０．４５１<ａ≦０．５００、０．１４１<ｂ≦０．２７５、０．０７９<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ≦０．３００とすることができる。これらの範囲では、εｒを保持しつつ、大きなＱｕ値を得られ、且つ、τｆの絶対値は小さく抑えることができる。即ち、例えば、εｒは４５以上（通常６５以下）であり、Ｑｕ×ｆ０は１００００ＧＨｚ以上であり、τｆは−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃とすることができる。
【００１９】
本誘電体磁器組成物に含まれる結晶相は特に限定されないが、ペロブスカイト型の結晶構造を呈し、組成式［Ｍ１（ＡｌκＭ２κＴｉ１−２κ）Ｏ３］（但し、０．１７５≦κ≦０．３）で表される結晶相を主結晶相とすることが好ましい。更に、副結晶相は認められてもよいが、副結晶相が認められないことがより好ましい。即ち、主結晶相内に上記組成式に含まれない元素が固溶されていることがより好ましい。
【００２０】
本誘電体磁器組成物には、上記組成式［１］外の組成として遷移金属元素の酸化物（複酸化物を含む）、Ｂ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ及びＢｉ等のうちの少なくとも１種を含む酸化物（複酸化物を含む）等を含有できる。これらの元素の本誘電体磁器組成物中における酸化数（価数）は特に限定されない。上記遷移金属元素としては、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｈｆ及びＷ等が挙げられる。上記遷移金属元素及び上記それ以外の元素のうちでは、遷移金属元素が好ましく、そのなかではＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｕがより好ましく、更には、Ｍｎが特に好ましい。これらの遷移金属元素は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。Ｍｎは特に各誘電特性を向上させることができる。これらの酸化物の含有量は特に限定されないが、本誘電体磁器組成物を１００モル％とした場合に、上記元素の酸化物換算合計量は５モル％以下（より好ましくは２モル％以下、更に好ましくは１モル％以下、特に好ましくは０．６モル％以下、含有する場合は通常０．０１モル％以上）が好ましい。この範囲では、Ｑｕをより大きな値に保持し易い。また、これらの酸化物が含有される理由は問わないが、例えば、製造時に酸素供給剤として配合された酸化物に由来する場合が挙げられる。
尚、上記酸化物換算を行う場合、上記の各元素は各々、ＭｎＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＭｏＯ３、ＨｆＯ２、ＷＯ３、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｂＯ２及びＢｉ２Ｏ３として換算するものとする。
【００２１】
本誘電体磁器組成物には、上記組成式［１］外の組成として希土類元素ＲＥの酸化物（複酸化物を含む）を含有することができる。ＲＥを含有することにより各誘電特性のコントロールの自由度が広くなる。これらの元素の本誘電体磁器組成物中における酸化数（価数）は特に限定されない。上記ＲＥとしては、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｙｂ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕが挙げられる。これらのなかでもＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂが好ましい。これらのＲＥは、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの酸化物の含有量は特に限定されないが、本誘電体磁器組成物を１００モル％とした場合に、上記ＲＥのＲＥ２Ｏ３換算合計量は１０モル％以下（より好ましくは８モル％以下、更に好ましくは６モル％以下、含有する場合は通常０．１モル％以上）が好ましい。この範囲では、εｒを保持しつつ、高いＱｕ且つ絶対値の小さなτｆを得易い。
【００２２】
上記組成式［１］で表される誘電体磁器組成物は、Ｍ１ＴｉＯ３と、Ｍ１（Ａｌ０．５Ｍ２０．５）Ｏ３と、Ｍ１Ｍ２２Ｏ６との３種の複酸化物が相互に固溶して得られた誘電体磁器組成として考えることができる。即ち、組成式［ｒＭ１ＴｉＯ３−ｓＭ１（Ａｌ０．５Ｍ２０．５）Ｏ３−ｔＭ１１／３Ｍ２２／３Ｏ６／３］（但しＭ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ｒ、ｓ及びｔは各々モル比を表し、ｒ＋ｓ＋ｔ＝１である）と表すことができる（以下、この組成式を組成式［２］ともいう）。
【００２３】
この組成式［２］においては、上記ｒ、上記ｓ及び上記ｔの相関を三角図に表した場合に、ｒ、ｓ及びｔの各々の値に対応する点は、図５におけるＰ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４を頂点とする四辺形のうち、辺Ｐ１Ｐ２を除く領域にあることが好ましい。この領域はＰ１’Ｐ２Ｐ３Ｐ４’を頂点とする四辺形のうち、辺Ｐ１’Ｐ２を除く領域であることがより好ましく、Ｐ１’Ｐ２Ｐ３’Ｐ４"を頂点とする四辺形のうち、辺Ｐ１’Ｐ２を除く領域であることが特に好ましい。但し、上記各点（ｒ、ｓ、ｔ）は、以下の通りである。
Ｐ１ ；（０．４８７９、０．２６２７、０．２４９４）
Ｐ２ ；（０．３７０２、０．５５５３、０．０７４５）
Ｐ３ ；（０．１８、０．２７、０．５５）
Ｐ４ ；（０．２９２５、０．１５７５、０．５５）
Ｐ１’；（０．４４６６、０．３６５４、０．１８８０）
Ｐ３’；（０．２２、０．３３、０．４５）
Ｐ４’；（０．２４７５、０．２０２５、０．５５）
Ｐ４" ；（０．３０２５、０．２４７５、０．４５）
これらの領域ではτｆの絶対値がより小さな特性を得ることができる。また、この組成物では上記各複酸化物のうちＭ１Ｍ２２Ｏ６（組成式［２］中ではＭ１１／３Ｍ２２／３Ｏ６／３と表記）が含有されることが好ましいと考えられる。Ｍ１Ｍ２２Ｏ６が含有されることで、Ｑｕ及びτｆの各々誘電特性を保持しながらεｒを目的とする値に引き上げていると考えられるからである。
【００２４】
本発明の誘電体磁器組成物は、εｒを４５〜６３（更に４８〜６０、特に５０〜５８、とりわけ５３〜５８）とすることができる。また、Ｑｕと共振周波数ｆ０との積であるＱｕ×ｆ０を１００００ＧＨｚ以上（更に１１０００ＧＨｚ以上、特に１２０００ＧＨｚ以上、とりわけ１２５００ＧＨｚ以上）、及び共振周波数の温度係数τｆを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃（更に−１２〜＋１２ｐｐｍ／℃、特に−１０〜＋１０ｐｐｍ／℃、とりわけ５〜＋５ｐｐｍ／℃）とすることができる。
例えば、他の誘電特性のバランスを保持しつつ、εｒを特に大きく得ようとする場合には、０．４４４≦ａ≦０．４６２、０．１３３≦ｂ≦０．１７３、０．０９６≦ｃ≦０．１０８、且つ、０．２６１≦ｄ≦０．３２３とすることにより、εｒは５３〜５９、Ｑｕ×ｆ０は１００００〜１３０００ＧＨｚ、τｆは０〜１５ｐｐｍ／℃とすることができる。
また、例えば、他の誘電特性のバランスを保持しつつ、Ｑｕを大きく得ようとする場合には、０．４５８≦ａ≦０．４８７、０．１２４≦ｂ≦０．２１７、０．１１７≦ｃ≦０．１２９、且つ、０．１７５≦ｄ≦０．２９２とすることにより、εｒは４７〜５３、Ｑｕ×ｆ０は１２５００〜１５０００ＧＨｚ、τｆは−１５〜０ｐｐｍ／℃とすることができる。
更に、例えば、他の誘電特性のバランスを保持しつつ、τｆの絶対値を特に小さく得ようとする場合には、０．４３２≦ａ≦０．４８７、０．１４４≦ｂ≦０．２２３、０．１０１≦ｃ≦０．１３９、且つ、０．１７５≦ｄ≦０．３２３とすることにより、εｒは４８〜５８、Ｑｕ×ｆ０は９０００〜１５０００ＧＨｚ、τｆは−４〜４ｐｐｍ／℃とすることができる。
即ち、目的に合わせて幅広く誘電特性をコントロールでき、バランスのよい誘電特性を細かく網羅でき、種々目的に応じた誘電特性を選択できる。
【００２５】
［２］誘電体磁器組成物の製造方法
本誘電体磁器組成物の製造方法は特に限定されないが、例えば、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２のモル比が上記組成式［１］における各元素のモル比となるように、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２の各々が含有された原料組成物を熱処理して得ることができる。
また、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２と各々置換可能な前記元素を含有する誘電体磁器組成物を得る場合には、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍ２及び各置換可能な前記元素のモル比が上記組成式［１］における各元素のモル比となるように、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍ２及び各置換可能な前記元素の各々が含有された原料組成物を熱処理して得ることができる。
更に、上記組成式［１］外にＭｎ及びＲＥ等を含む副成分を含有する誘電体磁器組成物を得る場合は、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２のモル比が上記組成式［１］における各元素のモル比となるように、且つ、副成分を構成する各元素が前記範囲を満たすように、各々が含有された原料組成物を熱処理して得ることができる。
【００２６】
上記原料組成物は、各元素を各々個別に含む原料の混合物等であってもよく、複数の元素を含む複酸化物の混合物等であってもよい。
