【課題】 ９００℃以下の温度で焼成することができ、かつ抗折強度が高く、カッティングする際のチッピングによる損傷が少ない誘電体セラミック及び積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 アルミナ粉末と、ＳｉＯ₂、ＣａＯ及びＭｇＯを主成分として含む結晶性ガラス粉末と、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃及びＮａ₂Ｏを主成分として含む非晶質ガラス粉末とを原料とし、これを焼成することにより得られる誘電体セラミックであって、焼成後において、アルミナ結晶相と、ディオプサイド結晶相（Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）₂Ｏ₆）と、マグネシアスピネル結晶相（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）とを含み、水銀圧入法により測定される空隙率が２．２％以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを０ｖｏｌ％を超えて１６ｖｏｌ％以下、チタニアを１０〜２６ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを２〜１５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内に制御する。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】本発明に係る低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、チタニアを１４〜２７ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを５〜１５．５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を小さくなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電特性に優れた誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０≦ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分とガラス成分とを含む混合物を焼成することにより得られ、誘電体成分は原料を仮焼成することにより調製され、ガラス成分として少なくともビスマス系ガラスが含まれており、焼成後のＸ線回折チャートにおいて、ペロブスカイト構造を有する主相である第１の相のピーク強度に対する、希土類元素を含む第２の相のピーク強度の比（第２の相／第１の相）が２０％以下であること特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成でき、十分な比誘電率を保持しつつ、高い無負荷Ｑ値が得られるＢｉ−Ｚｎ−Ｎｂ系酸化物からなる低温焼成誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体部品を提供する。
【解決手段】 本低温焼成誘電体磁器組成物は、Ｂｉと、２価の金属元素であるＭ（例えばＺｎ）と、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくともＮｂと、Ｏとを含有し、且つ、ｘＢｉＯ_３／２−ｙＭＯ−ｚ（Ｎｂ_ａＴａ_ｂ）Ｏ_５／２と表した場合に、０．４５５≦ｘ≦０．５４５、０．１５５≦ｙ<０．１９、０．３０５≦ｚ≦０．３６２、０<ａ≦１、且つ、０≦ｂ<１を満たす。更に、本発明の誘電体部品１は、本発明の低温誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器部１１１、１１２及び１１３と、この誘電体磁器部の表面及び／又は内部に同時焼成された導体部１２１、１２２及び１２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 α−石英成分の含有量を調整して、一定の比誘電率の差を確保しつつ、線熱膨張係数を制御できる低温焼成基板材料を提供する。また、この低温焼成基板材料により、低誘電率層と高誘電率層を有する多層配線基板において、大型化する集合基板の反りを低減でき、誘電率層の配置設計上の自由度を確保できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２４６〜６０重量％、Ｂ_２Ｏ_３０．５〜５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯであるガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを１２〜３８ｖｏｌ％、及び、α−石英を２〜１０ｖｏｌ％を含有することを特徴とし、多層配線基板とするときはα−石英の含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内とする。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結性セラミック材料と同時焼成でき、かつ機械的強度に優れた、さらに高温・高湿度下に長時間配置された場合における絶縁抵抗の低下が生じ難いセラミック焼結体やセラミック層を得ることを可能とする誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】 ｘＢａＯ−ｙ（Ｎｄ_1-mＭｅ_m）₂Ｏ₃−ｚＴｉＯ₂（但し、Ｍｅはランタノイド元素であり、０．１０≦ｘ≦０．２５、０．０５≦ｙ≦０．２５、０．６０≦ｚ≦０．７５、０≦ｍ≦１）で表される誘電体セラミックス１００重量部に対して、酸化ケイ素を３０〜６０モル％、酸化ホウ素を５〜３０モル％、酸化バリウムを１５〜５０モル％、酸化ストロンチウムを１〜１５モル％、及び酸化カルシウムを１〜１０モル％含有するガラスを５重量部以上、４５重量部以下の割合で含有し、さらに、酸化マンガンを１．５重量部超、３．０重量部以下の割合で含有する誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、焼結後の曲げ強度が１７０ＭＰａ以上の物性を有し、さらに、強化磁器素地の破壊時の安全性に優れ、透光性を有する低コストの強化磁器の提供を課題とする。また、成形時の可塑性に優れ、より低い温度での焼成が可能な強化磁器の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 本発明の強化磁器は、酸化物基準で二酸化珪素２５質量％〜５５質量％、酸化アルミニウム４０質量％〜７０質量％、アルカリ金属酸化物１質量％〜７質量％、酸化マグネシウム０. ５質量％〜６質量％からなり、熱膨張係数が４. ５×１０^-6／Ｋ以上で、平均曲げ強度が１７０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】
機械的強度、誘電特性に優れる高強度低温焼成セラミック組成物を得る。
【解決手段】
少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８ 、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミック組成物である。 （もっと読む）

Ｔｉを含有する誘電体からなり表層部にＴｉとＺｎとを含む酸化物を含有してなる誘電体粒子の集合体１００重量部に対してガラス成分を２．５〜２０重量部配合することで低温焼結誘電体磁器組成物が提供される。この低温焼結誘電体磁器組成物を８８０〜１０００℃で焼成することで低温焼結誘電体磁器を製造する。これにより、Ａｇ及びＣｕまたはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる内部導体を有する積層構造電子部品を提供することができる。 （もっと読む）

セラミック多層モジュール（１）のような積層型セラミック電子部品に備える多層セラミック基板（２）において積層される絶縁性セラミック層（３）のための絶縁体セラミック組成物であって、
フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラス粉末は、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含む。絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高い。 （もっと読む）

【課題】特許文献１の高周波用誘電体磁器組成物の場合には、焼成温度が１３５０〜１４００℃と高温であり、積層コンデンサ用材料として使用するには依然として焼成温度が高すぎる。また、特許文献２の積層コンデンサの場合には、積層コンデンサの製造工程が複雑で製造に手間がかかり、しかも、接着層とセラミック層との熱収縮率の差により構造欠陥を生じる虞があって積層セラミックとしての小型化、多層化を実現することが難しい。
【解決手段】本発明の誘電体セラミック組成物は、一般式がＭｇ_ｘＳｉＯ_２＋ｘ＋ａＳｒ_ｙＴｉＯ_２＋ｙで表される誘電体セラミック組成物であって、上記一般式におけるｘ、ｙ及びａは、それぞれ１．７０≦ｘ≦１．９９、０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．０５≦ａ≦０．４０の関係を満足するものである。 （もっと読む）

１０００℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が５５０以上であり、容量変化率の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がＡｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３で表される組成を有し、Ａｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３において、０．７≦ａ≦０．９５、０．０５≦ｂ≦０．３、０．４≦ｃ≦０．６、および０．４≦ｄ≦０．６の各条件を満足するとともに、０．９５≦（ａ＋ｂ）／（ｃ＋ｄ）≦１．０２の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）