積層セラミック基板
【課題】 低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。
【解決手段】 誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化・薄型化に伴い、積層セラミック基板に対するニーズが急速に高まってきている。積層セラミック基板の代表的な例としては、Ａｇなどの導電材料と同時に焼成可能な低温焼成材料（ＬＴＣＣ）を用い、各層にインダクタやコンデンサの回路を形成したものが挙げられる。この積層セラミック基板に使用される低温焼成材料としては、アルミナ等のセラミックフィラーとガラスを混合した誘電体磁器組成物が使用されるのが一般的である。しかし、このような組成物では誘電率が１０以下と低く、ＬＣフィルターに適用するには誘電特性が不十分であった。
【０００３】
ＬＣフィルターに適用するためには、高誘電率で誘電損失が少なく、かつ温度係数τｆが０に近いことが要求される。これらの特性を満たす誘電体磁器組成物として、特許文献１には、Ｌｉ2Ｏ−ＣａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2の組成を有する誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、（Ｌｉ0.5（Ｎｄ，Ｓｍ）0.5）ＴｉＯ3−（Ｃａ1-xＮｄ2x/3）ＴｉＯ3に、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット及びＬｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリットのいずれか１つのガラスフリットを３〜１５重量％含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された誘電体磁器組成物は、１３００℃程度の高温で焼成されており、そのままの組成では、９００℃程度の低温で焼成する積層セラミック基板に適用することが困難であった。
【０００６】
また、特許文献２に開示された誘電体磁器組成物において、９００℃程度の低温での焼結性を向上させるためには、ガラスの添加量を増やさなければならなかった。ガラスの添加量を増やすと誘電特性が劣化するという問題があった。
【特許文献１】特開平５−２１１００７号公報
【特許文献２】特開２００３−１４６７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、誘電体磁器組成物に、Ｂｉ2Ｏ3系ガラスを添加することにより、９００℃程度の低い焼成温度で焼結性を向上させることができ、誘電特性の劣化を抑制できることを見出した。
【０００８】
しかしながら、このような誘電体磁器組成物を用い、導体層の導電性材料としてＡｇを用いて焼成すると、焼成の際にＡｇが導体層から誘電体層に拡散し、所望の導体層を形成することができないという問題を生じた。
【０００９】
本発明の目的は、低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であり、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。
【００１１】
本発明に従い、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とする導体層中に、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有させることにより、誘電体層と導体層とを積層して焼成する際に、Ａｇ成分が導体層から誘電体層に拡散するのを抑制することができる。このため、焼成の際の導体層の残存率を高めることができ、所望の導体層パターンを誘電体層の上に形成することができる。
【００１２】
本発明において、導体層中に含有されるＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの量は、０．１〜１０重量％の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、０．５〜５重量％の範囲内である。Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの含有量が少な過ぎると、導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制するという本発明の効果が十分に得られない場合がある。また、多過ぎると、導体層における導電性が低下し過ぎる場合がある。
【００１３】
本発明においては、誘電体層にガラスが含有されていることが好ましい。このようなガラスとして、上記のようなＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有させることが好ましい。また、他のガラスと併用して用いてもよい。上記Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの含有量としては、誘電体材料１００重量部に対して、０．１〜１０重量部となるように含有させることが好ましい。また、誘電体層に含有させるガラスの合計量としては、誘電体材料１００重量部に対して１〜１０重量部となるように含有させることが好ましい。
【００１４】
本発明において用いるＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス中におけるＢｉ2Ｏ3の含有量は、３０重量％以上であることが好ましく、Ｂｉ2Ｏ3とＺｎＯの合計の含有量は５０重量％以上であることが好ましい。このような含有量のＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを用いることにより、導体層からのＡｇの拡散をさらに効率的に抑制することができる。
