【課題】 低温焼成可能な誘電体磁器組成物、及びそれを用いて作製される電子部品を提供する。
【解決手段】 （ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３系磁器組成物１００質量部に対し、重量によりＢｉ_２Ｏ_３ ６〜１５部、ＳｉＯ_２ １〜５部、ＺｎＯ １〜５部、ＭｇＯ ０〜３部、Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部（Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部をＬｉ_２Ｏ ０．０８〜２．０質量部で置換してよい）を添加した誘電体磁器組成物、それを用いて作製される電子部品。 （もっと読む）

【課題】低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法及びそれから得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】複合ビスマスニオブ酸化物（ＢｉＮｂＯ_４）または亜鉛ニオブ酸化物（Ｚｎ_３Ｎｂ_２Ｏ_８）前駆体粉末を溶液反応に基づいた粉末合成工程である共沈法を用いて製造し、ここに０．１〜１質量％のＣｕＯ及び０．２〜２質量％のＶ_２Ｏ_５を焼結助剤として添加し、粉砕及び焼結する低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法。該製造方法によって得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物。該低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物は、高誘電率及び品質係数、及び安定した共振周波数の温度係数を有するのみならず、７００〜７５０℃の低い温度の範囲で焼成が可能である。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼結用焼結助剤に好適なガラス組成物、ガラスフリット、誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサーを提供する。
【解決手段】本発明によるガラス組成物は、ａＬｉ_２Ｏ−ｂＫ_２Ｏ−ｃＣａＯ−ｄＢａＯ−ｅＢ_２Ｏ_３−ｆＳｉＯ_２から成り、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００、２≦ａ≦１０、２≦ｂ≦１０、０≦ｃ≦２５、０≦ｄ≦２５、５≦ｅ≦２０及び５０≦ｆ≦８０とを満足する。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で高誘電率を示しながらも温度安定性が優秀な、誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分として(Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ)_ｍＴｉＯ_３と、副成分としてＭｇＣＯ_３、ＲＥ_２Ｏ_３(ＲＥ_２Ｏ_３はＹ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３及びＨｏ_２Ｏ_３から成る群から１種以上選択される希土類酸化物)、ＭＯ(ＭはＢａ及びＣａのうち一つの元素)、ＭｎＯ、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３及び焼結助剤であるＳｉＯ_２を含む。上記誘電体磁器組成物の組成式はａ(Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ)_ｍＴｉＯ_３−ｂＭｇＣＯ_３−ｃＲＥ_２Ｏ_３-ｄＭＯ−ｅＭｎＯ−ｆＳｉＯ_２−ｇＶ_２Ｏ_５−ｈＣｒ_２Ｏ_３と表現する際、モル比でａ＝１００、０．１≦ｂ≦３．０、０．１≦ｃ≦３．０、０．１≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦１．０、０．２≦ｆ≦３．０、０．０１≦ｇ≦１．０、０．０１≦ｈ≦１．０であり、０．００５≦ｘ≦０．１５、０．９９５≦ｍ≦１．０３を満足する。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうことなく緻密化しており、かつ誘電体粒子の粒径を微細化でき、薄層化に対応した誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤を用いた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＺｒＯ_２ 及びＳｉＯ_２ を主成分として含み、前記主成分中の含有量が、１モルのＳｉＯ_２ に対して、ＺｒＯ_２ ：０．７〜１．３モルであるガラス材料と、ＭｇＯを主成分とする非ガラス材料とを、有する焼結助剤を、該焼結助剤中の各成分が以下に示す量となるように添加して、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
ガラス材料：主成分酸化物１００モルに対して、０．７〜８モル（但し０．７モルと８モルを除く）、
非ガラス材料：主成分酸化物１００モルに対して、０．１〜４モル（但し０．１モルと４モルを除く）。
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【課題】本発明は、３００℃以下の低温で結晶質誘電体薄膜を形成することのできる結晶質誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶質誘電体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、上記非晶質誘電体薄膜を水中に浸漬して水熱処理する段階とを含む。上記非晶質誘電体薄膜を形成する段階は、非晶質誘電体ゾルを基板上にコーティングする段階と、コーティングされた晶質誘電体ゾルをベーキングする段階とを含む。ベーキング後にはベーキング処理された結果物を乾燥する段階をさらに含むことができる。所望の厚さの薄膜を得るために、コーティングとベーキングは多数回繰り返すことができる。 （もっと読む）

