【課題】射出成形などにより容易に成形できる高誘電率、かつ低誘電正接であって、温度環境変化に対して誘電率が変化しにくい高誘電体複合材料を提供することを目的とする。
【解決手段】熱可塑性樹脂に対し、広い粒度分布をもつｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂・ｚＮｄ₂Ｏ₃系で示される元素で構成された破砕状の誘電体セラミックス粉体を４０〜６０容量％配合したものとして、高誘電率、かつ低誘電正接であって、温度環境変化に対して誘電率が変化しにくいものとする。 （もっと読む）

【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 α−石英成分の含有量を調整して、一定の比誘電率の差を確保しつつ、線熱膨張係数を制御できる低温焼成基板材料を提供する。また、この低温焼成基板材料により、低誘電率層と高誘電率層を有する多層配線基板において、大型化する集合基板の反りを低減でき、誘電率層の配置設計上の自由度を確保できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２４６〜６０重量％、Ｂ_２Ｏ_３０．５〜５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯであるガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを１２〜３８ｖｏｌ％、及び、α−石英を２〜１０ｖｏｌ％を含有することを特徴とし、多層配線基板とするときはα−石英の含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内とする。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、およびＳｒのグループから選択される少なくとも１種からなる第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃およびＷＯ₃のグループから選択される少なくとも１種からなる第３副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕのグループから選択される少なくとも１種の第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第４副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体（ＣａＯ＋ＺｒＯ₂）からなる第５副成分とを有し、誘電体層を構成する結晶粒子にＺｒが拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、Ｚｒの拡散層深さが結晶粒子の径に対して１０〜３５％までの深さとなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 ＥＩＡＪ規格で規定するＸ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格で規定するＢ特性のいずれも満足するといった静電容量の温度安定性が良好であり、かつ、絶縁抵抗値、比誘電率などの特性が良好で、さらに絶縁抵抗の加速寿命が長い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を得ることが可能なセラミック原料粉体を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムで構成される主成分粒子の表面に副成分添加物で構成される被覆層を有するセラミック原料粉体であって、前記主成分粒子の平均半径をｒとし、前記被覆層の平均厚みを△ｒとしたときに、前記△ｒを、０．０１５ｒ以上０．０５５ｒ以下の範囲内に制御することを特徴とするセラミック原料粉体。
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【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】本発明に係る低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、チタニアを１４〜２７ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを５〜１５．５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を小さくなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率、および共振周波数の温度係数の調整が可能な誘電体磁器を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ_ｘＳｎ_ｙＴｉ_ｚＯ₄（ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、０．５５＜ｘ＜１．００、０．８５＜ｚ＜１．１５）を主成分とし、ＮｉＯ、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からＮｉＯを必須とした１種以上を添加物として選択し、それぞれ１重量％以下（０重量％を含まず）添加してなる誘電体磁器であって、ルチル型結晶構造をとる結晶相を含有する誘電体磁器とする。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを０ｖｏｌ％を超えて１６ｖｏｌ％以下、チタニアを１０〜２６ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを２〜１５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内に制御する。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成でき、十分な比誘電率を保持しつつ、高い無負荷Ｑ値が得られるＢｉ−Ｚｎ−Ｎｂ系酸化物からなる低温焼成誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体部品を提供する。
【解決手段】 本低温焼成誘電体磁器組成物は、Ｂｉと、２価の金属元素であるＭ（例えばＺｎ）と、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくともＮｂと、Ｏとを含有し、且つ、ｘＢｉＯ_３／２−ｙＭＯ−ｚ（Ｎｂ_ａＴａ_ｂ）Ｏ_５／２と表した場合に、０．４５５≦ｘ≦０．５４５、０．１５５≦ｙ<０．１９、０．３０５≦ｚ≦０．３６２、０<ａ≦１、且つ、０≦ｂ<１を満たす。更に、本発明の誘電体部品１は、本発明の低温誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器部１１１、１１２及び１１３と、この誘電体磁器部の表面及び／又は内部に同時焼成された導体部１２１、１２２及び１２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】
高い比誘電率を示し、実用に耐えるアンテナを得るための高誘電性樹脂組成物が得られていない。
【解決手段】
エラストマーに高誘電性セラミックス粉末を配合してなる高誘電性エラストマー組成物であって、上記高誘電性セラミックス粉末は、−40℃ 〜 100℃の温度範囲において、25℃を基準とする該セラミックス粉末の比誘電率の温度係数α（単位：１／℃）が（−200〜100 ）×10^-6の範囲にあり、該高誘電性エラストマー組成物の比誘電率が 7 以上、誘電正接が 0.01 以下であり、上記高誘電性セラミックス粉末がチタン酸バリウム・ネオジム系セラミックス粉末である。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結性セラミック材料と同時焼成でき、かつ機械的強度に優れた、さらに高温・高湿度下に長時間配置された場合における絶縁抵抗の低下が生じ難いセラミック焼結体やセラミック層を得ることを可能とする誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】 ｘＢａＯ−ｙ（Ｎｄ_1-mＭｅ_m）₂Ｏ₃−ｚＴｉＯ₂（但し、Ｍｅはランタノイド元素であり、０．１０≦ｘ≦０．２５、０．０５≦ｙ≦０．２５、０．６０≦ｚ≦０．７５、０≦ｍ≦１）で表される誘電体セラミックス１００重量部に対して、酸化ケイ素を３０〜６０モル％、酸化ホウ素を５〜３０モル％、酸化バリウムを１５〜５０モル％、酸化ストロンチウムを１〜１５モル％、及び酸化カルシウムを１〜１０モル％含有するガラスを５重量部以上、４５重量部以下の割合で含有し、さらに、酸化マンガンを１．５重量部超、３．０重量部以下の割合で含有する誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