上記各元素を各々個別に含む原料とは、例えば、Ｃａ化合物、Ｓｒ化合物、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｎｂ化合物、Ｔａ化合物、Ｚｒ化合物、Ｓｎ化合物、Ｙ化合物、Ｙｂ化合物、Ｓｂ化合物、及びその他のＲＥ化合物等が挙げられる。更に、これらの各化合物は、通常、各元素の酸化物又は熱処理されて酸化物となる化合物とすることができる。このうち熱処理されて酸化物となる化合物の種類は特に限定されず、例えば、炭酸塩、水酸化物、炭酸水素塩、硝酸塩及び有機金属化合物等が挙げられる。これらの酸化物及び熱処理されて酸化物となる化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、各原料の形態も特に限定されず、粉末又は液状物等を用いることができる。更に、上記複数の元素を含む複酸化物としては、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、（Ｃａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３、Ｃａ（Ａｌ０．５Ｎｂ０．５）ＴｉＯ３、Ｃａ（Ａｌ０．５Ｔａ０．５）ＴｉＯ３、Ｃａ（Ａｌ１／２Ｎｂ１／４Ｔａ１／４）ＴｉＯ３、ＣａＮｂ２Ｏ６、ＣａＴａ２Ｏ６、Ｃａ（Ｎｂ０．５Ｔａ０．５）２Ｏ６等が挙げられる。これらの複酸化物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、前記各原料と併用してもよく、併用してなくてもよい。
【００２７】
上記「熱処理」は、誘電体磁器組成物が得られる条件であれば特に限定されない。即ち、例えば、熱処理は焼成工程のみの１段で行ってもよく、仮焼工程と焼成工程との２段で行ってもよい。２段で行う場合には連続的に行ってもよく、非連続的に行ってもよい。
焼成工程（上記２段の場合は第２熱処理工程）は、焼成されて誘電体磁器組成物となる、原料組成物（上記２段の場合は仮焼成分）を含む成形体を焼成する工程である。焼成工程における焼成温度は特に限定されないが、例えば、１１００〜１７００℃（より好ましくは１３００〜１６００℃）とすることができる。この温度範囲であれば、成形体を十分に焼結できると共に緻密化することができる。また、焼成時間は特に限定されないが、１時間以上（通常１００時間以下）とすることができる。
更に、焼成雰囲気は特に限定されず、酸化性雰囲気であっても、非酸化性雰囲気であってもよい。酸化性雰囲気としては、大気雰囲気が挙げられる。また、非酸化性雰囲気とは、酸素分圧が小さい雰囲気であり、通常、酸素分圧が１０Ｐａ以下（好ましくは０．１Ｐａ以下、通常０．０００１Ｐａ以上）に保持されている雰囲気である。非酸化性雰囲気を構成する気体は特に限定されないが、例えば、窒素及びアルゴン等の希ガスなどの不活性ガスが挙げられる。また、焼成雰囲気は、湿潤雰囲気であってもよく、非湿潤雰囲気であってもよい。湿潤雰囲気とは、露点管理がされた雰囲気であり、通常、露点が９０℃以下（好ましくは８０℃以下、通常３０℃以上）に保たれている雰囲気である。更に、この焼成は加圧焼成でもよく、非加圧焼成でもよい。
【００２８】
仮焼工程（上記２段の場合は第１熱処理工程）は、原料組成物を仮焼して仮焼物を得る工程である。原料組成物を混合し、成形して得た成形体を仮焼工程を経ずに直接焼成した場合、後の焼成工程においても十分に焼結させることができない場合がある。これに対して仮焼を行うと、上記の原料組成物が反応して目的の化合物が生成し、後の焼成工程における焼成温度を効果的に低下させることができる。
仮焼工程における仮焼温度は特に限定されないが６００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１３００℃）とすることができる。この温度範囲であれば、未反応の原料成分が残存し難く、また、焼結してしまい仮焼物の粉砕が困難となることもない。この仮焼における仮焼時間は特に限定されないが、１時間以上（通常２０時間以下）とすることができる。更に、仮焼雰囲気は特に限定されず、前記焼成雰囲気と同様な各種雰囲気を用いることができ、焼成雰囲気と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００２９】
これらの熱処理条件は各々の組合せとすることができる。即ち、例えば、各元素を個別に含有する原料の混合物を大気雰囲気下６００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１３００℃）で１〜２０時間仮焼し、その後、仮焼物を粉砕した後、成形し、次いで、大気雰囲気下１１００〜１７００℃（より好ましくは１３００〜１６００℃）で１〜１００時間焼成することで得ることができる。
【００３０】
本発明の製造方法では、上記熱処理を行う熱処理工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、例えば、（１）仮焼物を粉砕して得られた仮焼粉末を造粒する造粒工程、及び、（２）上記（１）で得られた造粒粉末を成形して成形体を得る成形工程等が挙げられる。
上記造粒工程は、仮焼により得られた仮焼物を粉砕等して得られた仮焼粉末にバインダ、溶剤、可塑剤及び分散剤等を含有させて成形に適した粒子状態にする工程である。造粒方法は特に限定されず、スプレードライ法等を用いることができる。また、成形工程は、前記造粒工程で得られた造粒粉末を成形して成形体を得る工程である。この工程では、通常、造粒粉末等には、バインダ、溶剤、可塑剤及び分散剤等を含有させることで成形性を付与する。また、成形方法は、特に限定されず、一軸プレスや、冷間等方静水圧プレス（以下、単に「ＣＩＰ」という）等の種々の方法で行うことができる。
【００３１】
［３］電子部品
本発明の電子部品は、本誘電体磁器組成物からなる誘電体部を備えることを特徴とする。
上記「誘電体部」は、前記本発明の誘電体磁器組成物からなる。また、その形状及び大きさ等は特に限定されない。この誘電体部は、例えば、フィルタ、デュプレクサ、共振器、ＬＣデバイス、カプラ、ダイプレクサ、ダイオード、誘電体アンテナ、セラミックコンデンサ、配線基板及びパッケージ等の磁器製部分として用いることができる。これらの用途により、適した形状及び大きさ等とすることが好ましい。
また、本電子部品には、誘電体部以外にも他部を備えることができる。他部としては、導体部が挙げられる。導体部は、通常、誘電体部の表面及び／又は内部に形成された導電性を有する部分である。この導体部は、誘電体部と同時焼成されたものであってもよく、同時焼成されていないものであってもよい。導体部を構成する導体材料は特に限定されず、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ及びＩｒ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【００３２】
即ち、本発明の電子部品としては、本発明の誘電体磁器組成物からなる円筒形状の誘電体部を備える誘電体共振器が挙げられる。
また、列設された複数の貫通孔を備える直方体形状の誘電体部と、誘電体部の所定外表面及び貫通孔内を覆う導体部とを備えるデュプレクサ及び誘電体フィルタが挙げられる。
更に、積層された複数の薄板形状の誘電体部と、各誘電体部間に形成された導体パターンと、導体パターン同士を電気的に接続するスルーホール導体又は外表面導体と、を備える誘電体積層チップアンテナが挙げられる。
また、直方体形状の誘電体部と、誘電体部の長手方向の一端に配設された給電電極と、他端に配設された固定電極と、誘電体部の側面を螺旋状に巻回し一端が給電電極に接続され且つ他端が自由端である放射電極と、を備える誘電体チップアンテナが挙げられる。
更に、積層された複数の薄板形状の誘電体部と、各誘電体部間及び所定の外表面に形成された導体パターンと、導体パターン同士を電気的に接続するスルーホール導体又は外表面導体と、を備えるＬＣフィルタ、セラミックコンデンサ、及び、セラミック配線基板が挙げられる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（１）誘電体磁器組成物の作製
市販のＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｎＯ２、ＲＥ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３及びＳｂ２Ｏ５の各粉末を、それぞれ酸化物換算で、組成式［１］中のａ〜ｄの値が表１の組み合わせとなるように秤量した。次いで、これらの各粉末（原料）をエタノールを溶媒として湿式混合して混合粉末（原料組成物）を得た。この混合粉末を大気雰囲気において１２００℃で２時間仮焼した。その後、この仮焼物に分散剤、バインダ及びエタノールを加え、ボールミルにより粉砕してスラリーにした。次いで、このスラリーを乾燥させて造粒して造粒粉末とした。その後、この造粒粉末を２０ＭＰａの圧力で一軸プレスを行い、円柱状に成形した。その後、１５０ＭＰａの圧力でＣＩＰ（冷間等方静水圧プレス）処理を行い、この成形体を大気雰囲気において１５００℃で３時間保持し、焼成して、実験例１〜４９の誘電体磁器組成物からなる誘電体を得た。
【００３４】
【表１】
尚、表１中の「＊」は本発明の範囲に含まれないことを示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
尚、例えば、実験例３２において「ａ＝０．４５８３」は、ＣａＯとＳｒＯとの合計モル比を表し、「ａ」全体の「２．５％」にあたる０．０１１５（モル比）が「Ｓｒ」となるように、上記「ＣａＣＯ３」に換えて「ＳｒＣＯ３」を配合したことを示すものである。「Ｔｉ置換」、「Ａｌ置換」及び「Ｎｂ置換」等についても同様である。
【００３７】
（２）誘電特性の測定
得られた実験例１〜４９の各誘電体の表面を研磨した後、平行導体板型誘電体共振器法により、測定周波数３〜５ＧＨｚにおいて、εｒ、Ｑｕ及びτｆを測定した。但し、τｆの測定温度範囲は２５〜８０℃とした。また、Ｑｕについては、共振周波数ｆ０との積（Ｑｕ×ｆ０）として評価した。これらの結果を上記表１〜３に併記した。
【００３８】
表１〜３によれば、ａが下限値０．４３６を下回り且つｄが０．３４６を超える実験例２は、Ｑｕ×ｆ０が２６００ＧＨｚと小さく、また、τｆは６５とその絶対値が大きい。
これに対して、ａ、ｂ、ｃ及びｄのいずれもが本発明の範囲内である実験例１及び実験例３〜４９では、Ｑｕ×ｆ０は１００００〜１４４００ＧＨｚと実験例２に対して３．８〜５．５倍も高く、優れたＱｕが得られることが分かる。更に、τｆは−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃と比較的狭い数値範囲に制御され、その絶対値は実験例２の２３％と小さい。また、εｒは４８〜５８と目的とする中間域の値を安定して得ることができ、この中間域のなかで幅広く調整できることが分かる。従って、バランスのよい誘電特性を細かく網羅でき、種々目的に応じて誘電特性を選択できる誘電体磁器組成物であることが分かる。
【００３９】
また、実験例２６〜３１より、組成式［１］外の組成として希土類元素酸化物を含有することで、εｒは４９〜５４と目的とする中間域の値を保持し、且つ、Ｑｕ×ｆ０は１１７００〜１２９００ＧＨｚの範囲に保持しつつ、τｆを−２〜１２とその絶対値が小さい範囲に制御できることが分かる。
【００４０】