【課題】 焼成の際にＡｇが拡散するのを抑制することができる誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ａ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ａはアルカリ金属元素から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦４５ｍｏｌ％、０≦ｂ≦３０ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、２０≦ｄ≦５０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分を含む誘電体磁器組成物であって、焼成後のペロブスカイト型結晶相の単位格子の体積が０．２２５〜０．２２７ｎｍ³であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 少ないガラス量で低温焼成できる磁器組成物及びその製法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】 本組成物は、フィラー及びガラスを含有し、フィラーは組成式［ｘＣａＯ・ｙＭ^１Ｏ・ｚＳｉＯ_２］（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％）で表した場合に条件（１）及び（２）を満たすフィラーを主成分とし、且つ、ガラスは、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉを含有し、各元素の酸化物換算合計で、Ｂａを２５〜５５質量％、Ｚｎを５〜３０質量％、Ｂを１５〜３５質量％、Ｓｉを５〜３０質量％含有する。条件（１）；Ｍ^１はＭｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種。条件（２）；ｘ、ｙ及びｚは三角図を用いて表した場合に図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡの領域内（各辺は全て含む）にある。本電子部品は、本組成物からなる誘電体磁器部と、その表面及び／又は内部に配設され且つ同時焼成された導体部を備える。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物を、組成式ｘＢａＯ−ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．１２≦ｚ≦０．２０、０．３０≦ｗ≦０．３８で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含ませた。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＯ、希土類酸化物及びＴｉＯ₂が主成分として含有された組成系であっても、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ及びＳｉＯ₂を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃、ＣｕＯ及びアルカリ土類金属酸化物ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）を所定の比率で含有させ、さらに好ましくは、副成分としてＡｇを含有させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体用ガラスフリット、誘電体セラミック組成物、積層セラミックキャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体用ガラスフリットであって、ａＳｉＯ_２‐ｂＢ_２Ｏ_３‐ｃＬｉ_２Ｏ‐ｄＫ_２Ｏ‐ｅＣａＯ‐ｆＡｌ_２Ｏ_３‐ｇＴｉＯ_２‐ｈＺｒＯ_２から組成され、上記ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００で、上記２０≦ａ≦３５、２０≦ｂ≦３５、２０≦ｃ≦３０、３≦ｄ≦５、２≦ｅ≦１２、２≦ｆ≦１０、１≦ｇ≦１２、１≦ｈ≦７を満足するものである。 （もっと読む）

低温焼成磁器組成物は１０００℃以下で焼成可能であり、低い比誘電率（１６ＧＨｚ以上において９以下）と高いＱｆ値（10,000以上）を有する。組成物はＡｇ、ＡｕまたはＣｕなどの配線材料と同時焼成できる。セラミック組成物は（質量で）ＣａＯとＭｇＯとＳｉＯ₂とを合計量で６０質量％を超え９８.６質量％以下、Ｂｉ₂Ｏ₃を１質量％以上３５質量％未満及びＬｉ₂Ｏを０.４質量％以上６質量％未満含み、（ＣａＯ＋ＭｇＯ）とＳｉＯ₂の含有比が１：１以上１：２.５未満（モル比）含む。 （もっと読む）

【課題】印刷した場合にも「糸引き」することがなく、比較的低温で焼成することにより残渣なく消滅させることができるバインダー樹脂組成物、ガラスペースト及びセラミックペーストを提供する。
【解決手段】（メタ）アクリル酸アルキルエステル単量体に由来するセグメントと、下記化学式（１）で示される繰り返しユニットからなるポリアルキレンオキサイドセグメントとを有する共重合体（Ａ）をマトリックス樹脂とするバインダー樹脂組成物。 −(ＯＲ)_n− ・・・（１） Ｒ：炭素数３以上で構成されるアルキレン基、ｎは整数。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下での低温焼結が可能で、比誘電率εｒが３０〜４０の特性を備え、共振周波数の温度係数τｆが＋１０〜＋４０ｐｐｍ／Ｋの特性を備え、共振周波数とＱ値との積であるＱ・ｆ値が１５０００ＧＨｚ以上の特性を備える誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、ＴｉＯ_２を所定の比率で含有させ、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＣｕＯを所定の比率で含有させるとともに、これらの副成分の総和量を所定範囲にする。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下での低温焼結が可能で、比誘電率εｒが３０〜４０の特性を備え、特に、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が２０ｐｐｍ／Ｋの特性を備え、共振周波数の温度係数τｆが改善された誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３を所定の比率で含有させ、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＣｕＯを所定の比率で含有させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも更に低温焼成可能で、且つ高い比誘電率を有する誘電体セラミック材料とすることができる誘電体セラミック形成用組成物およびそれを用いた誘電体セラミック材料を提供すること。
【解決手段】平均粒径が０．０１〜０．５μｍのペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末と平均粒径が０．１〜５μｍのガラス粉末を含有し、且つ前記ガラス粉末の配合量が３〜１２重量％であることを特徴とする誘電体セラミック形成用組成物である。ペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末は、湿式反応により得られるペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 より低い温度で焼成でき、粒子間の間隙が小さく、表面の欠陥がない誘電体層又は絶縁体層を簡便かつ効率よく形成できる誘電体層又は絶縁体層形成用組成物、この組成物をフィルム状に成形して得られるグリーンシート、並びに、この組成物から形成された誘電体層又は絶縁体層を有するフラットパネルディスプレイ基板及びこの基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径が１〜５００ｎｍの無機微粒子、及び熱分解性バインダーを含有することを特徴とする誘電体層又は絶縁体層形成用組成物、この組成物をフィルム状に成形して得られるグリーンシート、基板と、該基板上に、前記組成物から形成された誘電体層又は絶縁体層を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ基板、基板上に、グリーンシートを貼付する工程と、該グリーンシートを焼成する工程とを有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物において、より低温で焼結可能であり、かつ、比誘電率が高く、ＩＲ寿命に優れた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第２副成分を、少なくとも有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、焼成後に前記Ｒの酸化物となる原料のうち少なくとも一部として、Ｒのハロゲン化物を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）