セラミック多層モジュール（１）のような積層型セラミック電子部品に備える多層セラミック基板（２）において積層される絶縁性セラミック層（３）のための絶縁体セラミック組成物であって、
フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラス粉末は、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含む。絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高い。 （もっと読む）

今後、更に小型大容量化が進行しても高電圧直流下あるいは高周波／高電圧交流下でも高い信頼性を有する誘電体セラミック組成物を提供する。
本発明の誘電体セラミック組成物は、組成式が１００Ｂａ_ｍＴｉＯ_３＋ｘＣｕＯ＋ａＲＯ_ｎ＋ｂＭｎＯ＋ｃＭｇＯ（但し、係数１００、ｘ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれモル比を表し、ｍはＢａとＴｉとの比（Ｂａ／Ｔｉ）を表し、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも一種類の金属元素を表し、ｎはＲの価数で決まる電気的中性を保つために必要な正の数を表す。）で表される主成分を含有し、ｍ、ｘ、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０．９９０≦ｍ≦１．０５０、０．１≦ｘ≦５．０、９．０≦ａ≦２０．０、０．５≦ｂ≦３．５及び０＜ｃ≦４．０を満足し、且つ、主成分１００重量部に対して０．８〜５．０重量部の焼結助剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】特許文献１の高周波用誘電体磁器組成物の場合には、焼成温度が１３５０〜１４００℃と高温であり、積層コンデンサ用材料として使用するには依然として焼成温度が高すぎる。また、特許文献２の積層コンデンサの場合には、積層コンデンサの製造工程が複雑で製造に手間がかかり、しかも、接着層とセラミック層との熱収縮率の差により構造欠陥を生じる虞があって積層セラミックとしての小型化、多層化を実現することが難しい。
【解決手段】本発明の誘電体セラミック組成物は、一般式がＭｇ_ｘＳｉＯ_２＋ｘ＋ａＳｒ_ｙＴｉＯ_２＋ｙで表される誘電体セラミック組成物であって、上記一般式におけるｘ、ｙ及びａは、それぞれ１．７０≦ｘ≦１．９９、０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．０５≦ａ≦０．４０の関係を満足するものである。 （もっと読む）

高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式：ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−ｙＣａ（Ａｌ_b/2Ｎｂ_c/2）Ｏ_1+(3b+5c)/4−ｚＣａ（Ｍｇ_d/2Ｗ_e/2）Ｏ_1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅ（ただしｘ、ｙ、ｚはモル比である）は、０．４７５≦ｘ≦０．５８、０．２１≦ｙ≦０．５０５、０．０１８≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．９≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．１、０．９≦ｃ≦１．１、０．９≦ｄ≦１．１、０．９≦ｅ≦１．０５の範囲内にある。
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１０００℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が５５０以上であり、容量変化率の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がＡｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３で表される組成を有し、Ａｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３において、０．７≦ａ≦０．９５、０．０５≦ｂ≦０．３、０．４≦ｃ≦０．６、および０．４≦ｄ≦０．６の各条件を満足するとともに、０．９５≦（ａ＋ｂ）／（ｃ＋ｄ）≦１．０２の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）