更に、実験例１７、３２及び３３より、ＣａとＳｒとの置換は、いずれの誘電特性にもほとんど影響を与えず行うことができることが分かる。また、実験例１７及び３４〜３７より、Ｔｉに対してＺｒ及び／又はＳｎを置換した場合は、εｒ及びＱｕをほとんど変化させず、τｆを向上させることができることが分かる。即ち、各々２．５〜５．０％の置換で２０〜８０％もの向上（絶対値が０に近づく）が認められる。実験例１７及び４０〜４３より、Ａｌに対してＹ及びＹｂを置換した場合は、εｒ及びＱｕをほとんど変化させず、τｆを向上させることができることが分かる。即ち、各々２．５〜５．０％の置換で４０〜８０％もの向上（絶対値が０に近づく）が認められる。実験例１７及び４４及び４５より、ＡｌとＧａとの置換は、いずれの誘電特性にもほとんど影響を与えず行うことができることが分かる。実験例１７及び４６〜４９より、Ｎｂに対してＴａ及びＳｂを置換した場合は、εｒ及びＱｕをほとんど変化させず、τｆを向上させることができることが分かる。即ち、各々２．５〜５．０％の置換で２０〜５０％の向上（絶対値が０に近づく）が認められる。
【００４１】
（３）Ｘ線回折測定
上記（１）で得られた実験例１（本発明品）と実験例２（比較品）との各誘電体磁器をＸ線回折測定に供した。この結果を多重チャートにして図１に示した。図１中の上段は実験例２のチャートであり、下段は実験例１のチャートである。
これらについて同定を行ったところ、各チャート内の黒塗りの逆三角マークが施された各ピークはいずれも主結晶相のピークであり、ペロブスカイト型を呈していることが分かった。また、上段のチャート内の黒丸マークが施されたピークは析出された副結晶相であり、この副結晶相は、ＣａＮｂ２Ｏ６であることが分かった。これらのことから、実験例１の誘電体磁器にはＣａ（ＡｌκＮｂκＴｉ１−２κ）Ｏ３をベースとするペロブスカイト型の複酸化物に、過剰の成分が固溶しているものと考えられる。一方、実験例２の誘電体磁器には、Ａｌ及びＴｉに対して過度に多いＮｂが配合されたため、ＣａＮｂ２Ｏ６が別相として析出したものと考えられる。このＣａＮｂ２Ｏ６の含有によりεｒの向上が認められるが、別相としては析出されず、固溶されていることが好ましいものと考えられる。
【００４２】
また、下段のチャート内の黒塗りの逆三角マークが施された各ピークはいずれも、上段のチャート内に示された主結晶相のピークに極めて似ているが、一部のピークの立上り部分にブロード化及びピーク位置のシフト等が認められた。更に、この実験例１では主結晶相のみを構成するのに必要量を超える量の原料を配合しているにも関わらず、主結晶相以外のピークが認められない。これらのことから、下段のチャートは余剰な成分が主結晶相中に固溶しているものと考えられる。
【００４３】
誘電体共振器の製造
本誘電体磁器組成物を、誘電体共振器として用いた場合を以下に説明する。
上記（１）における表１内の実験例１と同様にして造粒した造粒粉を用い、一軸プレスにて円筒形状の未焼成体を成形した。得られた未焼成体を、大気雰囲気において１５００℃で３時間保持して焼成し、内径６．８ｍｍ、上部（高さ１２ｍｍ）の外径２６ｍｍ、下部（高さ１３ｍｍ）の外径１５ｍｍの外径が異なる２つの円筒形を積み上げた形状の誘電体部（図２の１１、即ち、誘電体部）を得た。その後、得られた誘電体部を、金属製のケーシング１２内の底面に固定して共振器１を得た。
【００４４】
デュプレクサの製造
本誘電体磁器組成物を、デュプレクサとして用いた場合を以下に説明する。
上記（１）における表１内の実験例１と同様にして造粒した造粒粉を用い、一軸プレスにて列設された貫通孔（図３及び４の２１１及び２１２）を有する直方体形状（図３及び４の２１と同じ形状）の未焼成体を成形した。得られた未焼成体を、大気雰囲気において１５００℃で３時間保持し、焼成してデュプレクサ用の誘電体部（図３及び４の２１）を得た。その後、得られた誘電体部の所定の外表面（貫通孔の表面を含む）に導体用銀ペーストを印刷して焼き付け、導体部２２を形成し、デュプレクサ２を得た。
即ち、デュプレクサ２は、共振器２１１又は励振孔２１２となる平行に孔設された貫通孔を有する直方体形状の誘電体部２１と、この誘電体部２１の貫通孔が開口する開放端面を除く所定の外表面（貫通孔の表面を含む）を覆う導体部２２とを備える。
【００４５】
尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。また、本発明の誘電体材料の誘電特性に、実質的に影響を及ぼさない範囲で他の成分及び／又は不可避不純物等が含有されていてもよい。
尚、以下に前記組成式［２］により上記実験例１〜４９を表した場合の前記ｒ、ｓ及びｔを下記表４に示す。
【００４６】
【表４】
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の誘電体部品の用途は、特に限定されず、マイクロ波帯域及びミリ波帯域において使用される各種電子部品として利用することができる。この各種電子部品としては、フィルタ、デュプレクサ、共振器、ＬＣデバイス、カプラ、ダイプレクサ、ダイオード、誘電体アンテナ及びセラミックコンデンサ等の個別部品類などが挙げられる。更には、汎用基板、各種機能部品が埋め込まれた機能基板（ＬＴＣＣ多層デバイス等）などの基板類、ＭＰＵ及びＳＡＷ等のパッケージ類、これら個別部品類、基板類及びパッケージ類の少なくともいずれかを備えるモジュール類等が挙げられる。また、これらの電子部品は、各種のマイクロ波帯域及び／又はミリ波帯域の電波を利用する移動体通信機器、移動体通信基地局機器、衛星通信機器、衛星通信基地局機器、衛星放送機器、無線ＬＡＮ機器、及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）用機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実験例１（下段チャート）及び実験例２（上段チャート）のＸ線回折測定により得られたチャートによる説明図である。
【図２】本発明の電子部品の一例である誘電体共振器の概形を示す模式図である。
【図３】本発明の電子部品の一例であるデュプレクサの概形を示す斜視図である。
【図４】図３に示すデュプレクサの模式的な断面図である。
【図５】組成式［２］に関する三角図である。
【符号の説明】
【００４９】
１；誘電体共振器、１１；誘電体部、１２；ケーシング、２；デュプレクサ、２１；誘電体部、２１１；共振器（貫通孔）、２１２；励振孔（貫通孔）、２２；導体部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品に関する。更に詳しくは、比誘電率（εｒ）が比較的高く、無負荷品質係数（Ｑｕ）が大きく、且つ共振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値が小さい誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の移動体通信及び衛星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用した各種の通信システムが急速に発展し、これに伴って多くの誘電体材料が開発されている。これらの誘電体材料では、比誘電率（εｒ）、無負荷品質係数（Ｑｕ）及び共振周波数の温度係数（τｆ）の３つの誘電特性が重視され、概ねεｒはその値が大きいこと、Ｑｕはその値が大きいこと、τｆはその絶対値が小さいこと、が要求される。しかし、これらは相反するものであり、同時に全てを達することは困難である。このため、目的の範囲で各特性をコントロールできることが望まれている。
従来、上記のような用途で使用される誘電体材料として、下記特許文献１に開示されたεｒが２０〜３０程度であるＢａＯ−ＺｎＯ−Ｔａ２Ｏ５系材料（ＢａＺｎＴａ系）、及び、下記特許文献２に開示されたεｒが６０〜８０程度であるＢａＯ−ＲＥ２Ｏ３−ＴｉＯ２（ＲＥ：希土類元素）系材料（ＢａＲＥＴｉ系）が知られており、高周波用の共振器やフィルタの材料として実用化されている。しかし、未だこれらの材料の中間的なεｒを発揮する材料は少なく、近年、中間的なεｒを発揮する高周波用途の材料が求められている。
このような材料としては、下記特許文献３及び４に開示されたＣａＯ−ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５系材料（ＣａＴｉＡｌＮｂ系）が知られている。更に、本発明者らによる下記特許文献５が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特公昭５９−４８４８４号公報
【特許文献２】特公昭５９−３７５２６号公報
【特許文献３】特開２００１−３０２３３１号公報
【特許文献４】特開２００１−３０２３３３号公報
【特許文献５】特開２００２−３０８６７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献３及び４の材料はτｆのばらつきが大きい。このため、バランスのよい各誘電特性を細かく網羅するということが困難である。また、上記特許文献５の材料はτｆのばらつきが抑えられ、Ｑｕも比較的大きく優れた材料であるが、εｒが多少小さめであるという問題がある。
本発明は上記観点に鑑みてなされたものであり、上記中間域のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下に示す通りである。
（１）Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、
これらの元素について、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、Ｍ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たすことを特徴とする誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３２５
０．０５４<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
（２）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３００
０．０６２<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
（３）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．２７５
０．０６９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
（４）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４４４<ａ≦０．５００
０．１３３<ｂ≦０．２７５