【００１５】
本発明における導体層には、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金が主成分として含まれている。これらの導電性材料の含有量としては、９０〜９９．９重量％の範囲内であることが好ましく、９５〜９９．５重量％の範囲内である。また、導電性材料として、Ｐｄ単体がさらに含有されていてもよい。導体層中のＰｄ含有量は、１０重量％以下であることが好ましい。Ｐｄを含有させることにより、Ａｇの拡散を抑制する効果をさらに高めることができるが、多くなり過ぎると、導体層の導電性が低下する場合がある。従って、さらに好ましいＰｄの含有量は、１〜１０重量％の範囲内である。
【００１６】
本発明における誘電体層には、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）表されるペロブスカイト構造を有する誘電体材料が主成分として含まれる。上記組成式におけるａは、さらに好ましくは５＜ａ≦１５ｍｏｌ％の範囲内である。また、ｂは、１０＜ｂ≦２０ｍｏｌ％の範囲内であり、ｃは、５＜ｃ≦１５ｍｏｌ％の範囲内であることがさらに好ましい。
【００１７】
本発明者らは、焼成の際に、導体層から誘電体層へＡｇが拡散するメカニズムについて検討した結果、誘電体材料の主相であるペロブスカイト相中におけるＬｉサイトがＡｇによって置換されることにより、Ａｇが誘電体層中に拡散することを見出した。ペロブスカイト相中のＬｉサイトがＡｇによって置換されることは、以下の３つの事象によって確認された。
【００１８】
（１）ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）による断面マッピング
（２）Ａｇ濃度による格子体積の変化
（３）表面導体パターンの光学顕微鏡による観察
以下、これらのことについて説明する。
【００１９】
＜ＴＥＭによる断面マッピング＞
図４（ａ）は、上記組成式で表される誘電体材料のＴＥＭ像を示している。具体的な組成は、ａ＝９ｍｏｌ％、ｂ＝１６ｍｏｌ％、ｃ＝１２ｍｏｌ％、ｘ＝０．０６であり、ＲはＮｄである。図４（ａ）においてＢで示す暗い部分は、ペロブスカイト相以外の部分を示しており、その他の明るい部分はペロブスカイト相を示している。
【００２０】
図４（ｂ）は、上記の誘電体材料を用いて作製した誘電体層にＡｇが拡散した後の状態を示すＴＥＭ像である。図４（ｂ）において、明るい斑点の部分は、Ａｇが存在していることを示している。図４（ａ）に示すＢの部分には、明るい斑点が認められていない。従って、ペロブスカイト相以外の部分には、Ａｇが存在しておらず、ペロブスカイト相の部分にのみＡｇが分布しており、ペロブスカイト相の部分にのみＡｇが拡散することがわかる。
【００２１】
＜Ａｇ濃度による格子体積の変化＞
図５は、導体層中におけるＡｇ濃度を変化させて、導体層と誘電体層とを積層して焼成させたペロブスカイト相の格子体積（セル体積）を示す図である。図５に示すように、導体層中のＡｇ濃度が高くなるにつれて、格子体積が増加していることがわかる。誘電体層の誘電体材料としては、後述する実施例における組成のものを用いた。
【００２２】
図５において、点線で示す「Ｎｄ置換」は、実施例における誘電体材料のＬｉを全てＮｄに置換したペロブスカイト相の格子体積を示している。図５に示すように、Ａｇ濃度が１０重量％以上になると、「Ｎｄ置換」の格子体積とほぼ一致するようになっている。Ｌｉのイオン半径は０．７８Å（０．０７８ｎｍ）であり、Ａｇのイオン半径は１．１３Å（０．１１３ｎｍ）であり、Ｎｄのイオン半径は１．１５Å（０．１１５ｎｍ）である。従って、Ａｇのイオン半径はＮｄのイオン半径に近似している。従って、ＬｉのサイトがＡｇイオンによって置換されることにより、Ｎｄで置換したペロブスカイト相と同程度の格子体積に近づいているものと思われる。すなわち、Ａｇで置換する前の格子体積は０．２２４ｎｍ3であるが、ＬｉがＡｇに置換されることにより、「Ｎｄ置換」とほぼ同程度の格子体積である０．２２６５ｎｍ3に近い値となっていると考えられる。
【００２３】
図６は、本発明における誘電体材料のペロブスカイト構造を示す模式図である。「Ｔｉ」で示すＢサイトにはチタン（Ｔｉ）が位置し、「Ｏ」で示すＯサイトには酸素（Ｏ）が位置し、その周囲のＡサイトに、例えば実施例の誘電体材料の場合、Ｌｉ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｃａ、及びＳｒのいずれかが位置する。上述のように、このＡサイトに位置するＬｉがＡｇと置換されるものと考えられる。
【００２４】
なお、格子体積（セル体積）は、以下のようにして求めることができる。Ｘ線回折パターンにおいて比較的強度の大きいピーク数本を選択し、その回折角から面間隔ｄを求める。面指数と面間隔の組み合わせから最小自乗法により、ａ軸、ｂ軸、及びｃ軸のそれぞれの長さを求める。ペロブスカイト構造の角度は全て直角であるので、求めた各軸の長さの積から格子体積（セル体積）を求めることができる。
【００２５】
面間隔ｄは、以下に示すＢｒａｇｇの式から求めることができる。θは回折角であり、λは入射Ｘ線の波長であり、ｎは反射次数である。
２ｄｓｉｎθ＝ｎλ
【００２６】
＜表面導体パターンの光学顕微鏡による観察＞
