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Fターム[5J042AA10]の内容

論理回路 (4,317) | 論理回路の構成 (51) | ジョセフソン素子以外のもの (8)

Fターム[5J042AA10]に分類される特許

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【課題】所望の論理回路を構成する記憶素子ブロックの総量を減らすことを図る。
【解決手段】N(Nは、2以上の整数)本のアドレス線と、N本のデータ線と、複数の記憶部であって、各記憶部は、前記N本のアドレス線から入力されるアドレスをデコードしてワード線にワード選択信号を出力するアドレスデコーダと、前記ワード線とデータ線に接続し、真理値表を構成するデータをそれぞれ記憶し、前記ワード線から入力される前記ワード選択信号により、前記データを前記データ線に入出力する複数の記憶素子を有する、複数の記憶部と、を備え、前記記憶部のN本のアドレス線は、前記記憶部の他のN個の記憶部のデータ線に、それぞれ接続するとともに、前記記憶部のN本のデータ線は、前記記憶部の他のN個の記憶部のアドレス線に、それぞれ接続する半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】電流駆動能力がより小さなクロック信号生成回路を適用することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】nチャネル型トランジスタで構成されるスイッチ及び論理回路を有し、スイッチは導通状態又は非導通状態がクロック信号によって選択され、論理回路は、ブートストラップ回路と、入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有し、高電源線と出力端子との接続を反転入力端子に入力される信号によって制御し、低電源線と出力端子との接続を入力端子に入力される信号によって制御することによって、入力信号がローレベル電位の場合には、ブートストラップ回路を用いて出力端子の電位を上昇させることにより出力端子から高電源電位を出力し、トランジスタは、チャネルが形成される半導体層と、半導体層を挟んで上下に設けられた一対のゲート電極とを有し、一対のゲート電極の他方はソースと接続される。 (もっと読む)


【課題】性能が向上されたフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)を提供する。
【解決手段】フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)103であって、該FPGAは、該FPGA内の少なくとも1つの回路に対するプロセス、電圧、および温度の表示を提供するように適合された監視回路のセット115と、該少なくとも1つの回路に対するプロセス、電圧、および温度の該表示から該少なくとも1つの回路に対するボディバイアス値の範囲を導出するように適合されたコントローラ140と、該少なくとも1つの回路内の少なくとも1つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器とを含み、該ボディバイアス信号は、該ボディバイアス値の範囲内の値を有する。 (もっと読む)


【課題】より小さな規模で論理回路が構成できるようにする。
【解決手段】第1周波数に第1差分周波数を加えた第1入力周波数の第1振動および第1周波数から第1差分周波数を減じた第2入力周波数の第2振動が入力される第1入力部101と、第1周波数と異なる周波数の第2周波数に第2差分周波数を加えた第3入力周波数の第3振動および第2周波数から第2差分周波数を減じた第4入力周波数の第4振動が選択的に入力される第2入力部102と、第1入力部101の振動と第2入力部102の振動との差を出力する周波数変換部103と、設定された少なくとも第1設定周波数を検出して対応する第1出力を出力する周波数検出部104とを少なくとも備える。 (もっと読む)



【課題】本発明は、スイッチボックスを有する周辺接続ネットワークに外部接続され、プログラム可能な入出力ブロックに接続され、論理関数を実行する再構成可能な論理セルの相互接続配列に関する。
【解決手段】論理セル[i,j]は、1次元i行(i=1〜d)、2次元j列(j=1〜w、d≧2かつw=2又はd=2かつw≧2)となるように配列され、第1及び第2入出力を含み、論理セルそれぞれの第1入出力は、接続ネットワークに接続され、論理セルそれぞれの第2入出力は、第1及び最終の行列がそれぞれd>2又はw>2となる場合を除いて、他の異なる行列の論理セルに接続され、w=2となる両列の間で、かつd=2となる両行の間で、かつ一方向及び逆方向に沿って引き続いて周期的に振動する交差相互接続トポロジを通過して、論理関数の論理深度が、1かつ2×dの間で、又は1かつ2×wの間で構成される。 (もっと読む)


【課題】 磁気トンネル接合を使用する不揮発性論理装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、レジスタセルであって、不平衡フリップフロップ回路を形成するような、第2のインバータに結合された第1のインバータを含む差動増幅部分と、第1および第2のインバータのそれぞれの一端部に接続された第1および第2のビット線と、第1および第2のインバータのそれぞれの他端部に接続された第1および第2のソース線とを備え、前記第1および第2のインバータのそれぞれの前記他端部に電気的に接続される第1および第2の磁気トンネル接合をさらに備えることを特徴とする、レジスタセルに関する。本明細書に開示するシフトレジスタは、従来のシフトレジスタよりも小さく製造することができ、シフトレジスタの読み書き動作中の消費電力を低くすることができる。 (もっと読む)


【課題】直線状の線路の中を磁気ソリトンが伝搬するのに必要な磁界は比較的に小さいのに、方向の変化、接合および論理ゲートは隣接するソリトンの間に弱い結合を生ずる。その結果生ずるエネルギの不連続は高い伝搬磁界を必要とし、伝搬磁界と核生成磁界との間の分離を小さくし、新しいソリトンを誤って核生成するという問題が生じる。
【解決手段】磁気ソリトンを保持および伝搬することができる少なくとも1つのコンジットによって形成された論理デバイスのための磁気論理素子が開示される。このコンジットは、ソリトンの伝搬エネルギの中に不連続を生ずるノードおよび/または方向の変化の供給に対して適応され、結果として論理機能が処理される。相互接続体およびゲートのような磁気論理デバイスおよびこのようなデバイスや適切な演算磁界を組み込んだ磁気論理回路がまた開示される。 (もっと読む)


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