【課題】高密度化された基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線３０は、過電流による発熱に応じて溶断することで当該遮断配線３０を介した接続を遮断するように構成されている。そして、基板面を被覆するソルダレジスト２８には、遮断配線３０の一部を外方に露出させるための矩形状の開口２８ａが形成されている。この開口２８ａは、遮断配線３０のうち最も発熱する部位であるその全長の中央近傍部位を外方に露出させるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み（密閉）孔の補助を用いて電力供給の動作を切断する保護素子、およびこの保護素子を用いた保護装置を提供する。
【解決手段】パッケージ基板１００、パッケージ基板１００内に設けられ、第１の溶断作用領域を有する第１の溶断ユニット１０１、パッケージ基板１００内に設けられ、第２の溶断作用領域を有し、第１の溶断ユニット１０１と隣接して設けられる第２の溶断ユニット１０２、および第１の溶断作用領域および第２溶断作用領域に対応してパッケージ基板１００内に設けられ、第１と第２の溶断作用領域の１つが溶断した時、溶断で生じたエネルギーがもう１つの溶断作用領域を切断するのを補助するように設けられた第１の埋め込み孔１０３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来から周知の過電流保護素子と過電圧保護素子とを一体化した回路保護素子は、過電圧保護素子が短絡した場合過電流保護素子が機能しなくなるという問題があった。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に形成された端子電極と、前記端子電極間の少なくとも二か所に直列に接続したヒューズと、前記ヒューズ間を結ぶ導電部から過電圧保護材料を介して形成された少なくとも二つのアース電極と、前記ヒューズと前記過電圧保護材料とを覆う保護樹脂層と、を有する過電流過電圧保護素子を採用することによって、二か所のギャップのうち一方の過電圧保護素子が短絡しても、過電流保護素子は正常に機能する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス筒体端面の貫通孔内縁部に角部が存在しても、セラミックス筒体の貫通孔に斜めに可溶体ワイヤを張り、該ワイヤに張力を付与した状態で該ワイヤの端部を前記筒体端面に固定することができる筒形電流ヒューズの製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス筒体１１内部の貫通孔１２に斜めに可溶体ワイヤ１６を張る構造の筒形電流ヒューズの製造方法において、ワイヤ１６を貫通孔１２に通して固定する際に、筒体１１両端面の貫通孔１２縁部にハンダ１５が形成されている。ワイヤ１６を貫通孔１２に通して固定する際に、ワイヤ１６を筒体１１の端面に沿って引っ張り、筒体１１の端面のハンダ１５にハンダを加熱して溶着するとともに、ワイヤ１６を破断する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザ条件が多少ばらついても実装基板が影響を受けることがない温度ヒューズを実装した実装基板および温度ヒューズの実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の温度ヒューズを実装した実装基板は、ＮｉまたはＮｉを主成分とする合金で構成された第１、第２の金属端子１１、１２と、前記第１の金属端子１１の一端部１１ａと第２の金属端子１２の一端部１２ａとの間に橋設された可溶合金１４と、前記可溶合金１４を覆う絶縁フィルム１５、１６とを備えた温度ヒューズを実装する実装基板２１において、前記第１の金属端子１１および第２の金属端子１２を、前記実装基板２１の上面に形成された一対のランドパターン２２に、その上面に形成された金属層２３を介してレーザによって接続し、さらに、前記金属層２３の材料を前記第１、第２の金属端子１１、１２を構成する材料と略同じものを使用したものである。 （もっと読む）

