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Fターム[5H430EE04]の内容

トランジスタを用いた連続制御型電源 (9,660) | 主制御部 (1,336) | 主制御素子の種類 (902) | 電界効果型トランジスタ(FET) (658)

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【課題】電源回路における出力電圧の目標値が比較的高い場合であっても、回路面積および消費電流の大幅な増加を招くことなく電源回路の位相補償を行うことを可能にする。
【解決手段】誤差増幅器4は、出力電圧Voutに応じた検出電圧Vdetおよび出力電圧Voutの目標値対応した基準電圧Vrefに基づいて、出力電圧Voutが目標値に一致するように主トランジスタT1の駆動をフィードバック制御する。レベルシフト回路9は、出力電圧Voutを入力し、その出力電圧Voutを直流的に接地電位側に所定レベルだけシフトしたシフト電圧VsをノードN2から出力する。位相補償用のキャパシタC2は、レベルシフト回路9の出力端子であるノードN2と、誤差増幅器4の非反転入力端子との間の経路に介在する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は,論理回路に電源電圧を供給するレギュレータを有する半導体集積回路において,C端子の数を削減する。
【解決手段】
半導体集積回路30は,第1,第2の出力端OTa,OTbと,外部容量C4に接続する外部接続端子CT4との間に設けられたスイッチ回路35を有し,
スイッチ回路35の一端は第1の出力端OTaに接続され,スイッチ回路35の他端は外部接続端子CT4および第2の出力端OTbに接続され,
スイッチ回路35は,第1のレギュレータA31が第1の電源電圧Vaを第1の論理回路A32に対して供給する期間はオンし,第1のレギュレータA31が第1の論理回路A32に対する電源電圧供給を停止する期間はオフする。 (もっと読む)


【課題】従来の半導体集積回路のレギュレータ回路では、出力電圧の制御精度を十分に高めることができない問題があった。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、制御端子に与えられるインピーダンス制御信号で示される制御値PLに応じて負荷電流Iloadの大きさに対する出力電圧VDDMの大きさを制御する複数の出力トランジスタPMと、出力電圧VDDMの電圧値を示す出力電圧モニタ値VMを出力する電圧モニタ回路12と、出力電圧VDDMの目標値を示す参照電圧Vrefと、出力電圧モニタ値VMと、の間の誤差値の大きさに応じて制御値PLの大きさを制御し、当該制御値PLにより複数の出力トランジスタPMいずれを導通状態とするかを制御する制御回路10と、を有し、制御回路10が負荷電流Iloadの変更を事前に通知する事前通知信号PACCに応じて、誤差値に対する制御値の変化ステップを一定期間の間大きくする。 (もっと読む)


【課題】 過電流保護のための出力電流−出力電圧特性として所望の特性が得られ、通常動作領域において負荷電流が多くなった場合にも過電流保護ポイントまで正常な出力電圧制御動作が行えるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 電圧入力端子と出力端子との間に接続された制御用トランジスタ(M1)によって流される出力電流に縮小比例した電流を流す電流監視用トランジスタ(M2)と、該電流監視用トランジスタに流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換手段(R3)とを備え、通常動作状態では前記電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流さないようにし、電流監視用トランジスタに流れる電流が所定値以上になった場合には、電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流し、該電流−電圧変換手段により変換された電圧に基づいて制御用トランジスタをオフさせるように過電流保護回路(13)を構成した。 (もっと読む)


【課題】1または複数の他の定電流回路との間で共通インピーダンスを共有する定電流回路の出力電流に、他の定電流回路の出力電流に起因した誤差が生じることを防ぐ。
【解決手段】オペアンプと、当該オペアンプの出力端子にゲートが接続されドレインが当該定電流回路の出力端となる電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタのソースと共通インピーダンスとの間に介挿された抵抗と、を有する定電流回路に、共通インピーダンスおよび抵抗の共通接続点の電圧を第1の基準電圧とし、オペアンプの非反転入力端子には、第2の基準電圧と第1の基準電圧と電位差を所定の分圧比で分圧した電圧を印加し、同反転入力端子には、電界効果トランジスタのソースおよび抵抗の共通接続点の電圧と第3の基準電圧との電位差を所定の分圧比で分圧した電圧を印加する分圧回路を設ける。 (もっと読む)