０．０７５<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３２３
（５）上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす上記（１）に記載の誘電体磁器組成物。
０．４５１<ａ≦０．５００
０．１４１<ｂ≦０．２７５
０．０７９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３００
（６）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜５モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（７）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜２モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（８）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜１モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（９）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜０．６モル％含有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１０）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜１０モル％含有する上記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１１）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜８モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１２）本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜６モル％含有する上記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１３）上記希土類元素ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種である上記（１０）乃至（１２）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１４）本誘電体磁器組成物に含有されるＴｉの全量を１００モル％とした場合に、Ｔｉの３０モル％未満がＺｒ及び／又はＳｎに置換された上記（１）乃至（１３）のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１５）本誘電体磁器組成物に含有されるＡｌの全量を１００モル％とした場合に、Ａｌの３０モル％未満がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種に置換された上記（１）乃至（１４）のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１６）本誘電体磁器組成物に含有されるＭ２の全量を１００モル％とした場合に、Ｍ２の３０モル％未満がＳｂに置換された上記（１）乃至（１５）のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
（１７）上記（１）乃至（１６）のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体部を備えることを特徴とする電子部品。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の誘電体磁器組成物によれば、４５〜６５程度のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆの絶対値を小さくコントロールできる。このため、バランスのよい誘電特性を細かく網羅することができ、種々目的に応じて誘電特性を選択できる。特にεｒの値の選択性を得ることができ、更に、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆの絶対値の小さい特性を得ることができる。
ＭｎをＭｎＯ２換算で５モル％以下含有する場合は、誘電特性にほとんど影響なく焼成時の酸素が供給されて、安定して目的とする誘電特性が得られる。
ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で１０モル％以下含有する場合は、各誘電特性のコントロールの自由度をより広くできる。
ＲＥがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種である場合は、特にεｒを保持しつつ、Ｑｕ及びτｆを向上させることができる。
Ｔｉの３０モル％未満がＺｒ及び／又はＳｎに置換された場合は、非置換時における各誘電特性値の近傍で各誘電特性をコントロールすることができ、所望の誘電特性の組み合わせを細かく網羅することができ、種々目的に応じて誘電特性を選択できる。特にＴｉをＺｒで置換した場合はεｒ及びＱｕにほとんど影響を与えることなくτｆの絶対値を小さくすることができる。また、ＴｉをＳｎで置換した場合はεｒにほとんど影響を与えることなくτｆ及びＱｕを細かくコントロールできる。
Ａｌの３０モル％未満がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種に置換された場合は、各誘電特性を非置換時における各誘電特性値の近傍でコントロールすることができる。特にＹ及びＹｂにより置換した場合は、τｆの絶対値を小さくすることができる。
Ｍ２の３０モル％未満がＳｂに置換された場合は、特に焼結性が向上され、安定して目的とする誘電特性が得られる。
本発明の電子部品によると、４５〜６５程度のεｒを発現でき、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆを小さくコントロールできる。このため、バランスのよい誘電特性を細かく網羅した各電子部品を得ることができる。特にεｒの値の選択性を得ることができ、更に、εｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτｆの小さい特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明について、以下詳細に説明する。
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＯの各元素を含有してなる誘電体磁器組成物であって、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）により表した場合に、０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０、０．１７０<ｄ<０．３４６であることを特徴とする。尚、以下、この組成式を組成式［１］ともいう。
【０００８】
上記「Ｍ１」は、Ｃａ及びＳｒのうちの少なくとも一方を表す。従って、Ｍ１がＣａのみである場合、組成式［１］は［ａＣａＯ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｓｒのみである場合、組成式［１］は［ａＳｒＯ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｃａ及びＳｒの両方である場合、組成式［１］は［ａ（Ｃａ１−ｘＳｒｘ）Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表される。但し、ｘは０<ｘ<１である。
即ち、Ｍ１は「Ｃａのみ」、「Ｃａ及びＳｒの両方」、「Ｓｒのみ」のいずれであってもよい。ＣａとＳｒとは任意の割合で置換することができる。Ｍ１が「Ｃａ及びＳｒの両方」である場合、上記ｘの範囲は特に限定されないが、例えば、０．０１≦ｘ≦０．５とすることができ、更に０．０１≦ｘ≦０．３とすることができ、特に０．０１≦ｘ≦０．１とすることができる。
【０００９】
上記「ａ」は、組成式［１］中のＭ１Ｏのモル比を表す。このａは、０．４３６<ａ≦０．５００であり、０．４４４<ａ≦０．５００が好ましく、０．４５１<ａ≦０．５００がより好ましい。この範囲ではεｒを保持しつつ、特に大きなＱｕを得られる。
【００１０】
上記「ｂ」は、組成式［１］中のＴｉＯ２のモル比を表す。このｂは、０．１２４<ｂ≦０．３２５であり、０．１２４<ｂ≦０．３００が好ましく、０．１２４<ｂ≦０．２７５がより好ましく、０．１３３<ｂ≦０．２７５が更に好ましく、０．１４１<ｂ≦０．２７５が特に好ましい。この範囲ではεｒを保持しつつ、特にτｆの絶対値を小さく抑えることができる。
【００１１】
このＴｉは、その一部がＺｒ及び／又はＳｎにより置換されてもよい。即ち、Ｚｒのみに置換されている場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂ（Ｔｉ１−αＺｒα）Ｏ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｓｎのみにより置換されている場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂ（Ｔｉ１−βＳｎβ）Ｏ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表され、Ｚｒ及びＳｎの両方である場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂ（Ｔｉ１−α−βＺｒαＳｎβ）Ｏ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］と表される。
【００１２】
このＴｉのＺｒ及び／又はＳｎによる置換量は、特に限定されないが、本誘電体組成物に含有されるＴｉの全量を１００モル％とした場合に３０モル％未満であることが好ましい（０．０１〜１０モル％がより好ましく、０．０１〜５モル％が特に好ましい）。即ち、β＝０である場合は０<α<０．３が好ましい（０．０１≦α≦０．１がより好ましく、０．０１≦α≦０．０５が特に好ましい）。また、α＝０である場合は０<β<０．３が好ましい（０．０１≦β≦０．１がより好ましく、０．０１≦β≦０．０５が特に好ましい）。更に、α≠０且つβ≠０である場合は０<α＋β<０．３が好ましい（０．０１≦α＋β≦０．１がより好ましく、０．０１≦α＋β≦０．０５が特に好ましい）。上記範囲では、各誘電特性を非置換時における各誘電特性値の近傍でコントロールすることができる。例えば、ＴｉをＺｒで置換するとεｒ及びＱｕにほとんど影響を与えることなく、τｆの絶対値を小さくすることができる。また、例えば、ＴｉをＳｎで置換するとεｒにほとんど影響を与えることなく、τｆの絶対値を小さくさせたり、Ｑｕを向上させたりと誘電特性を細かくコントロールできる。
