【課題】 アイソレーションの良い高周波スイッチを提供する。
【解決手段】 半導体素子結合装置８は、ミリ波帯域の高周波信号をＬＣ共振回路により通過させるバンドパスフィルタの一部８ａと、バンドパスフィルタの残部８ｂとを備える。バンドパスフィルタの一部８ａと残部８ｂは分離されており上記一部８ａは上記半導体素子１０の内部に設けられ、上記残部８ｂは上記半導体素子１０の外部（外部回路２０）に設けられ、さらに、上記一部８ａ及び残部８ｂは、容量素子に可変容量素子を付加しており、当該可変容量素子を変化させることにより高周波信号の通過帯域を変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】小型で広範囲帯域幅を特徴としたバンドパスフィルタを得ることを目的とする。
【解決手段】バンドパスフィルタは、導電ストリップ（２）を含む伝送線路を含み、該伝
送線路は、少なくとも一つのスプリットリング共振器（６、７）、インダクティブ素子（
４、４１）およびキャパシティブ素子（３）を含む少なくとも一つのバンドパスフィルタ
セルを含み、少なくとも一つの通過帯域が識別される周波数特性を有する。 （もっと読む）

【課題】積層基板と、これに搭載されるバンドパスフィルタ素子とを含む積層体全体の厚みを小さくする。
【解決手段】高周波モジュール１は、積層基板１００と、積層基板１００の上面１００ａに搭載された複数の素子と、これらの素子を覆う金属製ケース１１０とを備えている。積層基板１００の上面１００ａに搭載された複数の素子は、バンドパスフィルタ素子４０を含んでいる。バンドパスフィルタ素子４０は、バンドパスフィルタの機能を実現するバンドパスフィルタ用導体層および複数のバンドパスフィルタ用誘電体層を含んでいるが、電磁気的なシールドとして機能する導体層は含んでいない。積層基板１００に含まれるグランド用導体層１０２Ｇとケース１１０は、それぞれバンドパスフィルタ素子４０に対向してバンドパスフィルタ素子４０に対する電磁気的なシールドとして機能する。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス素子およびキャパシタを積層させてなる積層型回路を薄型化することができる積層型回路を提供すること。
【解決手段】本発明の積層型フィルタ回路は、共振インダクタンス２を形成する環状の第１の導体線路および第２の導体線路、１０枚の平板電極３３ａ〜３７ａ、３３ｂ〜３７ｂ、平板電極３４ａ、３４ｂ、３６ａ、３６ｂにそれぞれ接続されている入力端子７および出力端子８および２枚の接地導体９Ａ、９Ｂを備えている。１０枚の平板電極は、第１の導体線路および第２の導体線路に係る環の内側に配設されており、各キャパシタ６Ａ〜６Ｅを形成する。これによりデッドスペースとなっていた環の内側を有効利用できる。また、平板電極３３ａ〜３７ａ、３３ｂ〜３７ｂを形成する分だけ２つの環の内径が大きり、第１の導体線路および第２の導体線路に形成される線間容量が小さくなるので、積層型フィルタ回路１Ａの小型化およびＱの向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】デュアルバンド無線装置に用いられる高周波回路、高周波部品において、小型化を可能とする。
【解決手段】アンテナ端子に繋がるスイッチ回路と、スイッチ回路に繋がる第１と第２の分波回路と、第１の分波回路に繋がる第１と第２のパワーアンプ回路と、前記第１と第２のパワーアンプ回路に繋がる第１と第２のバンドパスフィルタ回路と、前記第２の分波回路に繋がる第３のバンドパスフィルタ回路と、前記スイッチ回路と前記第１の分波回路との間に設けられた検波回路と、前記スイッチ回路と前記第２の分波回路との間に設けられたローノイズアンプ回路とを具備し、セラミック誘電体からなる複数の層に電極パターンを形成し積層一体化してなる積層体と、前記積層体の表面に搭載された素子とから構成される高周波部品。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でパルス信号の波形歪を補償すること。
【解決手段】受動フィルタ回路より構成される本発明の波形歪補償フィルタ２５は、伝達関数H_c(s)（s=2πif, iは虚数単位）２８を有し、伝送経路の全伝達関数H₀(s)と、H₀(s)の周波数依存性から適宜選択される受動帯域通過フィルタの伝達関数H_BPF(s)との間に、H_c(s)≒H_BPF(s)/ H₀(s)の関係を成立させることにより、H_BPF(s)の通過周波数帯における信号伝搬特性の周波数依存性の平坦性を確保し、電力供給の不必要なパルス信号の波形歪の補償処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】阻止域底部における減衰特性の平坦性と、阻止域底部両側の立ち上がり急峻性とを兼ね備えた通過特性を有すとともに、隣接チャンネル信号を過度に減衰させることなく、希望チャンネルの信号は問題なく減衰できる有極型帯域阻止フィルタを提供する。
【解決手段】信号伝送路８３上の第一分岐点から接地側に分岐し、誘電体共振器ＲＥＳ１とコンデンサＣ３，Ｃ４とを並列共振結合した構成で第一減衰極ｆ_Lを形成する為の第一共振部１６及び第一分岐点とは異なる第二分岐点から接地側に分岐し、誘電体共振器ＲＥＳ２とコンデンサＣ５，Ｃ６とを並列共振結合した構成で第二減衰極を形成する為の第二共振部１７が設けられている。さらに、信号伝送路８３上にて、第一共振部１６と第二共振部１７とを結合する形で、遮断域の第一減衰極と第二減衰極との間に生ずるリップルを減衰させる結合回路側ＬＣ並列共振部１０Ｒを有する結合回路部６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】０次共振周波数におけるＱ値の劣化を招くことなく、高次の共振周波数を減衰させることができる高周波共振器を得ることを目的とする。
【解決手段】入力端子１と出力端子２の間に縦続接続されている複数の直列共振回路３−ｎと、一端が複数の直列共振回路間の接続点に接続されて、他端が接地されている複数の並列共振回路４−ｍとから構成して、複数の直列共振回路３−ｎ内に抵抗６ａ，６ｂを装荷する。これにより、０次の共振周波数におけるＱ値の劣化を招くことなく、高次の共振周波数を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】分岐結合部を必要とせず、より広帯域の周波数帯域を阻止することが可能な帯域阻止フィルタを提供する。
【解決手段】第１ないし第４の端子を有するハイブリッド回路と、前記ハイブリッド回路の第２の端子と第３の端子との間に接続される帯域通過フィルタとを有する帯域阻止フィルタであって、前記ハイブリッド回路の第１の端子を、帯域阻止フィルタの入力端子となし、前記ハイブリッド回路の第４の端子を、帯域阻止フィルタの出力端子とする。また、前記ハイブリッド回路の第２の端子と第３の端子との間に、ｎ（ｎ≧２）個の帯域通過フィルタを接続する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＣ共振回路を負荷としたミキサ回路において、ＬＣ共振回路の共振周波数を変化させてもゲインが大きく変化したりＱの値が大きく低下したりすることがないようにする。
【解決手段】 ＬＣ共振回路を負荷としたミキサ回路において、一次側の負荷インダクタ（Ｌ１，Ｌ２）と相互誘導結合される二次側のインダクタ（Ｌ３，Ｌ４）および該インダクタと並列に接続された可変容量（Ｃｖ１，Ｃｖ２）をＬＣ共振回路に設け、可変容量に印加される制御電圧を変化させることで等価インダクタンス値を変化させて、ＬＣ共振回路の共振周波数を変化させるようにした。 （もっと読む）