【課題】起動時や低電圧動作時の出力挙動を改善することが可能な電源回路を提供する。
【解決手段】電源回路1は、入力電圧VINの印加端と出力電圧VREGの印加端との間に接続された出力トランジスタP1と、出力電圧VREGに応じた帰還電圧VFBと所定の基準電圧VBとの差分を増幅して誤差電圧Vaを生成する誤差増幅部X1と、入力電圧VINの印加端と出力トランジスタP1のゲートとの間に接続された抵抗部X2と、誤差電圧Vaに応じて抵抗部X2に流れる電流Iaの電流値を制御する電流制御部X3と、誤差電圧Vaに応じて抵抗部X2の抵抗値を制御する抵抗制御部X4と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 過渡応答特性が良く、且つ、安定動作を保つボルテージレギュレータを提供する。
【解決手段】 基準電圧回路が出力する基準電圧と、ボルテージレギュレータの出力電圧を分圧したフィードバック電圧とを入力し、その差を増幅し出力する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力端子がゲート端子に接続された第1のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタと接地端子の間に設けられた第1の定電流源と、第1のMOSトランジスタのドレイン端子と位相補償回路を介してゲート端子が接続された出力MOSトランジスタと、差動増幅回路の出力端子がゲート端子に入力され、出力MOSトランジスタのゲート端子にドレイン端子が接続された第2のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと接地端子の間に設けられた第2の定電流源と、を備えたボルテージレギュレータとした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、デュアルモードスイッチングレギュレータに関する。
【解決手段】入力端からの入力電圧と予め設定された基準電圧とを比較して比較結果信号を出力する比較部と、上記比較結果信号に応じて予め連結されたレギュレート経路を制御するためのレギュレート選択信号及び予め連結されたバイパス経路を制御するためのバイパス選択信号を生成するスイッチング信号生成部と、上記レギュレート経路上に含まれ上記入力電圧を予め設定された電圧に変換するレギュレータと、上記レギュレート選択信号に応じて上記入力端と出力端との間のレギュレータを含むレギュレート経路をオン/オフスイッチングするレギュレート経路選択部と、上記バイパス選択信号に応じて上記レギュレータを経由せず上記入力端と出力端とを連結するバイパス経路をオン/オフスイッチングするバイパス経路選択部と、を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】低ドロップアウトリニア電圧レギュレータを提供する。
【解決手段】かかる低ドロップアウトリニア電圧レギュレータは、一方の入力端から基準電圧が入力される差分増幅回路と、前記差分増幅回路の出力に応じて出力電圧を出力する負荷駆動回路と、前記負荷駆動回路の出力電圧の一部を前記差分増幅回路の他方の入力端に負帰還する負帰還回路と、前記低ドロップアウトリニア電圧レギュレータの起動瞬間以外の動作モードで、前記負荷駆動回路の出力電流が所定値を超えた場合、前記低ドロップアウトリニア電圧レギュレータの出力電流を制限するよう前記負荷駆動回路の制御を行う電流制限回路とを有し、さらに、前記低ドロップアウトリニア電圧レギュレータの起動瞬間に、前記低ドロップアウトリニア電圧レギュレータから出力される突入電流を抑制するよう前記負荷駆動回路への制御を行う突入電流抑制回路を有する。 (もっと読む)


【課題】ノイズを低減し安定した電圧を発生することが可能な電源安定化回路を提供する。
【解決手段】少なくとも1つのバイアス電圧生成回路13は、参照電圧と非安定電圧から生成されたバイアス電圧に応じた信号を比較し、バイアス電圧を生成する。少なくとも1つの電圧供給回路14は、機能回路22の近傍に配置され、配線23により機能回路に接続され、バイアス電圧生成回路から供給されるバイアス電圧に基づき、非安定電圧を安定化して機能回路に供給する。 (もっと読む)


【課題】マイコン電圧配線に接続されるコンデンサを小型化する。
【解決手段】車載用電源装置は、車載電源であるバッテリ200と、リレー201と、入力側コンデンサ203と、シリーズレギュレータ回路10と、出力側コンデンサ300とを備え、マイコン900に接続されている。シリーズレギュレータ回路10は、Nチャネル型MOSFET100と、FETの出力制御回路であるゲート電圧調整回路101と、ゲート電圧保持コンデンサ102を備え、ゲート電圧調整回路101によりコンデンサ−GND電圧(ゲート電圧)102Bを調整することにより、入力側コンデンサ電圧203Bを出力側コンデンサ電圧300Bに変換し、マイコンにマイコン電流900Aを供給する。 (もっと読む)


【課題】外付けされるキャパシタを内蔵した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10では、絶縁性フィルム12が、第1の面11cと第2の面11dを有する導電性部材11aの第1の面11cに設けられている。第1の面31aと第2の面31bを有する第1導電型の半導体基板31が、第2の面31bが絶縁性フィルム12側になるように設けられている。半導体基板31の第1の面31a側に、ゲート絶縁膜34を介して形成されたゲート電極35と、ゲート電極35を挟むように形成された第2導電型の第1および第2不純物拡散層36、37とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ21が設けられている。第1不純物拡散層36が半導体基板31に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】負荷電流に応じて消費電流を変化させる低消費電流の位相補償回路を有するボルテージレギュレータを提供する。
【解決手段】位相補償回路をドレインが誤差増幅回路の出力端子に接続される第一のトランジスタと、ドレインが第一のトランジスタのゲートに接続され、ゲートが抵抗を解して第一のトランジスタのゲートに接続される第二のトランジスタと、誤差増幅回路の出力端子と第一のトランジスタのドレインと第二のトランジスタのドレインに接続されるカレンントミラー回路と、第二のトランジスタのゲートと出力トランジスタのドレインの間に接続される容量を備える。こうすることで、負荷電流に応じて位相補償回路での消費電流を変化させることができ、低消費電流の位相補償回路を有するボルテージレギュレータが実現できる。 (もっと読む)


