【課題】ＣｕＯを含有させなくても、低温での焼成が可能であり、且つＱ・ｆ値を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系化合物、及び２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂を含み、副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、アルカリ土類金属酸化物、及びリチウム化合物を含み、リチウム化合物の質量をＬｉ_２Ｏに換算した場合に、リチウム化合物の含有量ｃが、主成分１００質量部に対して、０．０４質量部＜ｃ＜３．２４質量部である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが高く、Ｑ×ｆ値が大きな誘電体磁器を実現でき、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及び誘電体磁器を提供すること。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０≦ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】 誘電特性を損なうことなく、焼成温度を低下しうる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
組成式〔（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ〕_m〔（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２ 〕（式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｍは、それぞれ０．５≦ｘ≦１．０、０．０１≦ｙ≦０．１０、０＜ｚ≦０．２０、０．９０≦ｍ≦１．０４である）で示される誘電体酸化物を調製する工程、
該誘電体酸化物１００重量部に対し、
焼結助剤を１〜１０重量部および
必要に応じナトリウム化合物を、Ｎａ_２Ｏ換算で０．１〜０．５重量部の混合する工程、および
得られた混合物を焼成する工程を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、
前記焼結助剤が、焼結助剤の全量１００重量％中に、
マンガン化合物を、ＭｎＯ換算で３０〜６９重量％、
酸化アルミニウムを、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１〜２０重量％、
酸化ケイ素を、ＳｉＯ_２換算で３０〜５０重量％含んでなることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、ガラスフリットまたは誘導体セラミック組成物が核形成剤を含むことで、特定の結晶構造をなし、低い誘電率、低い誘電損失、高いＱ値と、高い強度を有する、ガラスフリット及び充填材が所定の成分比で含有される誘電体セラミック組成物に関する。本発明による高強度及び高Ｑ値を有する低温焼成用誘電体セラミック組成物は、サイズを増大でき、低温焼成用多層基板の製造を向上でき、衝撃耐久性が優れた電子部品のモジュール化を可能とする。
（もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、ビスマス成分を酸化物換算で０．０１〜２０質量％含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、リチウム成分、ナトリウム成分、カリウム成分から選ばれる１種以上を０．１〜２０質量部含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】 高熱膨張係数、低誘電率、低誘電損失および耐薬品性に優れた低温焼成磁器および低温焼成磁器組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、３８〜４８ｍｏｌ％のＳｉＯ_２、６〜９ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３、２７〜３７ｍｏｌ％のＭｇＯ、５〜１０ｍｏｌ％のＢ_２Ｏ_３、０．２５〜１ｍｏｌ％のＺｒＯ_２、１〜３ｍｏｌ％のＣａＯおよび６〜９．５ｍｏｌ％のＢａＯからなるガラス粉末５５〜６５質量％と、ＳｉＯ_２からなる母材の表面に前記ガラス粉末の組成からＡｌ_２Ｏ_３を除いた組成の複数のガラス粒子が被着された複合粉末４５〜３５質量％とで構成され、前記ＳｉＯ_２からなる母材に対する前記複数のガラス粒子の割合が、質量比率で３〜７％であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体セラミック組成物の提供。
【解決手段】スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を含むセラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ₂換算で３０〜６０モル％および酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で２０〜５５モル％含むガラス粉末と、を含有する絶縁体セラミック組成物であって、絶縁体セラミック組成物はさらにセラミック粉末中に、酸化チタン、酸化銅を含有し、ガラス粉末には、酸化ホウ素、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯおよびＺｎＯからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物、酸化アルミニウム、Ｌｉ₂Ｏ，Ｋ₂ＯおよびＮａ₂Ｏからなる群から選択された少なくとも１種のアルカリ金属酸化物が、添加物として添加される場合には一定量以下添加されていることを特徴とする絶縁体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、高品質係数、絶対値の小さい温度係数を有する誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】一般式、α（４３ＺｎＮｂ_２Ｏ_６・３５ＣａＴｉＯ_３・２２ＣａＯ）・β（ａＳｉＯ_２・ｂＡｌ_２Ｏ_３・ｃＢ_２Ｏ_３・ｄＺｎＯ）・γＭｇ_２ＳｉＯ_４
