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Fターム[5G303AB15]の内容

無機絶縁材料 (13,418) | 目的(及び、改善している性質) (1,889) | 低温焼結性 (113)

Fターム[5G303AB15]に分類される特許

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【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物において、より低温で焼結可能であり、かつ、比誘電率が高く、IR寿命に優れた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Rの酸化物(ただし、Rは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種)を含む第2副成分を、少なくとも有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、焼成後に前記Rの酸化物となる原料のうち少なくとも一部として、Rのハロゲン化物を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】収縮の許容差を減少させることができる共焼成された金属化高誘電率セラミックコアの製造方法の提供。
【解決手段】コアテープの少なくとも1つの層を含む前駆体グリーン積層体を形成する工程であって、該コアテープは少なくとも20の誘電率を有する工程と;該前駆体グリーン積層体を焼成する工程とを含む、共焼成された金属化高誘電率セラミックコアを製造するための方法。 (もっと読む)


【課題】 還元雰囲気中1200℃以下で焼成でき、比誘電率が2,400以上で、X5R特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてBa、Ca、及びTiの酸化物を、副成分としてCr、Mg、及びMnの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式(Ba1−xCa)TiO(x:0.005〜0.10、(Ba1−xCa)/Ti比:1.003〜1.030)で表される化合物であり、この化合物100mol部に対し、Cr酸化物をCr換算にて0.03〜1.5mol部、Mg酸化物をMg換算にて0.1〜3.0mol部、Mn酸化物をMn換算にて0.01〜1.0mol部、の割合で含み、さらに前記化合物100重量部に対する焼結助剤を0.2〜1.2重量部の割合で含有。 (もっと読む)


【課題】 加速寿命が100時間以上、最大比誘電率が10,000以上、誘電体磁器組成物を構成する焼結体の結晶粒径が2μm以下であって、還元雰囲気中1250℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物を製造する方法と該製造方法で製造した誘電体磁器組成物を成形してなる磁器コンデンサを提供。
【解決手段】 組成式Ba(Ti1−xZr)O(ただし、xは0.05〜0.15、Ba/(Ti1−xZr)比は0.99〜1.01)で表される基本主成分と、副成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記基本主成分の原料であるBa、Ti、及びZr化合物を混合して焼成した基本主成分焼結体に、副成分の原料のうちのCa化合物を添加し、仮焼した後、残りの副成分の原料を添加し、次いで、これを、還元雰囲気で焼成することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 還元雰囲気中1180℃以下で焼成でき、比誘電率が2,400以上で、X5R特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてBa、Ca、及びTiの酸化物を、副成分としてRe(ReはY、Dy、Sm、Yb及びHoからなる群から選択される少なくとも1種以上の希土類元素)の酸化物及びMgの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式(Ba1−xCa)TiO(x:0〜0.10、(Ba1−xCa)/Ti比:1.005〜1.030)で表される化合物であり、この化合物100mol部に対し、Re酸化物をRe換算にて0.5〜3.0mol部、Mg酸化物をMg換算にて0.5〜3.0mol部の割合で含み、さらに前記化合物100重量部に対して焼結助剤を0.2〜1.0重量部の割合で含有。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率10,000以上、焼結体の結晶粒径2μm以下、信頼性が高く、Y5V規格に規定する特性値を満足し、還元雰囲気中1250℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物;磁器コンデンサ;製造方法を提供。
【解決手段】 主成分として、Ba、Ca、Ti、及びZrの酸化物が、副成分として、Re(ReはY、Dy、Ho、Yb、及びCeからなる群から選択される少なくとも1種以上の希土類元素)、Mg、Mn、及びSiの酸化物が含有されている焼結体からなり、主成分が、組成式(Ba1−xCa(Ti1−yZr)O(mは1.00〜1.02、xは0.01〜0.10、yは0.07〜0.20)100mol部;副成分として、Re換算して0.3〜1.0mol部、Mg換算して0.05〜1.0mol部、Mn換算して0.1〜0.5mol部、Si換算して1.0〜2.0mol部含有する誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 最大比誘電率が10,000以上、焼結体の結晶粒径が2μm以下であって、還元雰囲気中1250℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物;磁器コンデンサ;製造方法を提供。
【解決手段】 主成分:Ba、Ti、Zrの酸化物が、副成分:Re、Mg、Mn、Si、Caの酸化物が含有されている焼結体からなり、主成分が組成式Ba(Ti1−xZr)O(xは0.05〜0.15、Ba/(Ti1−xZr)比は0.99〜1.01)で表されるもの100mol部に対して、副成分としてRe酸化物をRe換算して0.3〜1.0mol部、Mg酸化物をMg換算して0.3〜1.0mol部、Mn酸化物をMn換算して0.1〜0.5mol部、Si酸化物をSi換算して1.0〜2.0mol部、Ca酸化物をCa換算して0.5〜3.0mol部の割合で含有する誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 低温で焼成しても良好な誘電特性を示す積層セラミックス基板及びその製造方法を得る。
【解決手段】 誘電体セラミックス材料の原料粉を仮焼成し、仮焼成粉を含むシートを複数積層した積層体を焼成して得られる積層セラミックス基板であり、誘電体セラミックス材料として少なくとも2種類の誘電体セラミックス材料を用い、そのうちの少なくとも1種類が一般式(Li,R)TiO3−(Ca,Sr)TiO3(R:希土類元素)で表されるペロブスカイト型結晶相を有する誘電体セラミックス材料である、各種類毎の仮焼成粉を混合した仮焼成混合粉を加熱後急冷することにより、仮焼成混合粉の誘電体セラミックス材料に結晶欠陥を導入したことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、aBi(Zn1/3Ta2/3−bBi(Zn1/3Nb2/3−cBiSn(a、b及びcはモル%であり、a+b+c=100モル%である。)により表し、且つa、b及びcの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、a、b及びcは、各々に対応する値が、図1における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び/又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層(Ag等を主成分とする。)と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