【課題】使用周波数帯域を広く設定しても、特に高精度な抵抗器等を用いることなく、出力振幅を高精度にすることができる高周波回路モジュールを提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、タンク回路１、ｎｐｎ型トランジスタＴｒ０、入力端子１０、および出力端子２０を備える。タンク回路１は、インダクタＬｓおよび第１抵抗器Ｒｓの直列回路と、キャパシタＣｓと、第２抵抗器Ｒｐとの並列回路からなる。第１抵抗器Ｒｓと第２抵抗器Ｒｐとは同一チップの同層に同じ素材で形成される。この構成により、タンク回路１のＱ値が低下するとともに、タンク回路１を構成する各回路素子の素子値バラツキに影響されることなく、タンク回路１のインピーダンスの変動が抑圧される。 （もっと読む）

【課題】特定の広い周波数帯域を遮断することが可能で、それ以外の周波数成分を確実に伝送し得るマイクロ波回路を得る。
【解決手段】入力端子６と出力端子７の間に複数個の単位セルが電気的に直列接続され、前記単位セルは、インターディジタルキャパシタ２あるいはインターディジタルキャパシタ２及び寄生インダクタから構成される直列回路を直列要素とし、スタブインダクタ３あるいはスタブインダクタ３及び寄生コンデンサから構成される並列回路を並列要素とするマイクロ波回路であって、スタブインダクタ３のインダクタンスは、少なくとも２以上同じであり、インターディジタルキャパシタ２の静電容量は、入力端子６側から順に単位セル毎に徐々に増大している。 （もっと読む）