【００１３】
上記「ｃ」は、組成式［１］中のＡｌ２Ｏ３のモル比を表す。このｃは、０．０５４<ｃ≦０．１５０であり、０．０６２<ｃ≦０．１５０が好ましく、０．０６９<ｃ≦０．１５０がより好ましく、０．０７５<ｃ≦０．１５０が更に好ましく、０．０７９<ｃ≦０．１５０が特に好ましい。この範囲ではεｒを保持しつつ、特にτｆの絶対値を小さく抑えることができる。
【００１４】
このＡｌは、その一部がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種により置換されてもよい。各元素により置換されている場合の組成式［１］は、前記Ｔｉの場合にならって各々表すことができる。このＡｌのＧａ、Ｙ及びＹｂによる置換の量は、特に限定されないが、本誘電体組成物に含有されるＡｌの全量を１００モル％とした場合に３０モル％未満であることが好ましい（０．０１〜１０モル％がより好ましく、０．０１〜５モル％が特に好ましい）。上記範囲では、各誘電特性を非置換時における各誘電特性値の近傍でコントロールすることができる。特にＹ及びＹｂにより置換した場合は、τｆの絶対値を小さくすることができる。
【００１５】
上記「Ｍ２」は、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくとも一方を表す。従って、Ｍ２がＮｂのみである場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＮｂ２Ｏ５］と表され、Ｔａのみである場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＴａ２Ｏ５］と表され、Ｎｂ及びＴａの両方である場合、組成式［１］は［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄ（Ｎｂ１−ｙＴａｙ）２Ｏ５］と表される。但し、ｙは０<ｙ<１である。
即ち、Ｍ２は「Ｎｂのみ」、「Ｎｂ及びＴａの両方」、「Ｔａのみ」のいずれであってもよいが、これらのなかでは「Ｎｂのみ」又は「Ｎｂ及びＴａの両方」であることが好ましい。これらの場合は、εｒを保持しつつ、Ｑｕを大きくでき、更に、τｆを適当な範囲にコントロールし易い。Ｍ２が「Ｎｂ及びＴａの両方」である場合、上記ｙの範囲は特に限定されないが、０．０１≦ｙ≦０．５とすることができ、更に０．０１≦ｙ≦０．３とすることができ、特に０．０５≦ｙ≦０．２とすることができる。この範囲であれば、εｒへの影響を抑えつつ、Ｑｕを大きくでき、またτｆの絶対値を小さくすることができる。
【００１６】
上記「ｄ」は、組成式［１］中のＭ２２Ｏ５のモル比を表す。このｄは、０．１７０<ｄ<０．３４６であり、０．１７０<ｄ<０．３２３が好ましく、０．１７０<ｃ≦０．３００がより好ましい。この範囲ではＱｕを保持しつつ、より大きなεｒが得られる。
【００１７】
このＭ２は、その一部がＳｂにより置換されてもよい。置換されている場合の組成式［１］は、前記Ｔｉの場合にならって各々表される。この置換量は、特に限定されないが、本誘電体組成物に含有されるＭ２の全量を１００モル％とした場合に３０モル％未満であることが好ましい（０．０１〜２０モル％がより好ましく、０．０１〜１０モル％が特に好ましい）。上記範囲では、特に焼結性を向上させることができ、その結果、安定して目的とする誘電特性を得ることができる。
【００１８】
上記各ａ〜ｄの好ましい範囲は、各々の組み合せとすることもできる。即ち、例えば、０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３００、０．０６２<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ<０．３４６とすることができ、更に、０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．２７５、０．０６９<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ<０．３４６とすることができ、より更に０．４４４<ａ≦０．５００、０．１３３<ｂ≦０．２７５、０．０７５<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ<０．３２３とすることができ、特に０．４５１<ａ≦０．５００、０．１４１<ｂ≦０．２７５、０．０７９<ｃ≦０．１５０、且つ、０．１７０<ｄ≦０．３００とすることができる。これらの範囲では、εｒを保持しつつ、大きなＱｕ値を得られ、且つ、τｆの絶対値は小さく抑えることができる。即ち、例えば、εｒは４５以上（通常６５以下）であり、Ｑｕ×ｆ０は１００００ＧＨｚ以上であり、τｆは−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃とすることができる。
【００１９】
本誘電体磁器組成物に含まれる結晶相は特に限定されないが、ペロブスカイト型の結晶構造を呈し、組成式［Ｍ１（ＡｌκＭ２κＴｉ１−２κ）Ｏ３］（但し、０．１７５≦κ≦０．３）で表される結晶相を主結晶相とすることが好ましい。更に、副結晶相は認められてもよいが、副結晶相が認められないことがより好ましい。即ち、主結晶相内に上記組成式に含まれない元素が固溶されていることがより好ましい。
【００２０】
本誘電体磁器組成物には、上記組成式［１］外の組成として遷移金属元素の酸化物（複酸化物を含む）、Ｂ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ及びＢｉ等のうちの少なくとも１種を含む酸化物（複酸化物を含む）等を含有できる。これらの元素の本誘電体磁器組成物中における酸化数（価数）は特に限定されない。上記遷移金属元素としては、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｈｆ及びＷ等が挙げられる。上記遷移金属元素及び上記それ以外の元素のうちでは、遷移金属元素が好ましく、そのなかではＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｕがより好ましく、更には、Ｍｎが特に好ましい。これらの遷移金属元素は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。Ｍｎは特に各誘電特性を向上させることができる。これらの酸化物の含有量は特に限定されないが、本誘電体磁器組成物を１００モル％とした場合に、上記元素の酸化物換算合計量は５モル％以下（より好ましくは２モル％以下、更に好ましくは１モル％以下、特に好ましくは０．６モル％以下、含有する場合は通常０．０１モル％以上）が好ましい。この範囲では、Ｑｕをより大きな値に保持し易い。また、これらの酸化物が含有される理由は問わないが、例えば、製造時に酸素供給剤として配合された酸化物に由来する場合が挙げられる。
尚、上記酸化物換算を行う場合、上記の各元素は各々、ＭｎＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＭｏＯ３、ＨｆＯ２、ＷＯ３、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｂＯ２及びＢｉ２Ｏ３として換算するものとする。
【００２１】
本誘電体磁器組成物には、上記組成式［１］外の組成として希土類元素ＲＥの酸化物（複酸化物を含む）を含有することができる。ＲＥを含有することにより各誘電特性のコントロールの自由度が広くなる。これらの元素の本誘電体磁器組成物中における酸化数（価数）は特に限定されない。上記ＲＥとしては、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｙｂ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕが挙げられる。これらのなかでもＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂが好ましい。これらのＲＥは、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの酸化物の含有量は特に限定されないが、本誘電体磁器組成物を１００モル％とした場合に、上記ＲＥのＲＥ２Ｏ３換算合計量は１０モル％以下（より好ましくは８モル％以下、更に好ましくは６モル％以下、含有する場合は通常０．１モル％以上）が好ましい。この範囲では、εｒを保持しつつ、高いＱｕ且つ絶対値の小さなτｆを得易い。
【００２２】
上記組成式［１］で表される誘電体磁器組成物は、Ｍ１ＴｉＯ３と、Ｍ１（Ａｌ０．５Ｍ２０．５）Ｏ３と、Ｍ１Ｍ２２Ｏ６との３種の複酸化物が相互に固溶して得られた誘電体磁器組成として考えることができる。即ち、組成式［ｒＭ１ＴｉＯ３−ｓＭ１（Ａｌ０．５Ｍ２０．５）Ｏ３−ｔＭ１１／３Ｍ２２／３Ｏ６／３］（但しＭ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ｒ、ｓ及びｔは各々モル比を表し、ｒ＋ｓ＋ｔ＝１である）と表すことができる（以下、この組成式を組成式［２］ともいう）。
【００２３】
この組成式［２］においては、上記ｒ、上記ｓ及び上記ｔの相関を三角図に表した場合に、ｒ、ｓ及びｔの各々の値に対応する点は、図５におけるＰ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４を頂点とする四辺形のうち、辺Ｐ１Ｐ２を除く領域にあることが好ましい。この領域はＰ１’Ｐ２Ｐ３Ｐ４’を頂点とする四辺形のうち、辺Ｐ１’Ｐ２を除く領域であることがより好ましく、Ｐ１’Ｐ２Ｐ３’Ｐ４"を頂点とする四辺形のうち、辺Ｐ１’Ｐ２を除く領域であることが特に好ましい。但し、上記各点（ｒ、ｓ、ｔ）は、以下の通りである。
Ｐ１ ；（０．４８７９、０．２６２７、０．２４９４）
Ｐ２ ；（０．３７０２、０．５５５３、０．０７４５）
Ｐ３ ；（０．１８、０．２７、０．５５）
Ｐ４ ；（０．２９２５、０．１５７５、０．５５）
Ｐ１’；（０．４４６６、０．３６５４、０．１８８０）
Ｐ３’；（０．２２、０．３３、０．４５）
Ｐ４’；（０．２４７５、０．２０２５、０．５５）
Ｐ４" ；（０．３０２５、０．２４７５、０．４５）
