【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＮｄ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.216＜α＜0.385，0.064＜β＜0.146，0.181＜γ＜0.312，0.321＜δ＜0.386、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は軽量のフィルタ装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するために、入力コネクタ１２が接続された中空状の筐体１３と、この筐体１３の内に設けられた共振素子１４とを備え、筐体１３には下方に開口１３ａを有した枠体１３ｂと、開口１３ａに装着される蓋１５と、枠体１３ｂ内を複数の中空部５に仕切る仕切り１３ｃとを備え、開口１３ａの先端全周において筐体１３と蓋１５とがはんだ１６によって接続され、仕切り１３ｃには両面銅張り基板を用い、仕切り１３ｃの下方側は蓋１５と接続されるとともに、仕切り１３ｃの上方側は枠体１３ｂとはんだ１６で接続されたフィルタ装置であり、これにより、仕切り１３ｃにプリント基板を用い、これを蓋１５へはんだ１６によって接続するので、軽量なフィルタ装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】Q値を下げることなく温度変化による共振周波数の変動を抑制する。
【解決手段】蓋体８で閉鎖される筐体１の底面に、基部から蓋体８に対向する先頭部に向かって直径が漸減し且つ先頭部は丸みを持つ共振体３を設ける。電波を入力コネクタ４から結合板５を介して共振体３に送り、共振体３で励振した電波を結合板７、出力コネクタ６から出力する。筐体１、蓋体８の線膨張係数を共振体３の線膨張係数より大きくする。共振体３の表皮電流が基部から頂部まで一様になるのでQ値の低下はなくなる。先頭部の丸みにより、温度変化によって蓋体８と共振体３頂部の間隙が狭くなっても先頭容量が大きくならないので温度変化による共振周波数の変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 熱補償技術が適用されたフィルタおよびマルチプレクサ用の多重膜可撓性壁システムを提供する。
【解決手段】 本発明は、熱補償技術が適用されたマイクロ波共振器に対して最適にされた可撓性キャップシステムに関する。より具体的には、本発明は、熱補償フィルタおよびＯＭＵＸ用の多重膜可撓性壁システム（１０、１１）を提案する。
多重膜可撓性壁（１０、１１）を、特にＯＭＵＸチャネルの共振空洞用の封止キャップとして使用することにより：
・可撓性壁の熱抵抗を低減する一方、所与の変位に対して前記壁に加えられる等価レベルの機械的応力を維持すること、
・または、所与の変位に対して可撓性壁に加えられる機械的応力を低減する一方、前記壁に同一の熱抵抗を維持すること、
・または、等価レベルの機械的応力を維持することおよび等価の熱抵抗を維持することによって、可撓性壁の変形を増大させること
ことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有し、２５℃に対する１２５℃でのＱ値の低下率が小さく、共振周波数の温度係数τｆの曲がりが小さい高周波用誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】金属元素として少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有する主成分とＮｂとを有する高周波誘電体磁器組成物であって、主成分は、金属元素のモル比による組成式をａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ₂と表したとき、ａ、ｂおよびｃが、０．４２≦ａ≦０．５１、０．０１≦ｂ≦０．０６、０．４５≦ｃ≦０．５３（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）を満足する。１ＧＨｚでのＱｆ値が、７９０００以上である。 （もっと読む）

【課題】 冷却時に、パッケージと誘電体基板との熱膨張係数の差に起因して、誘電体基板にクラックが発生する。
【解決手段】 誘電体基板の表面に、超伝導材料で共振器パターンが形成されて超伝導フィルタ基板が構成される。パッケージ内に、超伝導フィルタ基板が収容される。パッケージの内面と、超伝導フィルタ基板との間に、該パッケージと該超伝導フィルタ基板とを熱的に結合させる中間基板が配置される。パッケージ、中間基板、及び誘電体基板の材料は、室温から共振器パターンの臨界温度まで冷却したとき、中間基板の収縮率と誘電体基板の収縮率との差が、誘電体基板の収縮率とパッケージの収縮率との差よりも小さくなるように選択されている。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが８〜２０で調整可能であり、Q×ｆｏ値も大きく、さらに共振周波数ｆｏの温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ/℃以下で調整が容易な高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 酸化スズ（ＳｎＯ₂）、フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）、ステアタイト（ＭｇＳｉＯ₃）、マグネシウムチタネート（ＭｇＴｉ₂Ｏ₅）からなる誘電体磁器組成物であって、組成式 aＳｎＯ₂−bＭｇ₂ＳｉＯ₄−cＭｇＴｉ₂Ｏ₅−dＭｇＳｉＯ₃で表したときに、前記組成式におけるａ，ｂ，ｃ，ｄ(ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル％である)が、４≦ａ≦３７、２５≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１９、２≦ｄ≦１９、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００の範囲にある高周波用誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、周囲の温度変化に対する共振周波数の変化を安定化させることができる共振器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の共振器は、筐体１３に設けた貫通穴１５に先端部１６ａが空洞１２内に突出するように取り付けた調整ボルト１６の先端部１６ａにコンデンサ１８を取り付けるとともに、このコンデンサ１８の一方の電極１８ａと前記調整ボルト１６の先端部１６ａとを接続したものである。