チューナブルＲＦフィルタを提供する。フィルタは入出力を有する信号伝送経路と、単一の伝送経路に沿って入出力間に配列した複数の共振素子と、共振素子を結合する複数の非共振素子とを具えている。共振素子はそれぞれの共振素子周波数に対応する複数の伝送ゼロを有する停止帯域と、停止帯域間に少なくとも１の副帯域とを形成するように互いに結合する。非共振素子は、副帯域のうちの１つに通過帯域を形成すべく、停止帯域内に少なくとも１の反射ゼロを選択的に導入するように少なくとも１の可変非共振素子を具えている。可変非共振素子は、副帯域内又は選択した副帯域内へ通過帯域を選択的に移動すべく停止帯域に沿って反射ゼロを転置するように構成することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を高い状態に維持しながら、共振周波数を変化させることが可能であり、しかも低損失で小型サイズの積層型誘電体共振器を提供すること。
【解決手段】誘電体層を介して複数の内部電極層が積層してあり、これらの内部電極層のパターンおよび積層構造により、コンデンサ部Ｃ１〜Ｃ３とインダクタ部Ｌ１，Ｌ２とが形成してある積層型誘電体共振器２である。インダクタ部Ｌ１，Ｌ２が、誘電体層４０を介して積層されて端部において接続される複数層の直線パターンで構成してある。直線パターンの一部が、他の部分よりも幅が狭い調整用直線パターンを有する。 （もっと読む）

【解決手段】第１の領域（１１０）と第２の領域（１２０）を各々有する１層以上の金属層を含んだバンドパスフィルタ。前記フィルタは、更に、２つ以上のＬＣ共振器（４３１，４３３，４３４）と、前記２つ以上のＬＣ共振器を並列に接続するための１つ以上の結合ネットワーク（１４０）を含む。前記２つ以上のＬＣ共振器は、前記１層以上の層の第１の領域内に収容され、前記１つ以上の結合ネットワークは、前記１層以上の層の第２の領域内に収容される。
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【課題】本発明は、コンデンサを有する電子部品に関し、エレクトロマイグレーションの発生を防止でき、かつコンデンサ素子の容量値の精度が高い電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品１は、基板５１上に形成された下部導体２１と、下部導体２１を覆って形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成された有機絶縁膜３３と、下部導体２１上の有機絶縁膜３３を開口した開口部３３ｂに形成され、下部導体２１と誘電体膜３１とでコンデンサ素子１１を構成する上部導体２３とを有している。 （もっと読む）

【解決手段】バンドパスフィルタは、タップ線型入力および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタを有するコムラインバンドパスフィルタを含む。バンドパスフィルタは、更に、各々が共振器のうちの１つとそれに対応する負荷キャパシタとの間に接続される複数の負荷インダクタと、少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続される直接結合キャパシタを含む。コムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することで通過帯域の低域側に追加の減衰極が形成される。直接結合キャパシタンス値を変えることで通過帯域の低域側の減衰・ロールオフ特性を制御できる。コムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することで通過帯域の高域側に減衰極が形成される。負荷インダクタの値を変えることで通過帯域の高域側の減衰・ロールオフ特性を制御できる。
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【課題】マザーボード等への実装状態の違いによる特性変化を低減できる薄型の積層型誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】下部グランド電極111が誘電体シート121の略全面に形成され、上部グランド電極116が上部から透視したときにインダクタ電極114A,114Bと重ならないように開口部116aを持つように積層型誘電体フィルタ100を構成する。この構造により、キャパシタ電極112A,112Bと下部グランド電極111との間でキャパシタを形成する際に略全面を使用することができ、所望のフィルタ特性を実現することが容易になると共に、下部グランド電極111によってマザーボードの上の配線やグランド電極の影響を大きく低減できる。さらに、インダクタ電極114A,114Bから発生する磁界が上部グランド電極116によって遮蔽されることを防ぐことができる。よって、積層型誘電体フィルタ100の薄型化と特性の維持が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 バランにフィルタ機能を具備させて、部品間の接続配線による電気特性の劣化を生じさせず、かつ実装面積、部品点数を低減低減可能な、平衡−不平衡変換回路及びこれを用いた高周波部品を提供する。
【解決手段】 不平衡端と接続する第１コイルと、一端が平衡端の一方と接続し、他端が接地する第２コイルと、一端が平衡端の他方と接続し、他端が接地する第３コイルとを備え、第１コイルと第２コイル及び第３コイルとが結合してなり、第１コイルを構成する線路の任意の点とグランドとの間に、第１コンデンサを配置し、第１コンデンサと第１コイルを形成する線路の一部とで、高調波を減衰させる減衰極を設けた。 （もっと読む）