【課題】半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＮ接合を有する第１半導体素子と、ＰＮ接合を有する第２半導体素子と、第１半導体素子と第２半導体素子とを構成要素として含む回路と、を有し、回路から、第１半導体素子のＰＮ接合に生じる第１順方向電圧と、第２半導体素子のＰＮ接合に生じる第２順方向電圧とが加算された加算信号が出力される半導体装置であって、第１半導体素子と第２半導体素子とが直列接続されており、第１半導体素子及び第２半導体素子それぞれの実使用温度域において、回路が第２半導体素子を構成要素として含まない場合に、回路から出力される第１信号の温度特性と、回路が第１半導体素子を含まない場合に、回路から出力される第２信号の温度特性と、が反転している。 （もっと読む）

【課題】低い最低動作電圧にて安定動作可能なレギュレータ回路を実現することを目的の一とする。また、最低動作電圧が低いレギュレータを用いてリーダ／ライタとの通信距離が長いＲＦＩＤタグの実現を目的の一とする。
【解決手段】基準電位と入力電位との電圧を監視し、前記電圧が所定のしきい値を超過した後、前記電圧の値に依らず一定の出力電位を得る半導体装置を提供する。前記半導体装置は、前記基準電位と前記入力電位との間の電圧を、第１の複数の非線形素子と、少なくとも一の線形素子を用いて分圧し、前記電圧の値に依らず一定の第１のバイアス電圧を生じ、前記第１のバイアス電圧を基準とし、前記基準電位と前記入力電位との間の電圧を、第２の複数の非線形素子を用いて分圧して、前記電圧の値に依らず一定の第２のバイアス電圧を生じ、前記第２のバイアス電圧を基準として、前記出力電位を決定する。 （もっと読む）

【課題】Depletion型MOS TrとEnhance型MOS Trによって形成される半導体装置において、回路的な付加によって半導体装置の面積を増大させることなく、温度特性やアナログ特性を向上させた基準電圧回路を提供する。
【解決手段】異なる濃度を有するDepletion型MOS TrとEnhance型MOS Trのウェル領域を作製する。 （もっと読む）

【課題】電流制御用ＭＯＳトランジスタに流れる電流をカレントミラー方式で検出して制御する充電制御用ＩＣにおいて、トランジスタのサイズ比がばらついても電流検出精度を向上させることができるようにする。
【解決手段】カレントミラー方式の電流検出回路（１３）に、バイアス状態制御用トランジスタ（Ｑ３）と、電流制御用トランジスタ（Ｑ１）と電流検出用トランジスタのドレイン電圧を入力とする演算増幅回路（AMP1）とを設け、該演算増幅回路の出力に基づいて電流検出用ＭＯＳトランジスタのバイアス状態が、電流制御用ＭＯＳトランジスタのバイアス状態と同一になるように構成するとともに、電流制御用トランジスタと電流検出用トランジスタの各ドレイン電極から演算増幅回路の対応する入力点までの配線の寄生抵抗による電圧降下が同一となるように、電流検出用トランジスタのドレイン配線の長さを調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】リップル除去率を高めながら、安定した電圧を発生することができる基準電圧発生回路を得る。
【解決手段】この基準電圧発生回路は、定電流回路部１４と、差動アンプ１３と、出力アンプ１２と、第１及び第２のバイポーラトランジスタＴ１、Ｔ２と抵抗が接続されている基準電圧発生器１１とを備えている。出力アンプ１２は、ソースが基準電圧発生回路の入力に接続され、ゲートが定電流回路部の出力と接続されている第１のＭＯＳトランジスタと、エミッタが基準電圧発生器の抵抗、第１のＭＯＳトランジスタのドレイン及び基準電圧発生回路の出力に接続されている第３のバイポーラトランジスタを有し、差動アンプの出力を増幅した信号を第３のバイポーラトランジスタのベースに入力することにより、一定の電圧を発生させる。 （もっと読む）