【課題】BGRとレギュレータの温度特性を正しく補正する機能を持つ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】分圧回路50は、バンドギャップ基準電圧VBGRを分圧した電圧VT1およびVT2を出力する。レギュレータ6は、差動アンプAMP1と、差動アンプAMP1の出力とグランドとの間に直列接続された抵抗R4および抵抗R5とを含む。差動アンプAMP1の正の入力端子は、バンドギャップ基準電圧VBGRを受け、負の入力端子は、抵抗R1とR2の接続ノードND6と接続する。BGR回路4は、BGR回路4内を流れる所定量の電流と所定の抵抗とによって定まる温度に応じて変化する電圧VPTATを出力する。温度特性補正回路2は、電圧VPTATと電圧VT1との差、および電圧VPTATと電圧VT2との差に応じた大きさの補正電流ICORRECTを接続ノードND6に流れるように制御する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で消費電力が小さく、しかも2つの電力供給源を有する場合にも電流の逆流を防止できるDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】入力端子110と、出力端子111と、入力端子110と出力端子111の間に接続されるMOSトランジスタ101と、MOSトランジスタ101の端子に印加される電圧を制御し、出力端子111から出力される出力電圧の値を制御する制御回路105と、前記出力端子と接続する第2電力供給端子(例えば図1、図2に示した入力端子112)と、入力端子110とMOSトランジスタ101のバルクとの間に接続され、出力端子111にゲートが接続されるMOSトランジスタ102と、MOSトランジスタ101のバルクと出力端子111との間に接続され、入力端子110にゲートが接続されるMOSトランジスタ103とによってDC−DCコンバータを構成する。 (もっと読む)


【課題】マイコン搭載装置への電源供給遮断時にもマイコンにリセットをかけられるようにする。
【解決手段】電子制御装置1では、電源入力ライン17へのバッテリ電圧(Vbat)から電源回路19がマイコン21用の電源電圧(以下、VS)を生成する。そしてリセット回路2は、マイコン21のリセット端子25をVSにプルアップする抵抗27と、VSの立ち上がり時にマイコン21にパワーオンリセットをかける回路29とに加え、オンすることで抵抗27の上流側にVSを供給するMOSFET51と、抵抗の上流側とグランドとの間に接続された抵抗52と、電源入力ライン17とMOSFET51のゲートとの間に接続された駆動用の抵抗53とを備える。そして、電源入力ライン17へのバッテリ電圧が遮断されると、VSがマイコン21の最低動作電圧Vminまで低下するよりも前に、MOSFET51がオフしてリセット端子25が抵抗52により0Vとなる。 (もっと読む)


【課題】一の電源から他の電源に切り替えるとき、一の入力端子から他の入力端子へ電流が逆流しない多入力電源回路の提供。
【解決手段】この発明は、入力端子101〜103と出力端子104との間に出力安定化部110、120、130を備えている。出力安定化部110は、MOSトランジスタMNL1と、基準電圧生成回路111と、演算増幅器112と、共通の分圧回路140とを備えている。出力安定化部120は、MOSトランジスタMNL2と、基準電圧生成回路112と、演算増幅器122と、共通の分圧回路140とを備えている。出力安定化部130は、バイポーラトランジスタQ1と、基準電圧生成回路131と、演算増幅器132と、レベルシフト回路135と、共通の分圧回路140とを備えている。 (もっと読む)


【課題】出力トランジスタで発生するラッシュ電流を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体集積回路は、第一及び第二の出力トランジスタ、第一の遅延発生部が設けられる。第一及び第二の出力トランジスタは並列的に配置される。第一の出力トランジスタは、制御端子に第一の制御信号が入力され、第一の制御信号に基づいてオンして低電位側電源側に第一の電流を流し、第一の電流が流れ始めてから一定な電流になるまでに第一の時間を要する。第一の遅延発生部は、第一の制御信号が入力され、第一の制御信号を第一の時間よりも短い第二の時間だけ遅延させた第二の制御信号を出力する。第二の出力トランジスタは、制御端子に第二の制御信号が入力され、第二の制御信号に基づいてオンして低電位側電源側に第二の電流を流す。 (もっと読む)


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