【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】基準電圧立ち上がり時間の短縮が図れ、起動時間の遅延を防止することができるバンドギャップ基準電圧装置の提供。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧装置は、出力端子３００ａより所定の基準電圧ＶＲＥＦを出力するバンドギャップ回路１０と、バンドギャップ回路１０に電流を供給して該バンドギャップ回路１０を起動させる定電流源１１と、バンドギャップ回路１０の起動時に、出力端子３００ａからバンドギャップ回路１０に電流を供給する電流供給部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】次段回路で基準電圧として用いられる定電圧を生成する基準電圧回路について、ツェナーダイオードの製造ばらつき等が出力定電圧の温度特性に及ぼす影響を低減する。また、当該出力定電圧の温度特性の平坦性を向上する。また、回路規模の増大を抑制しつつ優れた起動性、応答性および安定性を実現する。
【解決手段】分圧回路３３２は直列接続されたダイオード３０４，３０６，３０８に対して並列的に設けられている。分圧回路３３２の低電位側接続点ｙの電圧は正の温度特性を示し、分圧回路３３２の高電位側接続点ｘの電圧は負の温度特性を示す。分圧点ｚにおける定電圧Ｖ０が平坦な温度特性を持つように分圧抵抗３１６，３１８の抵抗値が設定されている。分圧回路３３２の分圧点ｚは、フィードバックループに接続されることなく次段回路へ接続されることにより、次段回路へ定電圧Ｖ０を出力する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動装置に与える基準電圧として、温度特性が良好で、電源電圧の変動に対して変動の少ない基準電圧を生成する。
【解決手段】基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧発生回路１００において、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の温度係数に依存して生じる負の温度係数を持った第１カレントミラー回路１２０と、前記負の温度係数に依存して生じる正の温度係数を持った第２カレントミラー回路１４０とを備えている。そして、電流減算回路１５０により、第１カレントミラー回路１１０の出力電流から、第２カレントミラー回路１４０の出力電流を減じた電流を作成し、これと比例する基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。 （もっと読む）

【課題】温度に対し高精度なリファレンス電圧の発生を実現する。
【解決手段】ダイオード接続されたトランジスタのベース−エミッタ間電圧を用いた、温度に対して負の特性を持つ電圧に、絶対温度に比例する正の特性を持つ電圧を加えて１次の温度補償を行うとともに、さらに前記トランジスタのベース−エミッタ間電圧に含まれる例えば２次の温度特性成分を打ち消す温度補償信号を発生するＮ次温度補償信号発生回路１０５を設け、ベース−エミッタ間電圧に、Ｎ次温度補償信号発生回路１０５からの温度補償信号Ｖｃｏｍｐを加えることにより、ベース−エミッタ間電圧に含まれる２次の温度特性成分による変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 １つのトリミング抵抗により出力電流の増加方向と減少方向の両方向の調整が可能な定電流回路を提供する。
【解決手段】 トリミング抵抗ＴＲ１１と抵抗Ｒ１１の電圧降下をトランジスタ対Ｑ１４、Ｑ１５により比較し、トリミング抵抗ＴＲ１１の電圧降下が抵抗Ｒ１１より小さい場合は、トランジスタＱ１１にトリミング抵抗に流れる電流のみを流し、トリミング抵抗ＴＲ１１の電圧降下が抵抗Ｒ１１より大きい場合は、トランジスタＱ１１にトリミング抵抗に流れる電流に加えて、トランジスタＱ１７から電流を供給する。この回路構成により、トリミング抵抗の抵抗値の増加に従い、出力電流Ｉｏｕｔが減少した後、増加する特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】オフセットの影響を低減すると共に、温度依存性を微調整して基準電圧を目標値に近づけることのできる基準電圧回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第１および第２入力端子を有し、基準電圧VBGRを出力する第１増幅器AMPBM1と、第１負荷素子R1および第１ｐｎ接合素子Q1と、第２および第３負荷素子R2,R3並びに第２ｐｎ接合素子Q2と、を有し、さらに、前記第１増幅器における前記第１および第２入力端子間のオフセット電圧を低減するオフセット電圧低減回路AMPBS1と、第１および第２接続ノードIP,IMの電位を取り出す接続ノード電位取り出し回路ＲＥＧ１と、前記接続ノード電位取り出し回路により取り出された前記第１および第２接続ノードの電位に従って、前記第２ｐｎ接合素子Q2の面積を調整する面積調整回路PNPB1,CAREAと、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】安定起動と低消費電力とを両立させた定電圧回路を提供すること。