これらの領域ではτｆの絶対値がより小さな特性を得ることができる。また、この組成物では上記各複酸化物のうちＭ１Ｍ２２Ｏ６（組成式［２］中ではＭ１１／３Ｍ２２／３Ｏ６／３と表記）が含有されることが好ましいと考えられる。Ｍ１Ｍ２２Ｏ６が含有されることで、Ｑｕ及びτｆの各々誘電特性を保持しながらεｒを目的とする値に引き上げていると考えられるからである。
【００２４】
本発明の誘電体磁器組成物は、εｒを４５〜６３（更に４８〜６０、特に５０〜５８、とりわけ５３〜５８）とすることができる。また、Ｑｕと共振周波数ｆ０との積であるＱｕ×ｆ０を１００００ＧＨｚ以上（更に１１０００ＧＨｚ以上、特に１２０００ＧＨｚ以上、とりわけ１２５００ＧＨｚ以上）、及び共振周波数の温度係数τｆを−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃（更に−１２〜＋１２ｐｐｍ／℃、特に−１０〜＋１０ｐｐｍ／℃、とりわけ５〜＋５ｐｐｍ／℃）とすることができる。
例えば、他の誘電特性のバランスを保持しつつ、εｒを特に大きく得ようとする場合には、０．４４４≦ａ≦０．４６２、０．１３３≦ｂ≦０．１７３、０．０９６≦ｃ≦０．１０８、且つ、０．２６１≦ｄ≦０．３２３とすることにより、εｒは５３〜５９、Ｑｕ×ｆ０は１００００〜１３０００ＧＨｚ、τｆは０〜１５ｐｐｍ／℃とすることができる。
また、例えば、他の誘電特性のバランスを保持しつつ、Ｑｕを大きく得ようとする場合には、０．４５８≦ａ≦０．４８７、０．１２４≦ｂ≦０．２１７、０．１１７≦ｃ≦０．１２９、且つ、０．１７５≦ｄ≦０．２９２とすることにより、εｒは４７〜５３、Ｑｕ×ｆ０は１２５００〜１５０００ＧＨｚ、τｆは−１５〜０ｐｐｍ／℃とすることができる。
更に、例えば、他の誘電特性のバランスを保持しつつ、τｆの絶対値を特に小さく得ようとする場合には、０．４３２≦ａ≦０．４８７、０．１４４≦ｂ≦０．２２３、０．１０１≦ｃ≦０．１３９、且つ、０．１７５≦ｄ≦０．３２３とすることにより、εｒは４８〜５８、Ｑｕ×ｆ０は９０００〜１５０００ＧＨｚ、τｆは−４〜４ｐｐｍ／℃とすることができる。
即ち、目的に合わせて幅広く誘電特性をコントロールでき、バランスのよい誘電特性を細かく網羅でき、種々目的に応じた誘電特性を選択できる。
【００２５】
［２］誘電体磁器組成物の製造方法
本誘電体磁器組成物の製造方法は特に限定されないが、例えば、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２のモル比が上記組成式［１］における各元素のモル比となるように、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２の各々が含有された原料組成物を熱処理して得ることができる。
また、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２と各々置換可能な前記元素を含有する誘電体磁器組成物を得る場合には、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍ２及び各置換可能な前記元素のモル比が上記組成式［１］における各元素のモル比となるように、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍ２及び各置換可能な前記元素の各々が含有された原料組成物を熱処理して得ることができる。
更に、上記組成式［１］外にＭｎ及びＲＥ等を含む副成分を含有する誘電体磁器組成物を得る場合は、Ｍ１、Ａｌ、Ｔｉ及びＭ２のモル比が上記組成式［１］における各元素のモル比となるように、且つ、副成分を構成する各元素が前記範囲を満たすように、各々が含有された原料組成物を熱処理して得ることができる。
【００２６】
上記原料組成物は、各元素を各々個別に含む原料の混合物等であってもよく、複数の元素を含む複酸化物の混合物等であってもよい。
上記各元素を各々個別に含む原料とは、例えば、Ｃａ化合物、Ｓｒ化合物、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｎｂ化合物、Ｔａ化合物、Ｚｒ化合物、Ｓｎ化合物、Ｙ化合物、Ｙｂ化合物、Ｓｂ化合物、及びその他のＲＥ化合物等が挙げられる。更に、これらの各化合物は、通常、各元素の酸化物又は熱処理されて酸化物となる化合物とすることができる。このうち熱処理されて酸化物となる化合物の種類は特に限定されず、例えば、炭酸塩、水酸化物、炭酸水素塩、硝酸塩及び有機金属化合物等が挙げられる。これらの酸化物及び熱処理されて酸化物となる化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、各原料の形態も特に限定されず、粉末又は液状物等を用いることができる。更に、上記複数の元素を含む複酸化物としては、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、（Ｃａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３、Ｃａ（Ａｌ０．５Ｎｂ０．５）ＴｉＯ３、Ｃａ（Ａｌ０．５Ｔａ０．５）ＴｉＯ３、Ｃａ（Ａｌ１／２Ｎｂ１／４Ｔａ１／４）ＴｉＯ３、ＣａＮｂ２Ｏ６、ＣａＴａ２Ｏ６、Ｃａ（Ｎｂ０．５Ｔａ０．５）２Ｏ６等が挙げられる。これらの複酸化物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、前記各原料と併用してもよく、併用してなくてもよい。
【００２７】
上記「熱処理」は、誘電体磁器組成物が得られる条件であれば特に限定されない。即ち、例えば、熱処理は焼成工程のみの１段で行ってもよく、仮焼工程と焼成工程との２段で行ってもよい。２段で行う場合には連続的に行ってもよく、非連続的に行ってもよい。
焼成工程（上記２段の場合は第２熱処理工程）は、焼成されて誘電体磁器組成物となる、原料組成物（上記２段の場合は仮焼成分）を含む成形体を焼成する工程である。焼成工程における焼成温度は特に限定されないが、例えば、１１００〜１７００℃（より好ましくは１３００〜１６００℃）とすることができる。この温度範囲であれば、成形体を十分に焼結できると共に緻密化することができる。また、焼成時間は特に限定されないが、１時間以上（通常１００時間以下）とすることができる。
更に、焼成雰囲気は特に限定されず、酸化性雰囲気であっても、非酸化性雰囲気であってもよい。酸化性雰囲気としては、大気雰囲気が挙げられる。また、非酸化性雰囲気とは、酸素分圧が小さい雰囲気であり、通常、酸素分圧が１０Ｐａ以下（好ましくは０．１Ｐａ以下、通常０．０００１Ｐａ以上）に保持されている雰囲気である。非酸化性雰囲気を構成する気体は特に限定されないが、例えば、窒素及びアルゴン等の希ガスなどの不活性ガスが挙げられる。また、焼成雰囲気は、湿潤雰囲気であってもよく、非湿潤雰囲気であってもよい。湿潤雰囲気とは、露点管理がされた雰囲気であり、通常、露点が９０℃以下（好ましくは８０℃以下、通常３０℃以上）に保たれている雰囲気である。更に、この焼成は加圧焼成でもよく、非加圧焼成でもよい。
【００２８】
仮焼工程（上記２段の場合は第１熱処理工程）は、原料組成物を仮焼して仮焼物を得る工程である。原料組成物を混合し、成形して得た成形体を仮焼工程を経ずに直接焼成した場合、後の焼成工程においても十分に焼結させることができない場合がある。これに対して仮焼を行うと、上記の原料組成物が反応して目的の化合物が生成し、後の焼成工程における焼成温度を効果的に低下させることができる。
仮焼工程における仮焼温度は特に限定されないが６００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１３００℃）とすることができる。この温度範囲であれば、未反応の原料成分が残存し難く、また、焼結してしまい仮焼物の粉砕が困難となることもない。この仮焼における仮焼時間は特に限定されないが、１時間以上（通常２０時間以下）とすることができる。更に、仮焼雰囲気は特に限定されず、前記焼成雰囲気と同様な各種雰囲気を用いることができ、焼成雰囲気と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００２９】
これらの熱処理条件は各々の組合せとすることができる。即ち、例えば、各元素を個別に含有する原料の混合物を大気雰囲気下６００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１３００℃）で１〜２０時間仮焼し、その後、仮焼物を粉砕した後、成形し、次いで、大気雰囲気下１１００〜１７００℃（より好ましくは１３００〜１６００℃）で１〜１００時間焼成することで得ることができる。
【００３０】
本発明の製造方法では、上記熱処理を行う熱処理工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、例えば、（１）仮焼物を粉砕して得られた仮焼粉末を造粒する造粒工程、及び、（２）上記（１）で得られた造粒粉末を成形して成形体を得る成形工程等が挙げられる。
上記造粒工程は、仮焼により得られた仮焼物を粉砕等して得られた仮焼粉末にバインダ、溶剤、可塑剤及び分散剤等を含有させて成形に適した粒子状態にする工程である。造粒方法は特に限定されず、スプレードライ法等を用いることができる。また、成形工程は、前記造粒工程で得られた造粒粉末を成形して成形体を得る工程である。この工程では、通常、造粒粉末等には、バインダ、溶剤、可塑剤及び分散剤等を含有させることで成形性を付与する。また、成形方法は、特に限定されず、一軸プレスや、冷間等方静水圧プレス（以下、単に「ＣＩＰ」という）等の種々の方法で行うことができる。
【００３１】
［３］電子部品
本発明の電子部品は、本誘電体磁器組成物からなる誘電体部を備えることを特徴とする。
上記「誘電体部」は、前記本発明の誘電体磁器組成物からなる。また、その形状及び大きさ等は特に限定されない。この誘電体部は、例えば、フィルタ、デュプレクサ、共振器、ＬＣデバイス、カプラ、ダイプレクサ、ダイオード、誘電体アンテナ、セラミックコンデンサ、配線基板及びパッケージ等の磁器製部分として用いることができる。これらの用途により、適した形状及び大きさ等とすることが好ましい。
また、本電子部品には、誘電体部以外にも他部を備えることができる。他部としては、導体部が挙げられる。導体部は、通常、誘電体部の表面及び／又は内部に形成された導電性を有する部分である。この導体部は、誘電体部と同時焼成されたものであってもよく、同時焼成されていないものであってもよい。導体部を構成する導体材料は特に限定されず、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ及びＩｒ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【００３２】