【課題】遮断部間のばらつきやヒューズエレメント間のばらつきを抑えながらも、Ｉ^２ｔ値の低減、コスト低減、小型化を図ることができる電力用ヒューズを提供する。
【解決手段】セラミック基板２０上に導電膜２２が形成されて構成され、導電膜２２による複数の放熱部２４と複数の遮断部２６とが一体的に連続形成されたヒューズエレメント１８を有する電力用ヒューズ１０において、導電膜２２は、セラミック基板２０の表面に対する１回以上の印刷による印刷層３２にて構成され、放熱部２４を構成する印刷層３２の積層数が、遮断部２６を構成する印刷層３２の積層数以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度ヒューズを実装基板に影響を与えることなく実装できる温度ヒューズの実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の温度ヒューズの実装方法は、Ｃｕで構成された第１の金属端子１１および第２の金属端子１２と、前記第１の金属端子１１の一端部１１ａと第２の金属端子１２の一端部１２ａとの間に橋設され、かつ周囲にフラックス１３が塗布された可溶合金１４と、前記可溶合金１４を覆うように設けられた絶縁体１５、１６と、前記可溶合金１４と絶縁体１５、１６からなる本体部１７とを備えた温度ヒューズの実装方法であって、前記第１の金属端子１１、第２の金属端子１２の上面に金属体２３を当接させた状態でレーザ照射することによって、前記第１の金属端子１１および第２の金属端子１２を実装基板２１の上面に形成された一対のランドパターン２２に接続するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】道具等を用いることなく、小型ヒューズを容易に着脱可能なヒューズ保持構造を提供する。
【解決手段】ヒューズ保持構造１５は、両端に口金３２が設けられたチップヒューズＦを保持するヒューズホルダ２０を備え、ホルダ２０は基板１０に設けられている。ホルダ２０は、基板１０から起立するとともに互いに離されて設けられ、ヒューズＦの長手方向における両外側から口金３２を押圧することで口金３２と電気的に接続する一対の押圧部２２と、一対の押圧部２２の間に保持された状態のヒューズＦが、一対の押圧部２２の間から抜け出ることを規制する規制部２３と、を有する。保持された状態のヒューズＦを、基板１０の表面に平行な方向において規制部２３の外側方向から押圧可能なように規制部２３が設けられており、一対の押圧部２２で挟まれる空間において、基板１０と反対側の面及び規制部２３と反対側の面が開放されている。 （もっと読む）

【課題】 作動特性の向上に寄与することが可能な、ヒューズ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ヒューズ装置１であって、基体２と、基体２の上面に設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体２の下面に設けられた実装パッド５と、基体２内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならない領域であって、実装パッド５と重なる領域に設けられた実装パッド発熱体６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 低融点金属の単体や合金を使用することなく、比較的高い融点を有する可溶性金属の単体または合金をヒューズエレメントに用いた回路保護素子を提供する。
【解決手段】 所定の温度で溶断する可溶金属のヒューズエレメント１０と、絶縁層を介在してヒューズエレメントの表面に巻回配置した発熱抵抗体２０と、ヒューズエレメント１０および発熱抵抗体２０を電気的に接続する接合部位３０とを備える回路保護素子であり、５００℃〜８００℃の融点を有するＰｂフリー可溶金属からなる前記ヒューズエレメント１０は、発熱抵抗体２０の発熱により加熱され、溶断する回路保護素子である。ここで、ヒューズエレメントはメイン動作回路に、発熱抵抗体はメイン動作回路の異常を感知し作動するサブ動作回路に、それぞれ接続されて回路保護素子として機能する。 （もっと読む）

