【課題】 誘電体フィルタや共振器に用いられる誘電体磁器組成物は、誘電率が高く、Ｑ値が高いことが望まれる。
【解決手段】 一般式ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスが２５重量部〜３５重量部添加される。
【効果】 ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスを２５重量部〜３５重量部添加するので、誘電率とＱ値を向上できると共に、焼結温度を導体パターンを構成する金属の融点よりも低くできる。 （もっと読む）

【課題】９００℃以下で焼成可能であり、１６ＧＨｚ以上の高周波領域において低い比誘電率と、低い誘電損失を有する低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の含有比が（２−ｘ）：ｘ：ｙで表され、ｘは0.03〜1.0、ｙは1.2〜１０であるＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の混合物及び／または複合酸化物６３〜98.7質量％と、Ｂi₂Ｏ₃1.0〜３５質量％及びＬｉ₂Ｏ0.3〜2.0質量％とを含む原料粉を仮焼(７５０℃〜８５０℃)後粉砕して粉末とし、これにバインダー等を加え所定形状に成形後、８５０℃〜９００℃で焼成し、ＭｇとＭｎとＳｉを含む結晶相、Ｂｉ₂Ｏ_3-ＳｉＯ₂系結晶相及びＬｉ₂Ｏ-ＳｉＯ₂系結晶相とを含むミリ波領域（１６ＧＨｚ）での誘電率（εｒ）が９以下、Ｑｆ値が10,000以上の誘電体磁器を得る。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能で、比誘電率εｒ等の誘電特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主組成成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を含有する誘電体磁器組成物である。
ａＣａＯ−ｂＬｉＯ_１／２−ｃＢｉＯ_３／２−ｄＲＥＯ_３／２−ｅＴｉＯ_２・・・（１）
ただし、式中、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙ，Ｙから選択される少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは各成分の比率（モル％）を表し、
１０≦ａ≦２５
１０≦ｂ≦２０
８≦ｃ≦１５
２≦ｄ≦１０
５０≦ｅ≦６０
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
なる関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結させることが可能であるとともに、収縮抑制工法により、平面方向の収縮を抑制しつつ焼成する工程を経て製造されるセラミック基板などの電子部品の原料として用いるのに適した低温焼結セラミック組成物を提供する。
【解決手段】(ａ)含有率が、７５重量％を超え、９５重量％以下である、１０００℃以下で焼結する、ガラスを含まないセラミック材料と、(ｂ)含有率が５重量％以上で、２５重量％未満のホウケイ酸ガラスとを含有し、１０００℃以下の焼成温度で焼成される低温焼結セラミック組成物において、ホウケイ酸ガラスとして、焼成温度より５０〜１５０℃低い軟化点を有するものを用いる。
本願発明の低温焼結セラミック組成物を主成分とする基板用グリーン層１ａと、収縮抑制層３１とを備えるグリーン積層体３２を形成し、低温焼結セラミック組成物は焼結するが、収縮抑制層３１は実質的に焼成しない焼成温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール１に備える多層セラミック基板２において積層されるガラスセラミック層３のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ およびＴｉＯ₂ より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、Ｌｉ₂ Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯおよびＡｌ₂ Ｏ₃ を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、３重量％以上を占めており、ＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯからなる群より選ばれる少なくとも１種の添加成分をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】 さらなる機械的強度の向上および各種外観不良の防止を実現する低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器を提供する。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、ＳｉＯ_２を３０〜４０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜２ｍｏｌ％、ＭｇＯを２８〜３５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を１２〜２０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１０〜１５ｍｏｌ％、ＣａＯを２〜６ｍｏｌ％含むガラス成分と、表面にＡｌ_２Ｏ_３粒子が被着しているＳｉＯ_２粉末からなるフィラー成分とで構成される。この低温焼成磁器組成物を８５０℃〜１０５０℃で焼成して得られる低温焼成磁器は、ＺｎＡｌ_４Ｏ_７の析出を抑え、ガーナイト結晶相およびクォーツ結晶相を主に析出させることができ、機械的強度を向上させることができる。さらにガラスの緻密化温度と結晶化開始温度との温度差を小さくすることで、ＣＯおよびＣＯ_２をシート内に留め、表面に発生する膨れを皆無とすることができる。 （もっと読む）