【課題】電圧発生回路のミラートランジスタ及び出力トランジスタのゲート電圧を同一で、且つ一定な電圧に制御する。
【解決手段】電圧発生回路３０には、差動増幅回路１、Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１乃至３、Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１１乃至１３、Ｐｃｈ ＭＩＳトランジスタＰＴ１１乃至１３、抵抗Ｒ_Ａ１乃至Ｒ_Ａ４、及び抵抗Ｒ_Ｓ１乃至Ｒ_Ｓ４が設けられる。Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１は、ドレインに高電位側電源Ｖ_ＤＤ電圧が入力され、ゲートに差動増幅回路１から出力される出力電圧（ゲート電圧）Ｖ_Ｇを入力する。Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ２は、ドレインに高電位側電源Ｖ_ＤＤ電圧が入力され、ゲートに差動増幅回路１から出力される出力電圧（ゲート電圧）Ｖ_Ｇを入力する。Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ３は、ソースフォロア型トランジスタドレインとして降圧された内部電源電圧としての出力電圧Ｖ_ＩＮＴを出力する。 （もっと読む）

【課題】起動回路を備えた基準電圧生成回路において、基準電圧を生成した後の起動回路内に流れる余分な消費電流を抑制する。
【解決手段】起動信号ＣＥをＨレベルにすると、起動回路部２ａのトランジスタＰＭ１０ａがオンすることによって、電源からトランジスタＰＭ１０ａ、ＰＭ８ａを経由して基準電圧回路部１ａを動作させるための電流が供給され、基準電圧回路部１ａから基準電圧ＶＲＥＦが生成される。また、トランジスタＰＭ１ａ〜ＰＭ６ａのゲート・ソース間電圧降下により起動回路の動作電流Ｉ１ａが流れるが、トランジスタＮＭ６ａがオフになるため、トランジスタＮＭ６ａ内の寄生容量Ｃ１ａに充電される。充電が終わると起動回路の動作電流Ｉ１ａは流れなくなるため、起動回路部２ａにおける消費電流を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】微細化されたＭＯＳＦＥＴに好適な基準電圧発生回路を有する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１電流密度とされる第１トランジスタと第１電流密度よりも小さな第２電流密度とされる第２トランジスタのベースを共通接続し、そのコレクタ差電圧に対応した出力電圧を増幅回路で形成して上記ベースに帰還する。第１抵抗素子に上記第１と第２トランジスタのベース，エミッタ間差電圧を印加して基準電流を形成する。上記基準電流に対応した電流を上記第１、第２及び第３トランジスタに供給する。上記第３トランジスタのベースとコレクタとを共通接続し、第２抵抗素子を直列形態に接続する。上記第３トランジスタのサイズ及び上記第１及び第２抵抗素子の抵抗値の設定により、上記第３トランジスタ及び第２抵抗素子で発生する電圧が、上記第１及び第２電源電圧及び温度変化に対して一定の基準電圧となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体抵抗を使用して基準電圧を生成する時に、高温になるとリーク電流が増大し、基準電圧を正確に得ることが不可能になった。
【解決手段】 カレントミラー回路５と温度補償用トランジスタＱ３との組み合せによって基準電圧生成装置を構成する。カレントミラー回路５の１つのコレクタ抵抗Ｒ２のリーク電流Ileakをリーク電流検出回路２３で検出する。リーク電流を検出したコレクタ抵抗Ｒ２が接続されたトランジスタＱ２とそのエミッタ抵抗Ｒ３との直列回路に対して並列に分流回路２４を接続し、この分流回路２４を流れる電流をリーク電流検出回路２３の出力で制御する。分流回路２４を流れる電流は、コレクタ抵抗Ｒ２のリーク電流を抜き取るために使用する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの変動や温度変動に対する変動を低減させて高精度の複数の定電流を生成しバイアス電流として供給することができる定電流回路及びその定電流回路を使用したシステム電源装置を得る。
【解決手段】 ＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２から流れる各電流ｉ１及びｉ２の一方の電流の変動に対して負帰還がかけられてその変動を打ち消すように、演算増幅回路ＡＭＰがＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２の動作制御を行い、ＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２から対応して電流が供給される２つのｐｎｐトランジスタＱ１及びＱ２に流れる電流密度の差によって生じる電位差に接続した抵抗Ｒ１に流れる定電流を基準電流とし、演算増幅回路ＡＭＰによって動作制御されたＰＭＯＳトランジスタＭＡ１〜ＭＡｎで該基準電流に比例した各電流をそれぞれ生成して出力するようにした。 （もっと読む）