図７は、誘電体層の上に導体層を形成し、焼成した後の状態を示す光学顕微鏡像である。図７（ａ）は、上記のＬｉを全てＮｄに置換した誘電体材料からなる誘電体層の上に、従来のＡｇのみを含有するペーストを用いて導体層を形成し、これを焼成した後の状態を示している。
【００２７】
図７（ｂ）は、実施例において作製したＬｉを含有する誘電体材料の上に、従来のＡｇのみを含有するペーストを用いて導体層を形成し、これを焼成した後の状態を示している。
【００２８】
図７（ａ）に示すように、誘電体材料中にＬｉが含有されていない場合には、ほとんどの導体層が残存しており、導体層を確認することができる。これに対して、Ｌｉを含有した誘電体材料を用いた場合には、導体層を確認することができず、導体層中のＡｇが誘電体層中に拡散していることがわかる。
【００２９】
以上のことから、導体層中のＡｇは、ペロブスカイト相中のＬｉと置換することにより、誘電体層に拡散することがわかる。
【００３０】
本発明の積層セラミック基板は、誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより、得られるものであり、焼成温度としては、特に限定されるものではないが、一般に８５０〜９５０℃の温度であることが好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、低温焼成が可能で、かつ焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３３】
〔実験１〕
Ｌｉ2ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、Ｎｄ2Ｏ3及びＴｉＯ2を、Ｌｉ2Ｏ：９ｍｏｌ％、ＣａＯ：１５ｍｏｌ、ＳｒＯ：１ｍｏｌ％、Ｎｄ2Ｏ3：１２ｍｏｌ％、及びＴｉＯ2：６３ｍｏｌ％となるように秤量して混合した。この混合物を、ボールミルでアルコールを用いる湿式混合法により２４時間湿式混合した。その後、１２００℃で２時間仮焼成した。
【００３４】
得られた仮焼成物に、以下に示すガラス粉末Ａ（Ｂｉ2Ｏ3系ガラス）と、ガラス粉末Ｂ（Ｚｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス）を、誘電体材料１００重量部に対し、それぞれ１重量部となるように添加し、再びボールミルを用いて２０時間粉砕した。
【００３５】
以上のようにして得られた混合物に、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）系バインダ、分散剤、及び可塑剤を添加し、混合してスラリーを作製した。次に、得られたスラリーをドクターブレード装置を用いてシート厚み５０〜１０μｍのシート状に成形した。
【００３６】
導体層を形成するための導体層形成用材料として、Ａｇを導電性材料として８８重量％含み、バインダを１２重量％含む導体ペーストに、以下に示すガラス粉末を導体層の固形分中３重量％または１重量％となるように添加したものを調製した。上記のシートを所望の大きさに切断し、その上に得られた導体層形成用材料を所望のパターンとなるように印刷した。このようにして誘電体層の上に導体層を積層して形成したものを４００℃で脱バインダ処理した後、９００℃に２時間保持して焼成した。
【００３７】
（ガラス粉末Ａ〜Ｆ）
ガラス粉末Ａ：Ｂｉ2Ｏ3（７５重量％）−Ｂ2Ｏ3（１５重量％）−ＺｎＯ（１０重量％）
＜Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯの含有率：８５重量％＞
ガラス粉末Ｂ：Ｂｉ2Ｏ3（５５重量％）−Ｂ2Ｏ3（３５重量％）−ＺｎＯ（１０重量％）
＜Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯの含有率：６５重量％＞
ガラス粉末Ｃ：Ｂｉ2Ｏ3（２５重量％）−Ｂ2Ｏ3（６０重量％）−ＺｎＯ（５重量％）−ＳｉＯ2（１０重量％）
＜Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯの含有率：３０重量％＞
ガラス粉末Ｄ：ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、及びＳｉＯ2を主成分とするガラス
日本電気硝子株式会社製「ＧＡ−１２」
ガラス粉末Ｅ：Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2を主成分とするガラス
日本電気硝子株式会社製「ＧＡ−４７」
ガラス粉末Ｆ：Ｂｉ2Ｏ3（１００重量％）
なお、ガラス粉末Ａ〜Ｃは本発明におけるＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの組成を有しており、ガラス粉末Ｄ〜Ｆは比較のガラス粉末である。
【００３８】
＜導体層の残存率の測定＞
誘電体層の上に導体層を形成した焼成前の積層体を８０℃で３０分間乾燥し、触針式段差計により導体層の幅と厚みを測定した。測定して得られた幅と厚みから導体層の断面積を求めた。
【００３９】
次に、上記の焼成後の各試料についても、触針式段差計により上記と同様にして導体層の断面積を求め、以下の式から導体層の残存率を算出した。
【００４０】
導体層の残存率（％）＝（焼成後の導体層の断面積／焼成前の導体層の断面積）×１００
各ガラス粉末を用いた試料についての導体層の残存率を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