【課題】 作動特性を向上させることが可能なセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体を提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ１であって、複数のセラミック基板を積層して成る基体６と、基体６の最上層４ａに設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体６内に設けられた電流ヒューズエレメント７と、基体６内に設けられ、温度ヒューズエレメント３と電流ヒューズエレメント７の両方を電気的に接続した導体接続部５と、を備え、導体接続部５の上下方向の電気抵抗は、導体接続部５の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特定の通電経路のみから通電があった場合であっても、確実に全てのヒューズエレメントを溶断した後に発熱抵抗体の発熱を停止させることができる保護素子を提供する。
【解決手段】 保護素子は、複数のヒューズエレメント１２ａ，１２ｂのうち特定のヒューズエレメントが接続されている特定の通電経路から通電があった場合に、他のヒューズエレメントが特定のヒューズエレメントよりも先に溶断するように、これら複数のヒューズエレメント１２ａ，１２ｂの溶断時間が制御可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 多機能性のセラミックヒューズおよびセラミックヒューズパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ１であって、セラミック基板４と、セラミック基板４に設けられた温度ヒューズエレメント３と、セラミック基板４に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に配置された発熱抵抗体５と、セラミック基板４に設けられた、流れる電流の電流値が所定以上の電流値になると溶断する電流ヒューズエレメント６と、セラミック基板４に設けられた、温度が所定温度以上になると溶断する低融点合金７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】銅（Ｃｕ）からなる配線状の金属層上に、スズ（Ｓｎ）からなる低融点金属層が積層された構成の例えばチップ型薄膜であるヒューズにおいては、定格使用状態においても、銅（Ｃｕ）のスズ（Ｓｎ）中へのエレクトマイグレーション（ＥＭ）に起因する金属層の細線化、断線の障害が発生する。このＥＭの進行を抑制し同ヒューズの長寿命を図る。
【解決手段】低融点金属層（スズ）の融点より低い再結晶化温度レベルで、製作されたヒューズに対する熱処理を行うことなどにより、低融点金属層（スズ）中の平均結晶粒径の大きさを、その低融点金属層の厚さの二分の一以上にする。これにより大幅にＥＭの進行レベルが低下し、金属層厚の増加などの行うことなく、ヒューズ溶断特性を変えることなく、このチップ型薄膜ヒューズの長寿命化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 作動特性を良好にすることが可能なセラミックヒューズを提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ１であって、セラミック基板２と、セラミック基板２に設けられた温度ヒューズエレメント３と、セラミック基板２の平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に温度ヒューズエレメント３と間をあけて設けられた、単位長さ当たりの抵抗値が両端部Ｆ２に比べて中央部Ｆ１で大きい発熱抵抗体５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することが可能な保護素子を提供する。
【解決手段】各電極１１４は、基板１１１上に積層された第１の導電層１１２と、第１の導電層１１２が積層された基板１１１上の面方向に互いに離間した位置に積層された第２の導電層１１３とから形成され、半田ペースト１１６は、電極１１４との濡れ性が基板１１１よりも高く、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３とが積層された基板１１１上に積層され、抵抗体１０３が発する熱、及び、電極１１４と半田ペースト１１６とからなる積層部が発する熱との少なくとも一方により溶融することで、電極１１４間に積層された第１の導電層１１２を浸食しながら、基板１１１に比べて濡れ性が高い電極１１４側に引き寄せられて溶断される。 （もっと読む）

【課題】生産性を改善しつつ小型化を図ったヒューズ装置を提供すること。
【解決手段】ヒューズ装置は、セラミック基体１と、発熱抵抗体２１および第１の温度ヒューズ素子２２を含む発熱抵抗体付き温度ヒューズ部２と、第２の温度ヒューズ素子３１とを含んでいる。発熱抵抗体２１は、セラミック基体１の内部にセラミック基体１と一体的に設けられている。第１の温度ヒューズ素子２２は、セラミック基体１の表面に設けられているとともに、発熱抵抗体２１に熱的に結合されている。第２の温度ヒューズ素子３１は、セラミック基体１の表面に設けられており、第１の温度ヒューズ素子２２に電気的に直列接続されているとともに、保護対象に熱的に結合される。 （もっと読む）

【課題】過電流状態における電流ヒューズ素子の溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１と、第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２と、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３とを含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１は、焼成によって基体部１１の上面に形成された第１の導体層２１１を含んでいる。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２は、焼成によって基体部１１の上面に形成された第２の導体層２２１を含んでいる。電流ヒューズ素子用めっきパターン２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１の上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の上面にかけて設けられて、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２を電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】 作動特性の向上に寄与することが可能な、抵抗温度ヒューズ、ならびに抵抗温度ヒューズパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】 抵抗温度ヒュー１ズであって、基板２と、基板２の上面に設けられた一対の電極３と、基板２の上面に設けられ、一対の電極３間に配置された発熱抵抗体４と、基板２内に設けられ、一対の電極３の一方および発熱抵抗体４の一端に電気的に接続され、且つ一対の電極３の他方および発熱抵抗体４の他端に電気的に接続された一対の内部電極５と、発熱抵抗体４の上面から一対の電極３の両方の上面にかけて設けられた温度ヒューズエレメント６とを備えたことを特徴とするものである。作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズ１となる。 （もっと読む）

【課題】電流ヒューズ素子用導体パターンの溶断箇所におけるジュール熱の損失を低減させて、過電流状態における電流ヒューズ素子用導体パターンの溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、電流ヒューズ素子用導体パターン２とを含んでいる。セラミック構造体１は、凹部１１２の開口部を含む上面１１１を有する基体部１１と、基体部１１の上に設けられているとともに開口部を囲んでいる枠体部１２と、枠体部１２の上に設けられた蓋体部１３とを含んでいる。電流ヒューズ素子用導体パターン２は、焼成によって基体部１１の上面１１１に形成されているとともに、開口部を跨ぐように設けられている。 （もっと読む）