【解決手段】バイポーラトランジスタのバンドギャップ電圧を利用して基準電圧を生成する第１の基準電圧発生部（２）と、電界効果トランジスタを用いて基準電圧を生成する第２の基準電圧発生部（３）と、第１の基準電圧発生部（２）の出力電圧、または第２の基準電圧発生部（３）の出力電圧のいずれかを参照して定電圧を生成する定電圧生成部（４）と、第１の基準電圧発生部（２）、第２の基準電圧発生部（３）、および定電圧生成部（４）を制御する制御部（５）と、を備え、起動初期期間において第１の基準電圧発生部（２）と第２の基準電圧発生部（３）とを動作させ、その後の動作期間において第１の基準電圧発生部（２）を停止させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。
【解決手段】ＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１の寄生ダイオードＤ_１とは別に、ｉ個（ｉは１以上の自然数）の温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉをＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１のコレクタに接続する。温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉは、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ_１，Ｍ_２からなるカレントミラー回路を介して、寄生ダイオードＤ_２１〜Ｄ_２Ｋのリーク電流の増加による基準電圧Ｖrefへの影響をキャンセルするように作用する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＮ接合を有する第１半導体素子と、ＰＮ接合を有する第２半導体素子と、第１半導体素子と第２半導体素子とを構成要素として含む回路と、を有し、回路から、第１半導体素子のＰＮ接合に生じる第１順方向電圧と、第２半導体素子のＰＮ接合に生じる第２順方向電圧とが加算された加算信号が出力される半導体装置であって、第１半導体素子と第２半導体素子とが直列接続されており、第１半導体素子及び第２半導体素子それぞれの実使用温度域において、回路が第２半導体素子を構成要素として含まない場合に、回路から出力される第１信号の温度特性と、回路が第１半導体素子を含まない場合に、回路から出力される第２信号の温度特性と、が反転している。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの閾値電圧に対する依存性が抑制された定電圧を供給する定電圧回路を提供する。
【解決手段】本発明にかかる定電圧回路は、第１および第２のノードで互いのドレインおよびゲートが共通接続される電界効果トランジスタＱ１１およびＱ１２と、電界効果トランジスタＱ１１、１２のゲートが共通接続される前記第２のノードと電界効果トランジスタＱ１２のソースとの間に接続される抵抗器Ｒ１１と、コレクタが前記第２のノードに接続されるバイポーラトランジスタＱ１３と、電界効果トランジスタＱ１２のソースに接続し、バイポーラトランジスタＱ１３のベースにバイアス電圧を供給するバイアス回路１０１と、を備え、電界効果トランジスタＱ１１、１２のドレインが共通接続される前記第１のノードに電圧源Ｖｂａｔが接続され、電界効果トランジスタＱ１１のソースから定電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】最低動作電圧を引き下げることが可能な基準電圧生成回路を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１１は、可変電圧ＶＴと下限電圧ＶＬが各々ベースに入力されるｎｐｎ型トランジスタＡ１及びＡ２を含む第１入力段と、エミッタが基準電圧ＶＲＥＦの出力端に接続されたｐｎｐ型トランジスタＡ３を含む第１出力段と、可変電圧ＶＴと下限電圧ＶＬの高い方と基準電圧ＶＲＥＦが一致するように第１出力段を制御する第１増幅段（オペアンプＡ４）と、を備えた第１アンプ回路Ａと基準電圧ＶＲＥＦと上限電圧ＶＨが各々ベースに入力されるｎｐｎ型トランジスタＢ１及びＢ２を含む第２入力段と、エミッタが基準電圧ＶＲＥＦの出力端に接続されたｐｎｐ型トランジスタＢ３を含む第２出力段と、基準電圧ＶＲＥＦと上限電圧ＶＨが一致するように第２出力段を制御する第２増幅段（オペアンプＢ４）と、を備えた第２アンプ回路Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】オペアンプのオフセット電圧の影響を抑えたバンドギャップ電圧と最低動作電圧を抑えたバンドギャップ電圧とを得ることを目的とする。