表１に示す結果から明らかなように、本発明に従い、導体層中にＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有させた場合には、比較のガラス粉末を含有させた場合に比べ、導体層の残存率が高くなっていることがわかる。また、Ｂｉ2Ｏ3とＺｎＯの合計の含有量が５０重量％以上であるガラス粉末Ａ及びＢを用いた場合に、特に導体層の残存率が高くなっていることがわかる。
【００４３】
〔実験２〕
上記実験１のガラス粉末Ａを３重量％用いた実施例において、導体層形成用材料として、ＡｇにさらにＰｄ単体を添加したものを作製し、実験１と同様にして導体層の残存率を算出した。Ｐｄの添加量としては、Ａｇ１００重量部に対し、３重量％及び６重量％とした。測定結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
【００４５】
表２に示すように、Ｐｄを添加することにより、導体層の残存率が高くなっており、Ａｇの拡散を抑制できることがわかる。
【００４６】
〔実験３〕
次に、導体層形成材料中におけるＡｇを、Ａｇ／Ｐｄ合金粉に代え、ガラス粉末Ａを３重量％用いて、実験１と同様にして導体層残存率を測定した。Ａｇ／Ｐｄ合金粉におけるＰｄ濃度は、３原子％及び６原子％とした。
【００４７】
測定結果を表３に示す。
【００４８】
【表３】
【００４９】
表３に示す結果から明らかなように、Ａｇ／Ｐｄ合金粉を用いることにより、Ａｇ単体を用いる場合より導体層残存率が高くなっていることがわかる。従って、Ａｇ／Ｐｄ合金を用いることにより、Ａｇの拡散が抑制されることがわかる。
【００５０】
〔実験４〕
図３は、焼成後の誘電体層表面の導体層の状態を示す光学顕微鏡像である。図３（ａ）は、実験３においてＰｄを６原子％含有したＡｇ／Ｐｄ合金粉を用いたときの状態を示している。
【００５１】
図３（ｂ）は、実験１においてガラス粉末を添加していないときの状態を示している。
【００５２】
図３（ａ）と図３（ｂ）との比較から明らかなように、本発明に従いＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを導体層に添加することにより、導体層から誘電体層へのＡｇの拡散が抑制され、所望のパターンの導体層を形成できることがわかる。
【００５３】
〔積層セラミック基板〕
図１は、本発明の積層セラミック基板の一実施例を示す斜視図であり、図２は分解斜視図である。
【００５４】
図１及び図２に示すように、誘電体層１の上には導体層２が形成されている。また、誘電体層１にビアホール３が形成されている誘電体もある。このような導体層２が形成された誘電体層２を複数枚積層し、焼成することにより、本発明に従う実施例の積層セラミック基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の積層セラミック基板の一例を示す斜視図。
【図２】本発明の積層セラミック基板の一例を示す分解斜視図。
【図３】（ａ）は本発明に従う実施例における焼成後の誘電体層表面の導体層を示す図であり、（ｂ）は比較例における焼成後の誘電体表面の状態を示す図。
【図４】ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）による断面マッピングを示す図。
【図５】導体層中のＡｇの濃度と、焼成後の誘電体層中のペロブスカイト相の格子体積との関係を示す図。
【図６】本発明における誘電体材料のペロブスカイト構造を示す模式図。
【図７】（ａ）はＬｉを含まない誘電体材料を用いたときの導体層を示す図であり、（ｂ）はＬｉを含む誘電体材料を用いたときの誘電体層表面を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…誘電体層
２…導体層
３…ビアホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化・薄型化に伴い、積層セラミック基板に対するニーズが急速に高まってきている。積層セラミック基板の代表的な例としては、Ａｇなどの導電材料と同時に焼成可能な低温焼成材料（ＬＴＣＣ）を用い、各層にインダクタやコンデンサの回路を形成したものが挙げられる。この積層セラミック基板に使用される低温焼成材料としては、アルミナ等のセラミックフィラーとガラスを混合した誘電体磁器組成物が使用されるのが一般的である。しかし、このような組成物では誘電率が１０以下と低く、ＬＣフィルターに適用するには誘電特性が不十分であった。
【０００３】
ＬＣフィルターに適用するためには、高誘電率で誘電損失が少なく、かつ温度係数τｆが０に近いことが要求される。これらの特性を満たす誘電体磁器組成物として、特許文献１には、Ｌｉ2Ｏ−ＣａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2の組成を有する誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、（Ｌｉ0.5（Ｎｄ，Ｓｍ）0.5）ＴｉＯ3−（Ｃａ1-xＮｄ2x/3）ＴｉＯ3に、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット及びＬｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリットのいずれか１つのガラスフリットを３〜１５重量％含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された誘電体磁器組成物は、１３００℃程度の高温で焼成されており、そのままの組成では、９００℃程度の低温で焼成する積層セラミック基板に適用することが困難であった。
【０００６】