即ち、本発明の電子部品としては、本発明の誘電体磁器組成物からなる円筒形状の誘電体部を備える誘電体共振器が挙げられる。
また、列設された複数の貫通孔を備える直方体形状の誘電体部と、誘電体部の所定外表面及び貫通孔内を覆う導体部とを備えるデュプレクサ及び誘電体フィルタが挙げられる。
更に、積層された複数の薄板形状の誘電体部と、各誘電体部間に形成された導体パターンと、導体パターン同士を電気的に接続するスルーホール導体又は外表面導体と、を備える誘電体積層チップアンテナが挙げられる。
また、直方体形状の誘電体部と、誘電体部の長手方向の一端に配設された給電電極と、他端に配設された固定電極と、誘電体部の側面を螺旋状に巻回し一端が給電電極に接続され且つ他端が自由端である放射電極と、を備える誘電体チップアンテナが挙げられる。
更に、積層された複数の薄板形状の誘電体部と、各誘電体部間及び所定の外表面に形成された導体パターンと、導体パターン同士を電気的に接続するスルーホール導体又は外表面導体と、を備えるＬＣフィルタ、セラミックコンデンサ、及び、セラミック配線基板が挙げられる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（１）誘電体磁器組成物の作製
市販のＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｎＯ２、ＲＥ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３及びＳｂ２Ｏ５の各粉末を、それぞれ酸化物換算で、組成式［１］中のａ〜ｄの値が表１の組み合わせとなるように秤量した。次いで、これらの各粉末（原料）をエタノールを溶媒として湿式混合して混合粉末（原料組成物）を得た。この混合粉末を大気雰囲気において１２００℃で２時間仮焼した。その後、この仮焼物に分散剤、バインダ及びエタノールを加え、ボールミルにより粉砕してスラリーにした。次いで、このスラリーを乾燥させて造粒して造粒粉末とした。その後、この造粒粉末を２０ＭＰａの圧力で一軸プレスを行い、円柱状に成形した。その後、１５０ＭＰａの圧力でＣＩＰ（冷間等方静水圧プレス）処理を行い、この成形体を大気雰囲気において１５００℃で３時間保持し、焼成して、実験例１〜４９の誘電体磁器組成物からなる誘電体を得た。
【００３４】
【表１】
尚、表１中の「＊」は本発明の範囲に含まれないことを示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
尚、例えば、実験例３２において「ａ＝０．４５８３」は、ＣａＯとＳｒＯとの合計モル比を表し、「ａ」全体の「２．５％」にあたる０．０１１５（モル比）が「Ｓｒ」となるように、上記「ＣａＣＯ３」に換えて「ＳｒＣＯ３」を配合したことを示すものである。「Ｔｉ置換」、「Ａｌ置換」及び「Ｎｂ置換」等についても同様である。
【００３７】
（２）誘電特性の測定
得られた実験例１〜４９の各誘電体の表面を研磨した後、平行導体板型誘電体共振器法により、測定周波数３〜５ＧＨｚにおいて、εｒ、Ｑｕ及びτｆを測定した。但し、τｆの測定温度範囲は２５〜８０℃とした。また、Ｑｕについては、共振周波数ｆ０との積（Ｑｕ×ｆ０）として評価した。これらの結果を上記表１〜３に併記した。
【００３８】
表１〜３によれば、ａが下限値０．４３６を下回り且つｄが０．３４６を超える実験例２は、Ｑｕ×ｆ０が２６００ＧＨｚと小さく、また、τｆは６５とその絶対値が大きい。
これに対して、ａ、ｂ、ｃ及びｄのいずれもが本発明の範囲内である実験例１及び実験例３〜４９では、Ｑｕ×ｆ０は１００００〜１４４００ＧＨｚと実験例２に対して３．８〜５．５倍も高く、優れたＱｕが得られることが分かる。更に、τｆは−１５〜＋１５ｐｐｍ／℃と比較的狭い数値範囲に制御され、その絶対値は実験例２の２３％と小さい。また、εｒは４８〜５８と目的とする中間域の値を安定して得ることができ、この中間域のなかで幅広く調整できることが分かる。従って、バランスのよい誘電特性を細かく網羅でき、種々目的に応じて誘電特性を選択できる誘電体磁器組成物であることが分かる。
【００３９】
また、実験例２６〜３１より、組成式［１］外の組成として希土類元素酸化物を含有することで、εｒは４９〜５４と目的とする中間域の値を保持し、且つ、Ｑｕ×ｆ０は１１７００〜１２９００ＧＨｚの範囲に保持しつつ、τｆを−２〜１２とその絶対値が小さい範囲に制御できることが分かる。
【００４０】
更に、実験例１７、３２及び３３より、ＣａとＳｒとの置換は、いずれの誘電特性にもほとんど影響を与えず行うことができることが分かる。また、実験例１７及び３４〜３７より、Ｔｉに対してＺｒ及び／又はＳｎを置換した場合は、εｒ及びＱｕをほとんど変化させず、τｆを向上させることができることが分かる。即ち、各々２．５〜５．０％の置換で２０〜８０％もの向上（絶対値が０に近づく）が認められる。実験例１７及び４０〜４３より、Ａｌに対してＹ及びＹｂを置換した場合は、εｒ及びＱｕをほとんど変化させず、τｆを向上させることができることが分かる。即ち、各々２．５〜５．０％の置換で４０〜８０％もの向上（絶対値が０に近づく）が認められる。実験例１７及び４４及び４５より、ＡｌとＧａとの置換は、いずれの誘電特性にもほとんど影響を与えず行うことができることが分かる。実験例１７及び４６〜４９より、Ｎｂに対してＴａ及びＳｂを置換した場合は、εｒ及びＱｕをほとんど変化させず、τｆを向上させることができることが分かる。即ち、各々２．５〜５．０％の置換で２０〜５０％の向上（絶対値が０に近づく）が認められる。
【００４１】
（３）Ｘ線回折測定
上記（１）で得られた実験例１（本発明品）と実験例２（比較品）との各誘電体磁器をＸ線回折測定に供した。この結果を多重チャートにして図１に示した。図１中の上段は実験例２のチャートであり、下段は実験例１のチャートである。
これらについて同定を行ったところ、各チャート内の黒塗りの逆三角マークが施された各ピークはいずれも主結晶相のピークであり、ペロブスカイト型を呈していることが分かった。また、上段のチャート内の黒丸マークが施されたピークは析出された副結晶相であり、この副結晶相は、ＣａＮｂ２Ｏ６であることが分かった。これらのことから、実験例１の誘電体磁器にはＣａ（ＡｌκＮｂκＴｉ１−２κ）Ｏ３をベースとするペロブスカイト型の複酸化物に、過剰の成分が固溶しているものと考えられる。一方、実験例２の誘電体磁器には、Ａｌ及びＴｉに対して過度に多いＮｂが配合されたため、ＣａＮｂ２Ｏ６が別相として析出したものと考えられる。このＣａＮｂ２Ｏ６の含有によりεｒの向上が認められるが、別相としては析出されず、固溶されていることが好ましいものと考えられる。
【００４２】
また、下段のチャート内の黒塗りの逆三角マークが施された各ピークはいずれも、上段のチャート内に示された主結晶相のピークに極めて似ているが、一部のピークの立上り部分にブロード化及びピーク位置のシフト等が認められた。更に、この実験例１では主結晶相のみを構成するのに必要量を超える量の原料を配合しているにも関わらず、主結晶相以外のピークが認められない。これらのことから、下段のチャートは余剰な成分が主結晶相中に固溶しているものと考えられる。
【００４３】
誘電体共振器の製造
本誘電体磁器組成物を、誘電体共振器として用いた場合を以下に説明する。
上記（１）における表１内の実験例１と同様にして造粒した造粒粉を用い、一軸プレスにて円筒形状の未焼成体を成形した。得られた未焼成体を、大気雰囲気において１５００℃で３時間保持して焼成し、内径６．８ｍｍ、上部（高さ１２ｍｍ）の外径２６ｍｍ、下部（高さ１３ｍｍ）の外径１５ｍｍの外径が異なる２つの円筒形を積み上げた形状の誘電体部（図２の１１、即ち、誘電体部）を得た。その後、得られた誘電体部を、金属製のケーシング１２内の底面に固定して共振器１を得た。
【００４４】
デュプレクサの製造
本誘電体磁器組成物を、デュプレクサとして用いた場合を以下に説明する。
上記（１）における表１内の実験例１と同様にして造粒した造粒粉を用い、一軸プレスにて列設された貫通孔（図３及び４の２１１及び２１２）を有する直方体形状（図３及び４の２１と同じ形状）の未焼成体を成形した。得られた未焼成体を、大気雰囲気において１５００℃で３時間保持し、焼成してデュプレクサ用の誘電体部（図３及び４の２１）を得た。その後、得られた誘電体部の所定の外表面（貫通孔の表面を含む）に導体用銀ペーストを印刷して焼き付け、導体部２２を形成し、デュプレクサ２を得た。
即ち、デュプレクサ２は、共振器２１１又は励振孔２１２となる平行に孔設された貫通孔を有する直方体形状の誘電体部２１と、この誘電体部２１の貫通孔が開口する開放端面を除く所定の外表面（貫通孔の表面を含む）を覆う導体部２２とを備える。
【００４５】
尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。また、本発明の誘電体材料の誘電特性に、実質的に影響を及ぼさない範囲で他の成分及び／又は不可避不純物等が含有されていてもよい。
尚、以下に前記組成式［２］により上記実験例１〜４９を表した場合の前記ｒ、ｓ及びｔを下記表４に示す。
【００４６】
【表４】
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の誘電体部品の用途は、特に限定されず、マイクロ波帯域及びミリ波帯域において使用される各種電子部品として利用することができる。この各種電子部品としては、フィルタ、デュプレクサ、共振器、ＬＣデバイス、カプラ、ダイプレクサ、ダイオード、誘電体アンテナ及びセラミックコンデンサ等の個別部品類などが挙げられる。更には、汎用基板、各種機能部品が埋め込まれた機能基板（ＬＴＣＣ多層デバイス等）などの基板類、ＭＰＵ及びＳＡＷ等のパッケージ類、これら個別部品類、基板類及びパッケージ類の少なくともいずれかを備えるモジュール類等が挙げられる。また、これらの電子部品は、各種のマイクロ波帯域及び／又はミリ波帯域の電波を利用する移動体通信機器、移動体通信基地局機器、衛星通信機器、衛星通信基地局機器、衛星放送機器、無線ＬＡＮ機器、及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）用機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実験例１（下段チャート）及び実験例２（上段チャート）のＸ線回折測定により得られたチャートによる説明図である。
【図２】本発明の電子部品の一例である誘電体共振器の概形を示す模式図である。
【図３】本発明の電子部品の一例であるデュプレクサの概形を示す斜視図である。
【図４】図３に示すデュプレクサの模式的な断面図である。
【図５】組成式［２］に関する三角図である。
【符号の説明】
【００４９】
