【課題】駆動用のＭＯＳトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮ2が入力される入力端子１０４、入力電圧ＩＮ2に基づいてＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０１、２０３、入力電圧ＩＮ2に基づいて２ＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、ＭＯＳトランジスタ２０１、２０２に一端が接続され、他端がＭＯＳトランジスタ２０２、２０４に接続される容量素子２０６、ソース・ドレイン端子の一方に２ＶCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にＶCCが供給され、２ＶCCまたはＧＮＤがゲート端子に供給され、２ＶCCまたはＧＮＤによってオン、オフされるＭＯＳトランジスタ２０５と、によって昇圧回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴとデプレッション型ＭＯＳＦＥＴとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板６上においてＲｅｆ回路領域８およびＣＭＯＳ領域７に跨るようにゲート絶縁膜６６を形成した後、ＣＭＯＳ領域７の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜６６が除去されたＣＭＯＳ領域７に第１ゲート絶縁膜１２を形成し、同時に、Ｒｅｆ回路領域８に残っているゲート絶縁膜６６を厚くして第１ゲート絶縁膜１２よりも厚い第２ゲート絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】高温時でもエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタで構成される。これにより、定電流を生成するエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタのゲート−ソース間電圧の上昇を抑えることで、弱反転状態での動作を保つ。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗12を流れる電流を所定の基準電流と比較して過電流の有無を判定する電流コンパレータ30を備える。検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をラッチ10を介してＡＮＤ回路20に送ってPWM比較器9の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。 （もっと読む）

【課題】比較回路の基準値を調整するのに、抵抗成分の異なるＭＯＳのトランジスタを利用することにより、低コストの製造を可能とし、しかも、こうした基準値設定回路やこれを含む制御回路等のワンチップ化を可能にする。
【解決手段】 入力信号の電圧を基準値と比較する比較回路において、所定電圧間に、抵抗成分の合計値が共通する複数のＭＯＳトランジスタを直列接続した組を複数組並列に接続する。ＭＯＳトランジスタの各組において、各ＭＯＳトランジスタの抵抗成分の比率を変更することにより、各ＭＯＳトランジスタの組毎に異なる基準電圧を比較回路に出力する基準値設定回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成すると共に、環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路３と、ダイオードＶｆ１（基準素子）の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部４と、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを補正する基準電圧補正部５とを備えている。そして、基準電圧補正部５は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧回路３における所定電流経路の電流量を変化させている。 （もっと読む）

【課題】温度変化の影響を受けにくい過電流検出回路を提供する。
【解決手段】ダイオード列５５を設け、ダイオード列５５のアノード端をデプレッション型トランジスタＤＮＭ１のソース端子に接続するとともに、ダイオード列５５のカソード端とデプレッション型トランジスタＤＮＭ１の基板を基準電位に接続する。ダイオード列５５を構成する各ダイオードの順方向電圧をＶｆ、ダイオード列５５を構成するダイオードの数をｍ（ｍは１以上の整数）とすると、デプレッション型トランジスタＤＮＭ１の基板バイアス電圧Ｖｂは、Ｖｂ＝ｍ×Ｖｆとなる。ダイオードの順方向電圧Ｖｆは負の温度係数をもつから、基板バイアス電圧Ｖｂも負の温度係数をもつ。これにより閾値電圧に負の温度係数をもたせて、ドレイン電流Ｉ_Ｄの温度特性と相殺させる。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Ａは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のＭＯＳトランジスタＮ１を用いて低電流を作り出し、基準電圧Ｖ_REFを発生するＭＯＳトランジスタＮ２、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各ＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ４、Ｎ７、及びその他の各ＭＯＳトランジスタＮ５、Ｎ６の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ７のゲート長ＬをＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のゲート長Ｌよりも増大させている。これにより、各ＭＯＳトランジスタＮ２〜Ｎ７のドレイン電極−ソース電極間の電圧Ｖｄｓが０．１Ｖ以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧Ｖ_REFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子４から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ５およびＭＰ６が第１電源線Ｎ１およびノードＮ６間に直列接続されている。トランジスタＭＰ５が起動電流Ｉｓをセンシングし、トランジスタＭＰ６が基準電流Ｉｐをセンシングする。電源電圧ＶＤＤが低下したとしても、両トランジスタＭＰ５およびＭＰ６には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路８には充電電流Ｉｏが充電されにくくなる。したがって、電源電圧ＶＤＤが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタＭＰ４が起動電流ＩｓをノードＮ５に素早く供給でき、電流生成回路６は基準電流Ｉｐを素早く生成できる。 （もっと読む）

【課題】基準電圧立ち上がり時間の短縮が図れ、起動時間の遅延を防止することができるバンドギャップ基準電圧装置の提供。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧装置は、出力端子３００ａより所定の基準電圧ＶＲＥＦを出力するバンドギャップ回路１０と、バンドギャップ回路１０に電流を供給して該バンドギャップ回路１０を起動させる定電流源１１と、バンドギャップ回路１０の起動時に、出力端子３００ａからバンドギャップ回路１０に電流を供給する電流供給部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ基準電圧回路１００を確実に起動させることができる。
【解決手段】電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前には、ｐＭＯＳトランジスタＰ６により電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を開放させている。このため、電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前に、抵抗素子Ｒ３ａによってコンデンサＣ１から電荷を放出させて、コンデンサＣ１のプラス電極の電位をｐＭＯＳトランジスタＰ４のゲート端子の電位の閾値よりも低くすることができる。電源電圧が上昇してｐＭＯＳトランジスタＰ６が電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を接続すると、ｐＭＯＳトランジスタＰ４がオンして、電源ＶｄｄからｐＭＯＳトランジスタＰ６、Ｐ４を通してスタートアップ電流をｎＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２のゲート端子に流すことができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＲとレギュレータの温度特性を正しく補正する機能を持つ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】分圧回路５０は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを分圧した電圧ＶＴ１およびＶＴ２を出力する。レギュレータ６は、差動アンプＡＭＰ１と、差動アンプＡＭＰ１の出力とグランドとの間に直列接続された抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５とを含む。差動アンプＡＭＰ１の正の入力端子は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを受け、負の入力端子は、抵抗Ｒ１とＲ２の接続ノードＮＤ６と接続する。ＢＧＲ回路４は、ＢＧＲ回路４内を流れる所定量の電流と所定の抵抗とによって定まる温度に応じて変化する電圧ＶＰＴＡＴを出力する。温度特性補正回路２は、電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ１との差、および電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ２との差に応じた大きさの補正電流ＩＣＯＲＲＥＣＴを接続ノードＮＤ６に流れるように制御する。 （もっと読む）