また、特許文献２に開示された誘電体磁器組成物において、９００℃程度の低温での焼結性を向上させるためには、ガラスの添加量を増やさなければならなかった。ガラスの添加量を増やすと誘電特性が劣化するという問題があった。
【特許文献１】特開平５−２１１００７号公報
【特許文献２】特開２００３−１４６７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、誘電体磁器組成物に、Ｂｉ2Ｏ3系ガラスを添加することにより、９００℃程度の低い焼成温度で焼結性を向上させることができ、誘電特性の劣化を抑制できることを見出した。
【０００８】
しかしながら、このような誘電体磁器組成物を用い、導体層の導電性材料としてＡｇを用いて焼成すると、焼成の際にＡｇが導体層から誘電体層に拡散し、所望の導体層を形成することができないという問題を生じた。
【０００９】
本発明の目的は、低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であり、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。
【００１１】
本発明に従い、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とする導体層中に、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有させることにより、誘電体層と導体層とを積層して焼成する際に、Ａｇ成分が導体層から誘電体層に拡散するのを抑制することができる。このため、焼成の際の導体層の残存率を高めることができ、所望の導体層パターンを誘電体層の上に形成することができる。
【００１２】
本発明において、導体層中に含有されるＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの量は、０．１〜１０重量％の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、０．５〜５重量％の範囲内である。Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの含有量が少な過ぎると、導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制するという本発明の効果が十分に得られない場合がある。また、多過ぎると、導体層における導電性が低下し過ぎる場合がある。
【００１３】
本発明においては、誘電体層にガラスが含有されていることが好ましい。このようなガラスとして、上記のようなＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有させることが好ましい。また、他のガラスと併用して用いてもよい。上記Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの含有量としては、誘電体材料１００重量部に対して、０．１〜１０重量部となるように含有させることが好ましい。また、誘電体層に含有させるガラスの合計量としては、誘電体材料１００重量部に対して１〜１０重量部となるように含有させることが好ましい。
【００１４】
本発明において用いるＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス中におけるＢｉ2Ｏ3の含有量は、３０重量％以上であることが好ましく、Ｂｉ2Ｏ3とＺｎＯの合計の含有量は５０重量％以上であることが好ましい。このような含有量のＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを用いることにより、導体層からのＡｇの拡散をさらに効率的に抑制することができる。
【００１５】
本発明における導体層には、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金が主成分として含まれている。これらの導電性材料の含有量としては、９０〜９９．９重量％の範囲内であることが好ましく、９５〜９９．５重量％の範囲内である。また、導電性材料として、Ｐｄ単体がさらに含有されていてもよい。導体層中のＰｄ含有量は、１０重量％以下であることが好ましい。Ｐｄを含有させることにより、Ａｇの拡散を抑制する効果をさらに高めることができるが、多くなり過ぎると、導体層の導電性が低下する場合がある。従って、さらに好ましいＰｄの含有量は、１〜１０重量％の範囲内である。
【００１６】
本発明における誘電体層には、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）表されるペロブスカイト構造を有する誘電体材料が主成分として含まれる。上記組成式におけるａは、さらに好ましくは５＜ａ≦１５ｍｏｌ％の範囲内である。また、ｂは、１０＜ｂ≦２０ｍｏｌ％の範囲内であり、ｃは、５＜ｃ≦１５ｍｏｌ％の範囲内であることがさらに好ましい。
【００１７】
本発明者らは、焼成の際に、導体層から誘電体層へＡｇが拡散するメカニズムについて検討した結果、誘電体材料の主相であるペロブスカイト相中におけるＬｉサイトがＡｇによって置換されることにより、Ａｇが誘電体層中に拡散することを見出した。ペロブスカイト相中のＬｉサイトがＡｇによって置換されることは、以下の３つの事象によって確認された。
【００１８】
（１）ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）による断面マッピング
（２）Ａｇ濃度による格子体積の変化
（３）表面導体パターンの光学顕微鏡による観察
以下、これらのことについて説明する。
【００１９】
＜ＴＥＭによる断面マッピング＞