【課題】十分に緻密化され圧電素子としての性能の高いＰＺＴ膜を低コストで製造するための塗布液、及び、ＰＺＴ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶ＰＺＴ粒子と、アモルファスＰＺＴ粒子と、有機バインダーと、有機溶剤と、を含む塗布液を基板に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を焼成することにより十分に緻密化されたＰＺＴ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼結が可能である、チタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウム系誘電体100重量部、および副成分としてCuO、ZnOおよびMgOからなる群より選ばれた少なくとも1種とBi₂O₃とを合計で4〜10重量部含む組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結が可能で、メッキ液等の薬品による浸食がなく、さらには高周波領域において低誘電損失となる安価なセラミック配線基板が得られる低温焼成磁器組成物を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２＿５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ＿１２〜２２質量％、ＣａＯ＿２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対して、副成分としてホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１．０〜５．０質量部、ビスマスをＢｉ_２Ｏ_３換算で１．０〜２０質量部、アルミナをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．１〜３質量部、及びリチウムをＬｉ_２Ｏ換算で０．１〜１．５重量部を有し、前記主成分は焼結後にディオプサイド結晶相（ＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６）を形成することを特徴とする （もっと読む）

【課題】従来の強誘電性セラミック材料の温度よりも低い温度で焼結することができる新しい強誘電性セラミック材料、および焼結によって、多数の工業用途に適した優れた圧電性を保有する新しい強誘電性セラミック材料で形成された装置を提供すること。
【解決手段】強誘電性セラミック材料は、ｗＰｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｘＰｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｙＰｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｚＰｂＺｒＯ_３−（１−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ）ＰｂＴｉＯ_３（式中、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜１、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、および０．５≦ｗ＋ｘ＋ｙ）の一般式を有する組成物を含む。強誘電性セラミック材料の調製方法は、ＭｇＮｂ_２Ｏ_６、ＺｎＮｂ_２Ｏ_６およびＮｉＮｂ_２Ｏ_６粉末前駆体を調製するステップ、前記前駆体を、ＰｂＯ、ＴｉＯ_２およびＺｒＯ_２と混合して、混合物を形成するステップおよび前記混合物を焼成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率と、高いＱ値、ゼロに近いＴＣＦ特性を有し、かつＡｇやＣｕと同時焼成可能な高周波用誘電体材料の提供。
【解決手段】ＣａＯ：１モル、Ｎｂ_２Ｏ_５：（１−α×β）／３モル、ＺｎＯ：（１−α）／３モル、ＴｉＯ_２：γモル、Ｌｉ_２Ｏ：α×（１−β）／６モル（但し、０．６５≦α≦０．７５、０．０９≦β≦０．１５、０．０６６≦α×β≦０．１００、０．１５≦γ≦０．３５）の割合からなる主構成材料と、前記主構成材料１００重量部に対し、さらにＣｕ、Ｂ、Ｌｉ、Ｂｉ、Ｖの酸化物およびそれらの混合物からなる群より選ばれてなる焼結助剤１〜５重量部、とを含んでなることを特徴とする、高周波用誘電体材料。 （もっと読む）

【課題】高誘電率、高品質係数、絶対値の小さい温度係数、低焼結温度および内部導体材料との非反応性を有する電体磁器組成物の提供。
【解決手段】一般式、ｘＺｎＯ・ｘＮｂ_２Ｏ_５・ｙＣａＴｉＯ_３・ｚＣａＯ（式中、３７≦ｘ≦５０、１０≦ｙ≦６０、３≦ｚ≦４０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である）で表される主成分と、前記主成分に対して副成分としてＢ酸化物をＢ_２Ｏ_３換算にて０．３〜３．０重量部含有する、誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】低温での焼成が可能であり、Ｑ値および絶縁抵抗に優れ、しかも高温加速寿命特性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】誘電体酸化物を含む主成分と、Ｌｉの酸化物を含む第１成分およびＭ１の酸化物（ただし、Ｍ１は、Ｖ族、ＶＩ族元素から選択される少なくとも１種の元素）を含む第２成分を有する焼結助剤と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子と、隣り合う前記誘電体粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、複数の前記誘電体粒子は、粒子表面から粒子内部に向かって、Ｍ１元素の濃度が低くなっているとともに、前記誘電体粒子の粒径をＤとし、前記結晶粒界におけるＭ１元素の含有割合を１００％とした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Ｄの５０％である深さＴ_５０における、Ｍ１元素の含有割合が、３〜５５％であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】低温同時焼成プロセスに適用可能であって、体積小型化、高品質、高安定化の必要条件を満たす誘電ガラスセラミックス組成物、誘電ガラスセラミックス基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電ガラスセラミックス組成物はセラミックス材料とBa-B-Si（バリウム−ホウ素−ケイ素）ガラス材料からなる。誘電ガラスセラミックス基板と、その製造方法も開示される。セラミックス材料は、例えば、チタン酸ストロンチウムセラミックス、或いは、商用誘電セラミックス粉末である。Ba-B-Siガラス材料とセラミックス材料は有機キャリアと混合され、プレモールドに成型される。プレモールドは低温焼結され、誘電ガラスセラミックス組成物から構成される誘電ガラスセラミックス基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】内部電極として、Ｃｕ電極等の卑金属電極を用いることができる耐還元性誘電体磁器組成物であって、比誘電率を維持しつつ、ＣＲ積が良好となる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分と副成分とを有する耐還元性誘電体磁器組成物であって、
前記主成分の組成式を、α（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）ＴｉＯ_３＋（１−α）（Ｂｉ_２Ｏ_３＋βＴｉＯ_２）と表した場合に、αが０．６０＜α＜０．８５、βが１．５＜β＜４．０の範囲にあり、前記副成分として、少なくとも、酸化硼素および酸化マンガンを有し、前記主成分１００モルに対して、０．５≦酸化硼素≦５モルであり、０．０５＜酸化マンガン＜３モルである。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型酸化物に従来よりも少ない焼結助剤を用いて低い温度で焼成することにより、高誘電率な誘電体磁器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記焼結助剤は、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものであり、かつ、前記焼結助剤の含有量は、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量である。前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ₃の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であり、前記焼結助剤は、Ｂ及びＬｉ、又はＢの一部をＳｉで置換したＢ、Ｌｉ及びＳｉであり、Ｂ、Ｌｉ及びＳｉの含有量が、前記ペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、Ｂ₂Ｏ₃、Ｌｉ₂Ｏ及びＳｉＯ₂に換算して０．１〜４．０モル％である。 （もっと読む）