【解決手段】開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタ、第２のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第１の抵抗、第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第１の抵抗の他端が入力に接続され、負帰還制御が行われる第１のオペアンプを有する。また、開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタのエミッタにベースが接続された第３及び第４のＰＮＰトランジスタ、第４のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第２の抵抗、第３のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第２の抵抗の他端が入力に接続された、負帰還制御が行われる第２のオペアンプを有する。 （もっと読む）

【課題】最低所要供給電圧が低く、小さいチップ領域を占め、電流消費が低く、供給電圧の変動に強いバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。供給回路（ＳＣ）の制御要素（ＣＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）の制御要素（ＣＢ）のうちの一つは、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、供給回路（ＳＣ）のバイアス要素（ＢＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）のバイアス要素（ＢＢ）のうちの一つは、ロングゲート擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたは抵抗を含む。擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を改善した基準電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電圧回路１００は、電源端子と接地端子の間に順に直列にスタックされた電流源３０、第１バンドギャップリファレンス回路１０および第２バンドギャップリファレンス回路２０を備える。第１バンドギャップリファレンス回路１０と第２バンドギャップリファレンス回路２０はそれぞれ、互いに反対の温度係数を有する第１基準電圧Ｖｒｅｆ１、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２を生成するよう構成される。基準電圧回路１００は、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の和電圧Ｖｒｅｆ（＝Ｖｒｅｆ１＋Ｖｒｅｆ２）を出力する。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズに対して安定に基準電圧を生成することができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】基準電圧発生回路が、ノードＮ_１とノードＮ_２の電位差が０になるようにフィードバックを行う演算増幅器ＡＭＰと、演算増幅器ＡＭＰの出力とノードＮ_１、Ｎ_２の間に接続された抵抗素子Ｒ_１１、Ｒ_２１と、ノードＮ_１、Ｎ_２と接地端子の間に接続されたダイオード接続のバイポーラトランジスタＱ_１、Ｑ_２と、バイポーラトランジスタＱ_１のエミッタとノードＮ_１との間に接続された抵抗素子Ｒ_１２と、バイポーラトランジスタＱ_２のエミッタとノードＮ_２との間に接続された抵抗素子Ｒ_２０、Ｒ_２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部電圧生成回路に供給されるグランド電圧の変動による影響を抑制すること。
【解決手段】内部回路は、内部電圧生成回路によって生成される内部電圧に基づいて動作する。また、内部電圧生成回路及び内部回路は、グランド配線を介してグランドに接続される。内部電圧生成回路は、内部電圧が出力される出力端子と、グランド配線に接続されるグランド端子と、電圧が基準電圧に応じた値に制御される中間ノードと、出力端子と中間ノードとの間に接続された第１抵抗部と、中間ノードとグランド端子との間に接続された第２抵抗部と、第１抵抗部の抵抗値Ｒ１と第２抵抗部の抵抗値Ｒ２の比率Ｒ１／Ｒ２を切り換えるスイッチ部と、を備える。スイッチ部は、内部回路が動作する時の比率を、内部回路が動作を停止している時の比率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧依存性および温度依存性の低い参照電圧発生回路を提供し、もって受信感度の良好な受信回路を実現する。
【解決手段】 受信回路は、ＡＭＩ符号化された一対の信号を増幅する差動増幅回路（１１）と、差動増幅回路の出力と所定の参照電圧とを比較して入力信号の論理レベルを判別する受信データ判定回路（１２）と、前記参照電圧を発生する参照電圧発生回路（１３）とを備え、参照電圧発生回路は電源電圧を基準にした温度依存性の低い参照電圧を発生するように構成した。 （もっと読む）