図４（ａ）は、上記組成式で表される誘電体材料のＴＥＭ像を示している。具体的な組成は、ａ＝９ｍｏｌ％、ｂ＝１６ｍｏｌ％、ｃ＝１２ｍｏｌ％、ｘ＝０．０６であり、ＲはＮｄである。図４（ａ）においてＢで示す暗い部分は、ペロブスカイト相以外の部分を示しており、その他の明るい部分はペロブスカイト相を示している。
【００２０】
図４（ｂ）は、上記の誘電体材料を用いて作製した誘電体層にＡｇが拡散した後の状態を示すＴＥＭ像である。図４（ｂ）において、明るい斑点の部分は、Ａｇが存在していることを示している。図４（ａ）に示すＢの部分には、明るい斑点が認められていない。従って、ペロブスカイト相以外の部分には、Ａｇが存在しておらず、ペロブスカイト相の部分にのみＡｇが分布しており、ペロブスカイト相の部分にのみＡｇが拡散することがわかる。
【００２１】
＜Ａｇ濃度による格子体積の変化＞
図５は、導体層中におけるＡｇ濃度を変化させて、導体層と誘電体層とを積層して焼成させたペロブスカイト相の格子体積（セル体積）を示す図である。図５に示すように、導体層中のＡｇ濃度が高くなるにつれて、格子体積が増加していることがわかる。誘電体層の誘電体材料としては、後述する実施例における組成のものを用いた。
【００２２】
図５において、点線で示す「Ｎｄ置換」は、実施例における誘電体材料のＬｉを全てＮｄに置換したペロブスカイト相の格子体積を示している。図５に示すように、Ａｇ濃度が１０重量％以上になると、「Ｎｄ置換」の格子体積とほぼ一致するようになっている。Ｌｉのイオン半径は０．７８Å（０．０７８ｎｍ）であり、Ａｇのイオン半径は１．１３Å（０．１１３ｎｍ）であり、Ｎｄのイオン半径は１．１５Å（０．１１５ｎｍ）である。従って、Ａｇのイオン半径はＮｄのイオン半径に近似している。従って、ＬｉのサイトがＡｇイオンによって置換されることにより、Ｎｄで置換したペロブスカイト相と同程度の格子体積に近づいているものと思われる。すなわち、Ａｇで置換する前の格子体積は０．２２４ｎｍ3であるが、ＬｉがＡｇに置換されることにより、「Ｎｄ置換」とほぼ同程度の格子体積である０．２２６５ｎｍ3に近い値となっていると考えられる。
【００２３】
図６は、本発明における誘電体材料のペロブスカイト構造を示す模式図である。「Ｔｉ」で示すＢサイトにはチタン（Ｔｉ）が位置し、「Ｏ」で示すＯサイトには酸素（Ｏ）が位置し、その周囲のＡサイトに、例えば実施例の誘電体材料の場合、Ｌｉ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｃａ、及びＳｒのいずれかが位置する。上述のように、このＡサイトに位置するＬｉがＡｇと置換されるものと考えられる。
【００２４】
なお、格子体積（セル体積）は、以下のようにして求めることができる。Ｘ線回折パターンにおいて比較的強度の大きいピーク数本を選択し、その回折角から面間隔ｄを求める。面指数と面間隔の組み合わせから最小自乗法により、ａ軸、ｂ軸、及びｃ軸のそれぞれの長さを求める。ペロブスカイト構造の角度は全て直角であるので、求めた各軸の長さの積から格子体積（セル体積）を求めることができる。
【００２５】
面間隔ｄは、以下に示すＢｒａｇｇの式から求めることができる。θは回折角であり、λは入射Ｘ線の波長であり、ｎは反射次数である。
２ｄｓｉｎθ＝ｎλ
【００２６】
＜表面導体パターンの光学顕微鏡による観察＞
図７は、誘電体層の上に導体層を形成し、焼成した後の状態を示す光学顕微鏡像である。図７（ａ）は、上記のＬｉを全てＮｄに置換した誘電体材料からなる誘電体層の上に、従来のＡｇのみを含有するペーストを用いて導体層を形成し、これを焼成した後の状態を示している。
【００２７】
図７（ｂ）は、実施例において作製したＬｉを含有する誘電体材料の上に、従来のＡｇのみを含有するペーストを用いて導体層を形成し、これを焼成した後の状態を示している。
【００２８】
図７（ａ）に示すように、誘電体材料中にＬｉが含有されていない場合には、ほとんどの導体層が残存しており、導体層を確認することができる。これに対して、Ｌｉを含有した誘電体材料を用いた場合には、導体層を確認することができず、導体層中のＡｇが誘電体層中に拡散していることがわかる。
【００２９】
以上のことから、導体層中のＡｇは、ペロブスカイト相中のＬｉと置換することにより、誘電体層に拡散することがわかる。
【００３０】
本発明の積層セラミック基板は、誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより、得られるものであり、焼成温度としては、特に限定されるものではないが、一般に８５０〜９５０℃の温度であることが好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、低温焼成が可能で、かつ焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３３】
〔実験１〕
Ｌｉ2ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、Ｎｄ2Ｏ3及びＴｉＯ2を、Ｌｉ2Ｏ：９ｍｏｌ％、ＣａＯ：１５ｍｏｌ、ＳｒＯ：１ｍｏｌ％、Ｎｄ2Ｏ3：１２ｍｏｌ％、及びＴｉＯ2：６３ｍｏｌ％となるように秤量して混合した。この混合物を、ボールミルでアルコールを用いる湿式混合法により２４時間湿式混合した。その後、１２００℃で２時間仮焼成した。
【００３４】
得られた仮焼成物に、以下に示すガラス粉末Ａ（Ｂｉ2Ｏ3系ガラス）と、ガラス粉末Ｂ（Ｚｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス）を、誘電体材料１００重量部に対し、それぞれ１重量部となるように添加し、再びボールミルを用いて２０時間粉砕した。