１；誘電体共振器、１１；誘電体部、１２；ケーシング、２；デュプレクサ、２１；誘電体部、２１１；共振器（貫通孔）、２１２；励振孔（貫通孔）、２２；導体部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、
これらの元素について、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、Ｍ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たすことを特徴とする誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３２５
０．０５４<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
【請求項２】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３００
０．０６２<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
【請求項３】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．２７５
０．０６９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
【請求項４】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４４４<ａ≦０．５００
０．１３３<ｂ≦０．２７５
０．０７５<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３２３
【請求項５】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４５１<ａ≦０．５００
０．１４１<ｂ≦０．２７５
０．０７９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３００
【請求項６】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜５モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜２モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項８】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜１モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項９】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜０．６モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１０】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜１０モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１１】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜８モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１２】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜６モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１３】
上記希土類元素ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種である請求項１０乃至１２のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１４】
本誘電体磁器組成物に含有されるＴｉの全量を１００モル％とした場合に、Ｔｉの３０モル％未満がＺｒ及び／又はＳｎに置換された請求項１乃至１３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１５】
本誘電体磁器組成物に含有されるＡｌの全量を１００モル％とした場合に、Ａｌの３０モル％未満がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種に置換された請求項１乃至１４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１６】
本誘電体磁器組成物に含有されるＭ２の全量を１００モル％とした場合に、Ｍ２の３０モル％未満がＳｂに置換された請求項１乃至１５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体部を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１】
Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、
これらの元素について、組成式［ａＭ１Ｏ−ｂＴｉＯ２−（１／２）ｃＡｌ２Ｏ３−（１／２）ｄＭ２２Ｏ５］（但し、Ｍ１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たすことを特徴とする誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３２５
０．０５４<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
【請求項２】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．３００
０．０６２<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
【請求項３】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４３６<ａ≦０．５００
０．１２４<ｂ≦０．２７５
０．０６９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ<０．３４６
【請求項４】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４４４<ａ≦０．５００
０．１３３<ｂ≦０．２７５
０．０７５<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３２３
【請求項５】
上記ａ、上記ｂ、上記ｃ及び上記ｄが下記条件を満たす請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
０．４５１<ａ≦０．５００
０．１４１<ｂ≦０．２７５
０．０７９<ｃ≦０．１５０
０．１７０<ｄ≦０．３００
【請求項６】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜５モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜２モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項８】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜１モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項９】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０１〜０．６モル％含有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１０】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜１０モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１１】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜８モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１２】
本誘電体磁器組成物に含有される金属元素を酸化物換算した全モル量を１００モル％とした場合に、希土類元素ＲＥをＲＥ２Ｏ３換算で０．１〜６モル％含有する請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１３】
上記希土類元素ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種である請求項１０乃至１２のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１４】
本誘電体磁器組成物に含有されるＴｉの全量を１００モル％とした場合に、Ｔｉの３０モル％未満がＺｒ及び／又はＳｎに置換された請求項１乃至１３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１５】
本誘電体磁器組成物に含有されるＡｌの全量を１００モル％とした場合に、Ａｌの３０モル％未満がＧａ、Ｙ及びＹｂのうちの少なくとも１種に置換された請求項１乃至１４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１６】
本誘電体磁器組成物に含有されるＭ２の全量を１００モル％とした場合に、Ｍ２の３０モル％未満がＳｂに置換された請求項１乃至１５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体部を備えることを特徴とする電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−１０３９７７（Ｐ２００６−１０３９７７Ａ）
【公開日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２８８６６０（Ｐ２００４−２８８６６０）
【出願日】平成１６年９月３０日（２００４．９．３０）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月３０日（２００４．９．３０）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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