（式中、３０≦α≦４０、３５≦β≦４５、２０≦γ≦３０、且つα＋β＋γ＝１００であり、また５０≦ａ≦７０、１０≦ｂ≦２０、１０≦ｃ≦２０、５≦ｄ≦１５、且つａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である）で表される誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（フォルステライト）を主成分とする誘電体磁器組成物の抗折強度を向上する。
【解決手段】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を主成分とするとともに、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３、ＣｕＯ及びＲＯ（ただし、Ｒはアルカリ土類金属を表す。）を副成分として含む。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の質量をａ、ＺｎＯの質量をｂ、Ｂ_２Ｏ_３の質量をｃ、ＣｕＯの質量をｄ、ＲＯの質量をｅとしたときに、全体の質量（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）に対するＺｎＯの質量ｂの比率ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が８％〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３の質量ｃの比率ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が３％〜１０％、ＣｕＯの質量ｄの比率ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が２％〜８％、ＲＯの質量ｅの比率ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が１％〜４％である。 （もっと読む）

【課題】９００℃以下での低温焼成が可能であると共に、高周波帯（マイクロ波やミリ波帯）での誘電特性に優れ、吸湿性が低く、且つ銀系導体ペーストと同時焼成した際に反りや皺が小さい低温焼成セラミック基板を与えるグリーンシート用セラミック粉末を提供する。
【解決手段】ガラス粉末とアルミナ粉末とを含有するグリーンシート用セラミック粉末であって、前記ガラス粉末が、３５〜３９重量％のＳｉＯ_２と、９〜１７重量％のＡｌ_２Ｏ_３と、２１〜４０重量％のＢ_２Ｏ_３と、１０〜２０重量％のＲ’Ｏ(但し、Ｒ’は、Ｍｇ、Ｃａ及びＢａからなる群より選択された少なくとも１種である)と、０．２〜２重量％のＬｉ_２Ｏと、０．５〜２重量％のＭＯ_２（但し、Ｍは、Ｔｉ及びＺｒからなる群から選択される少なくとも１種である）とを含み、全体で１００重量％となることを特徴とするグリーンシート用セラミック粉末である。 （もっと読む）

【課題】電気容量が大きいコンデンサ及びコンデンサ内蔵多層セラミック基板を与えると共に、９００℃以下の温度での同時焼成の際に、収縮挙動に伴う焼成割れや導体剥がれ、反り等を生じさせない誘電体ペーストを提供する。
【解決手段】ＢａＴｉ_１−ｘＺｒ_ｘＯ_３(式中、ｘ＝０〜０．２)で表される誘電体粉末が８０重量％以上８７．５重量％以下、及び残部が４００℃以上５００℃以下の軟化温度を有し且つ比誘電率が２０以上のＢｉ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３系ガラス粉末である無機粉末材料と、結合剤及び可塑剤を含む液体状の有機ビヒクルとを含む誘電体ペーストとする。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成しても特性を損なうことなく緻密化した焼結体を得ることができる焼結助剤、焼結体及セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｓｉ化合物からなる第１成分、Ｂ化合物及びＡｌ化合物の少なくともいずれかを含む第２成分、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物及びカルシウムＣａ化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分のモル比による組成比は、図１に表される三角図における、点Ａ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）＝（０．２１、０．３７、０．４２）、点Ｂ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）＝（０．３６４、０．１９２、０．４４４）、点Ｃ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）＝（０．４７、０．１７４、０．３５６）、点Ｄ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）＝（０．６１８、０．１８２、０．２０）、点Ｅ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）＝（０．６１８、０．２２８、０．１５４）および点Ｆ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）＝（０．２６１、０．３７５、０．３６４）で囲まれる範囲内を満たす。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能、十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品の提供。