1000℃以下の低温焼成が可能で、強度が高く、セラミックス層を利用した電子部品領域を形成する場合にも有利なセラミックス組成物及び配線基板を提供する。 SiO 52〜62質量%、MgO 12〜22質量%、CaO 21〜32質量%からなる主成分100質量部に対し、ホウ素成分を酸化物換算で0.5〜3質量部含む組成のセラミックス原料又はその仮焼粉末を成形し、焼成して、主結晶としてディオプサイド結晶を含有するセラミックス組成物を得る。また、上記セラミックス組成物からなる基板に導電性部材で形成された配線層を形成することにより、セラミックス配線基板を得る。 (もっと読む)


【課題】BaO、希土類酸化物及びTiO2が主成分として含有された組成系であっても、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとし、さらには、温度変化による共振周波数の変化が小さく、BaO−希土類酸化物−TiO2系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有し、しかも誘電損失が改善された誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd23、TiO2、MgO及びSiO2を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B23及びCuOを所定の比率で含有し、さらに副成分としてマンガン酸化物(MnO)を含有させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高いだけでなく誘電損失も小さい回路基板の構成要素として使用できる誘電体の製造に好適な無鉛ガラスの提供。
【解決手段】軟化点が840℃以下のSiO−BaO−TiO系無鉛ガラスで、BaO≦25モル%、ZnO<1モル%かつAlを含有し、焼成時にBaTi20結晶またはBaTi結晶が析出する無鉛ガラス。モル%で、SiO 25〜45%、BaO 5〜25%、TiO 18〜35%、Al 1〜10%、B 0〜15%、MgO+CaO+SrO 0〜15%、WO+ZrO 0〜7%、からなり、ZnO<1%である無鉛ガラス。 (もっと読む)