【００３５】
以上のようにして得られた混合物に、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）系バインダ、分散剤、及び可塑剤を添加し、混合してスラリーを作製した。次に、得られたスラリーをドクターブレード装置を用いてシート厚み５０〜１０μｍのシート状に成形した。
【００３６】
導体層を形成するための導体層形成用材料として、Ａｇを導電性材料として８８重量％含み、バインダを１２重量％含む導体ペーストに、以下に示すガラス粉末を導体層の固形分中３重量％または１重量％となるように添加したものを調製した。上記のシートを所望の大きさに切断し、その上に得られた導体層形成用材料を所望のパターンとなるように印刷した。このようにして誘電体層の上に導体層を積層して形成したものを４００℃で脱バインダ処理した後、９００℃に２時間保持して焼成した。
【００３７】
（ガラス粉末Ａ〜Ｆ）
ガラス粉末Ａ：Ｂｉ2Ｏ3（７５重量％）−Ｂ2Ｏ3（１５重量％）−ＺｎＯ（１０重量％）
＜Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯの含有率：８５重量％＞
ガラス粉末Ｂ：Ｂｉ2Ｏ3（５５重量％）−Ｂ2Ｏ3（３５重量％）−ＺｎＯ（１０重量％）
＜Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯの含有率：６５重量％＞
ガラス粉末Ｃ：Ｂｉ2Ｏ3（２５重量％）−Ｂ2Ｏ3（６０重量％）−ＺｎＯ（５重量％）−ＳｉＯ2（１０重量％）
＜Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯの含有率：３０重量％＞
ガラス粉末Ｄ：ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、及びＳｉＯ2を主成分とするガラス
日本電気硝子株式会社製「ＧＡ−１２」
ガラス粉末Ｅ：Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2を主成分とするガラス
日本電気硝子株式会社製「ＧＡ−４７」
ガラス粉末Ｆ：Ｂｉ2Ｏ3（１００重量％）
なお、ガラス粉末Ａ〜Ｃは本発明におけるＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスの組成を有しており、ガラス粉末Ｄ〜Ｆは比較のガラス粉末である。
【００３８】
＜導体層の残存率の測定＞
誘電体層の上に導体層を形成した焼成前の積層体を８０℃で３０分間乾燥し、触針式段差計により導体層の幅と厚みを測定した。測定して得られた幅と厚みから導体層の断面積を求めた。
【００３９】
次に、上記の焼成後の各試料についても、触針式段差計により上記と同様にして導体層の断面積を求め、以下の式から導体層の残存率を算出した。
【００４０】
導体層の残存率（％）＝（焼成後の導体層の断面積／焼成前の導体層の断面積）×１００
各ガラス粉末を用いた試料についての導体層の残存率を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
表１に示す結果から明らかなように、本発明に従い、導体層中にＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有させた場合には、比較のガラス粉末を含有させた場合に比べ、導体層の残存率が高くなっていることがわかる。また、Ｂｉ2Ｏ3とＺｎＯの合計の含有量が５０重量％以上であるガラス粉末Ａ及びＢを用いた場合に、特に導体層の残存率が高くなっていることがわかる。
【００４３】
〔実験２〕
上記実験１のガラス粉末Ａを３重量％用いた実施例において、導体層形成用材料として、ＡｇにさらにＰｄ単体を添加したものを作製し、実験１と同様にして導体層の残存率を算出した。Ｐｄの添加量としては、Ａｇ１００重量部に対し、３重量％及び６重量％とした。測定結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
【００４５】
表２に示すように、Ｐｄを添加することにより、導体層の残存率が高くなっており、Ａｇの拡散を抑制できることがわかる。
【００４６】
〔実験３〕
次に、導体層形成材料中におけるＡｇを、Ａｇ／Ｐｄ合金粉に代え、ガラス粉末Ａを３重量％用いて、実験１と同様にして導体層残存率を測定した。Ａｇ／Ｐｄ合金粉におけるＰｄ濃度は、３原子％及び６原子％とした。
【００４７】
測定結果を表３に示す。
【００４８】
【表３】
【００４９】
表３に示す結果から明らかなように、Ａｇ／Ｐｄ合金粉を用いることにより、Ａｇ単体を用いる場合より導体層残存率が高くなっていることがわかる。従って、Ａｇ／Ｐｄ合金を用いることにより、Ａｇの拡散が抑制されることがわかる。
【００５０】
〔実験４〕
図３は、焼成後の誘電体層表面の導体層の状態を示す光学顕微鏡像である。図３（ａ）は、実験３においてＰｄを６原子％含有したＡｇ／Ｐｄ合金粉を用いたときの状態を示している。
【００５１】
図３（ｂ）は、実験１においてガラス粉末を添加していないときの状態を示している。
【００５２】
図３（ａ）と図３（ｂ）との比較から明らかなように、本発明に従いＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを導体層に添加することにより、導体層から誘電体層へのＡｇの拡散が抑制され、所望のパターンの導体層を形成できることがわかる。
【００５３】
〔積層セラミック基板〕
図１は、本発明の積層セラミック基板の一実施例を示す斜視図であり、図２は分解斜視図である。