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＺｎＯ−ｃＴａ_２Ｏ_５−ｄＮｂ_２Ｏ_５−ｅＺｒＯ_２（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を示す。）との組成式で表記され、３９．５≦ａ≦４２．５、１８．５≦ｂ≦２８．０、０≦ｃ≦２８、０≦ｄ≦２８、０＜ｅ≦２３で示され、また、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ジルコニアよりなる組成物を、ｘＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｙＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｚＢｉ_２Ｚｒ_２Ｏ_７（ただし、ｘ、ｙ及びｚはモル比を示す。）と表し、前記ｘ、ｙ及びｚの各々の相関を三角図を用いて示した場合に、特定の領域にあり、セラミック電子部品は、前記誘電体磁器組成物を焼成してなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が誘電体磁気組成物と同時焼成されてなる導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】微粒であっても、正方晶を主体とする結晶構造を有し、高純度のチタン酸バリウム粉末とその製法、ならびに誘電体磁器を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムおよび酸化チタンの混合粉末を気体中で分散した状態で９００〜１３６０℃の温度で瞬時に加熱する加熱工程と、瞬時に冷却する冷却工程とを有する製法により、純度が９９．６％以上、平均粒径が５０〜２００ｎｍであり、粒径の変動係数を標準偏差／平均粒径×１００（％）として表したときに前記変動係数が４０％以下であって、チタン酸バリウムのＸ線回折パターンにおける（２００）面の回折強度を１００としたときに、前記チタン酸バリウムのＸ線回折パターンにおける（００２）面の回折強度が３０以上であり、格子定数比ｃ／ａが１．００６以上であるチタン酸バリウム粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】低い焼成温度によって緻密で収縮し難い焼結体を得ることが可能なセラミックス粉末を、簡便且つ生産性よく得ることが出来る、セラミックス粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】ナノサイズのセラミックス粒子を構成する材料と、サブミクロンサイズのセラミックス粒子からなるセラミックス粉末と、を予め混合した原料を用い、これを水熱合成し、ナノサイズのセラミックス粒子を合成しつつ、同時に、ナノサイズのセラミックス粒子をサブミクロンサイズのセラミックス粒子の表面に被覆させる工程を含むセラミックス粉末の製造方法の提供による。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れるとともに誘電率が低く、さらに耐薬品性の良好な高熱膨張の低温焼成磁器およびその製造方法、ならびに配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、３０〜５０質量％のクォーツと、５〜４０質量％のエンスタタイトと、１〜１５質量％のフォルステライトと、５〜１５質量％のガーナイトと、０．５〜５質量％のジルコニアと、０．０１〜２質量％のチタニアと、５〜３０質量％のガラス相とからなり、前記ガラス相１００質量％のうちの１０〜３０質量％がＣａＯであることを特徴とする低温焼成磁器である。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成化が可能であり、比誘電率εｒやＱ×ｆ値等の誘電特性に優れ、しかも誘電率の温度安定性に優れた誘電体磁器組成物の製造を可能とする。
【解決手段】 一般式ＣａＯ−Ｍ^ＩＯ_１／２−Ｍ^IIIＯ_３／２−ＴｉＯ_２［ただし、Ｍ^Ｉは酸化数（原子価）が＋１となる元素を表し、Ｍ^IIIは酸化数（原子価）が＋３となる元素を表す。］で表される組成物を８５０℃以上の温度で仮焼した後、副成分を混合し、前記仮焼の温度よりも低い温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成しても特性を損なうことなく緻密化した焼結体を得ることができる焼結助剤、焼結体及セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｓｉ化合物からなる第１成分、Ｂ化合物及びＡｌ化合物の少なくともいずれかを含む第２成分、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物及びカルシウムＣａ化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分のモル比による組成比は、図１に表される三角図における、点Ａ（０．２１、０．３７、０．４２）、点Ｅ（０．６３、０．０９５、０．２７５）、点Ｆ（０．４１６、０．１０２、０．４８２）、点Ｈ（０．２６１、０．３７５、０．３６４）および点Ｍ（０．６１８、０．２６８、０．１１４）で囲まれる範囲内を満たす。 （もっと読む）

【課題】製造過程で体積の収縮がほとんど起らず意図した形状、寸法を有し、強度も良好な無機成形体を容易に製造することができる製造方法、及び該方法で得られる無機成形体を提供する。
【解決手段】固体状シリコーンからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなるシリコーン系成形物を、非酸化性雰囲気下、４００〜１５００℃において加熱することにより該固体状シリコーンを無機セラミックス化することを特徴とする、無機セラミックスからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなる無機成形体の製造方法、及びこの方法で得られる無機成形体。 （もっと読む）