[(CaSr1−x)O][(TiZr1−y−zHf)O]で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Mn酸化物および/またはAl酸化物を含む第1副成分と、ガラス成分とを少なくとも含む誘電体磁器組成物である。主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号m、x、yおよびzが、0.90≦m≦1.04、好ましくは1.005≦m≦1.025、0.5≦x<1、好ましくは0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、好ましくは0.02≦y≦0.07、0<z≦0.20、好ましくは0<z≦0.10の関係にある。
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【課題】BaO、希土類酸化物及びTiO2が主成分として含有された組成系であっても、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。さらには、誘電損失が小さく、温度変化による共振周波数の変化が小さく、しかもBaO−希土類酸化物−TiO2系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd23、TiO2、MgO及びSiO2を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B23及びCuOを所定の比率で含有させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】 優れた特性(例えば、安定な誘電特性、高い信頼性、低い焼結温度、高い絶縁抵抗および高い相分解温度)を有する組成物を達成するために、従来の誘電性ZnTiO材料系の特性を改善する新規な材料系を提供すること。
【解決手段】 式(I):
(Zn1−aMg)(Ti1−b−cMn (I)
によって表される組成物を含む誘電材料であって、ここで、Dは、5以上の原子価を有する元素であり、aは、0以上0.5以下であり、bは、c以上0.1以下であり、cは、0より大きく0.1以下であり、dは、1以上1.5以下である、誘電材料。 (もっと読む)


【課題】
平滑な面を得るために表面を研磨しても、表面に現れるボイドが少なく、強度の大きく、比較的低温度で焼成が可能であり、マイクロ波に対する誘電損失が少なく、体積固有抵抗が高いという特性をもつセラミック基板を提供することである。
【解決手段】
少なくともフォルステライト80〜99.8 重量%及び
イットリア0.2〜5重量%からなる成形体を焼成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
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【課題】 比較的低い温度で焼結することが可能であって、電気特性にも優れた誘電体セラミック組成物を提供することにある。
【解決手段】 一般式I:(SrxCa1-x1-yRe2y/3TiO3(ただし、一般式Iにおいて、0≦x≦1、0≦y≦0.5、ReはLa、SmおよびNdからなる群より選ばれる少なくとも1種)で表される誘電体セラミック成分100重量部に対して、酸化バリウムをBaO換算で30〜50モル%、酸化ケイ素をSiO2換算で30〜50モル%、および、酸化ホウ素をB23換算で10〜30モル%含んだBaO−SiO2−B23系を5〜35重量部含有する誘電体セラミック組成物。 (もっと読む)


【課題】銀や銅などの低融点金属と同時に焼結可能であって、GHz帯などの高周波領域において優れた電気特性を有し、高い強度を有するセラミック原料組成物、セラミック基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フォルステライト80〜90重量%、チタン酸カルシウム10〜20重量%からなる主成分100重量部に対して、酸化ランタン0.5〜3重量部、酸化マグネシウム0.5〜3重量部を含み、フォルステライト、前記チタン酸カルシウム、酸化マグネシウムおよび酸化ランタン100重量部に対して、フッ化リチウムを0.5〜4重量部含むセラミック原料組成物を用いて、セラミック基板を作製する。 (もっと読む)


【課題】 1000℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電損失が低減された誘電体磁器組成物及び積層セラミック部品を得る。
【解決手段】 組成式a・Li2O−b・(CaO1-x−SrOx)−c・R23−d・TiO2(但し、xは0≦x<1を満足し、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種であり、a、b、c及びdは、0≦a≦20mol%、0≦b≦45mol%、0<c≦20mol%、40≦d≦80mol%、及びa+b+c+d=100mol%を満足する。)で表される誘電体成分を含む誘電体磁器組成物であり、焼成後において、ペロブスカイト構造を有する主相と、希土類元素を含む針状相とが存在していること特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 表層銀導体の位置を光学式読取装置で容易に認識できるアノーサイト系ガラスセラミックス誘電体材料を提供する。
【解決手段】 SiO2−Al23−CaO−B23系ガラス粉末と、Al23を含むセラミック粉末からなるガラスセラミックス誘電体材料において、ガラス粉末が、Fe23を0.1〜1.0質量%含有することを特徴とする。ガラス粉末は、質量%でSiO2 35.0〜65.0%、Al23 8.0〜25.0%、CaO 15.0〜35.0%、B23 4.0〜12.0%含有するガラスからなる。 (もっと読む)


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