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能、十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品の提供。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＺｎＯ−ｃＴａ_２Ｏ_５−ｄＮｂ_２Ｏ_５−ｅＺｒＯ_２（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を示す。）との組成式で表記され、３９．５≦ａ≦４２．５、１８．５≦ｂ≦２８．０、０≦ｃ≦２８、０≦ｄ≦２８、０＜ｅ≦２３で示され、また、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ジルコニアよりなる組成物を、ｘＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｙＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｚＢｉ_２Ｚｒ_２Ｏ_７（ただし、ｘ、ｙ及びｚはモル比を示す。）と表し、前記ｘ、ｙ及びｚの各々の相関を三角図を用いて示した場合に、特定の領域にあり、セラミック電子部品は、前記誘電体磁器組成物を焼成してなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が誘電体磁気組成物と同時焼成されてなる導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高いε_rと高いＱ×ｆ値を有し、またτ_fの絶対値が小さい、優れた誘電特性を示す高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
【解決手段】 組成式：Ｂａ｛（Ｍｇ_aＣｏ_1-a）_x（Ｔａ_bＮｂ_1-b）_1-x｝_vＯ_w（ただし、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされる組成を有し、上記組成式におけるａ、ｂ、ｘ、およびｖが、
０．１≦ａ≦０．９、
０．１≦ｂ≦０．９、
０．３１５≦ｘ≦０．３４５、
０．９８≦ｖ≦１．０３
の範囲内にある主成分１００重量部に対して、ＣｕＯおよび／またはＣｅＯ₂である副成分を０．００１〜１．０重量部含有する。 （もっと読む）

【課題】焼成後の素子本体にクラックやデラミネーションなどを生じさせることなく、しかも低コストで、Ｑ値が高く、小型で低損失な積層型誘電体共振器を提供すること。
【解決手段】誘電体層を介して複数の内部電極層が積層してあり、これらの内部電極層のパターンおよび積層構造により、コンデンサ部とインダクタ部とが形成してある積層型誘電体共振器である。少なくとも前記インダクタ部が、導電性粒子が比較的に少なくガラス成分が比較的に多く含まれる中心層２０ａと、中心層２０ａの周囲を覆うように形成してあり、中心層２０ａよりも導電性粒子が多く含まれる被覆層２０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 スプリアス共振の発生を低減し構造が簡単で周波数特性が安定した誘電体共振器および誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】
一端面は短絡電極板６により外導体２と内導体３が短絡された同軸線路の中に、貫通孔７を有し両主面に電極が形成された円筒形状の誘電体コア４を、内導体３が貫通孔７を挿通するように設置し、誘電体コア４の一主面を短絡電極板６に電気的に接続された構造とすることで、スプリアス共振が極めて抑制された誘電体共振器が実現できる。またこのような共振器を基本構成として誘電体フィルタを形成することにより減衰特性の優れた誘電体フィルタが実現できる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率（εｒ）、Ｑｆ値が高い誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】（Ｂａ_１−ａＳｒ_ａ）_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０．２０≦ａ≦０．５０）の組成を有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物を提供する。疑似タングステンブロンズ構造を有するＢａ_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４系の誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換することによって、比較的高い比誘電率（εｒ）を維持しつつ、Ｑｆ値を著しく向上させ得る。また、Ｂａ_４Ｓｒ_２（Ｎｄ_１−ｂＹ_ｂ）_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０≦ｂ≦０．４０）の組成を有している誘電体磁器組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 生産コストの増大を防ぎ、かつ、誘電体共振器の共振周波数の温度特性を安定させることが可能な誘電体共振器の実装構造ならびにそれを備えた誘電体発振器、低雑音ダウンコンバータおよびトランスミッタを提供する。
【解決手段】 誘電体共振器の実装構造は、基板１０１と、誘電体共振器１１０とを備え、基板１０１に貫通孔１０９が形成され、誘電体共振器１１０が実装される基板１０１の実装面における貫通孔１０９の断面が、誘電体共振器１１０が実装される領域の一部である。 （もっと読む）