【００５４】
図１及び図２に示すように、誘電体層１の上には導体層２が形成されている。また、誘電体層１にビアホール３が形成されている誘電体もある。このような導体層２が形成された誘電体層２を複数枚積層し、焼成することにより、本発明に従う実施例の積層セラミック基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の積層セラミック基板の一例を示す斜視図。
【図２】本発明の積層セラミック基板の一例を示す分解斜視図。
【図３】（ａ）は本発明に従う実施例における焼成後の誘電体層表面の導体層を示す図であり、（ｂ）は比較例における焼成後の誘電体表面の状態を示す図。
【図４】ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）による断面マッピングを示す図。
【図５】導体層中のＡｇの濃度と、焼成後の誘電体層中のペロブスカイト相の格子体積との関係を示す図。
【図６】本発明における誘電体材料のペロブスカイト構造を示す模式図。
【図７】（ａ）はＬｉを含まない誘電体材料を用いたときの導体層を示す図であり、（ｂ）はＬｉを含む誘電体材料を用いたときの誘電体層表面を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…誘電体層
２…導体層
３…ビアホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、
前記誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、前記導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有する導体層であることを特徴とする積層セラミック基板。
【請求項２】
前記誘電体層に、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスが含有されていることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック基板。
【請求項３】
前記Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＢｉ2Ｏ3とＺｎＯの合計の含有量が、５０重量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
【請求項４】
前記導電体層にＰｄ単体がさらに含有されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミック基板。
【請求項５】
前記導電体層中のＰｄ含有量が１０重量％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミック基板。
【請求項１】
誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、
前記誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ2Ｏ−ｂ・（ＣａＯ1-x−ＳｒＯx）−ｃ・Ｒ2Ｏ3−ｄ・ＴｉＯ2（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、前記導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスを含有する導体層であることを特徴とする積層セラミック基板。
【請求項２】
前記誘電体層に、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスが含有されていることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック基板。
【請求項３】
前記Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＢｉ2Ｏ3とＺｎＯの合計の含有量が、５０重量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
【請求項４】
前記導電体層にＰｄ単体がさらに含有されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミック基板。
【請求項５】
前記導電体層中のＰｄ含有量が１０重量％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミック基板。
【図１】
【図２】
【図５】
【図６】
【図３】
【図４】
【図７】
【図２】
【図５】
【図６】
【図３】
【図４】
【図７】
【公開番号】特開２００６−３１５８７６（Ｐ２００６−３１５８７６Ａ）
【公開日】平成１８年１１月２４日（２００６．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１３７０６４（Ｐ２００５−１３７０６４）
【出願日】平成１７年５月１０日（２００５．５．１０）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月２４日（２００６．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月１０日（２００５．５．１０）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【Ｆターム（参考）】
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