【課題】高い誘電性を有する薄膜の製造のためのコーティング溶液、及びこれを用いた誘電薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタニウムアルコキサイド、β−ジケトンまたはβ−ジケトン改質化合物、及び電子供与基に改質されたベンゾ酸を含んで成る薄膜製造のためのコーティング溶液及び上記コーティング溶液を低温で乾燥して薄膜を結晶化させる誘電薄膜の製造方法を提供する。このように提供されるチタニウムコーティング溶液は非常に安定しており、基板の種類にかかわらず低温で薄膜工程進行が可能なだけでなく、ＰＣＢ工程内でインライン工程進行が可能である。 （もっと読む）

【課題】(Ｃａ_１-ｘＳｒ_ｘ)_ｍ(Ｚｒ_１-ｙＴｉ_ｙ)Ｏ_３系誘電体組成物において、還元性雰囲気において焼結できニッケル電極の形成に使用できるばかりでなく、１２５０℃の低温において焼成可能であり、誘電損失が少なく、比抵抗が高い信頼性良き誘電体組成物を提供する。とりわけ、ＥＩＡ(Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ)規格でＴＣ系を満足する誘電体組成物を提供する。
【解決手段】主原料の(Ｃａ_１-ｘＳｒ_ｘ)_ｍ(Ｚｒ_１-ｙＴｉ_ｙ)Ｏ_３（但し、式において、０≦ｘ≦１、０.０９≦ｙ≦０.３５、０.７≦ｍ≦１.０５）と、０.５〜１０ｗｔ％のガラス成分のａＭｎＯ−ｂＳｉＯ_２−ｃＡｌ_２Ｏ_３(但し、式において、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、２０≦ａ≦６０、１０≦ｂ≦６５、１≦ｃ≦１０)と、を含有する耐還元性誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】母材の特性劣化を抑制しつつ焼結温度を低くすることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、少なくとも酸化銅、酸化チタン、酸化ニオブより構成され、ｘＣｕＯ−ｙＴｉＯ₂−ｚＮｂＯ_2.5（ｘ，ｙ，ｚはモル比、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表したときの三成分組成図において、ｘ，ｙおよびｚが下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする四角形の領域内にあることを特徴とするものである。
Ａ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５００，０．２５０，０．２５０）
Ｂ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．３００，０．２５０，０．４５０）
Ｃ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．６４０，０．０４０，０．３２０）
Ｄ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．３８４，０．０４０，０．５７６） （もっと読む）

【課題】 マイクロ波領域で使用するのに好適な電気的特性を有するとともに、低温焼成可能なマイクロ用誘電体磁器組成物及びそれを用いて作成される電子部品を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が、図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１〜６質量％含有する誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、更にＡｌ_２Ｏ_３及びＭｇＯを含有してよく、Ｂ_２Ｏ_３を一部〜全部Ｌｉ_２Ｏに置換しても良い。それを用いて作成される電子部品。 （もっと読む）