Fターム［5J055DX04］の内容
電子的スイッチ (55,123) | 出力部 (8,827) | 主スイッチを構成する素子 (3,300) | バイポーラトランジスタ (323) | ｎＰｎ (87)
Fターム［5J055DX04］に分類される特許
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インタフェース回路
【課題】 Ｐ１形およびＰ２形のうちの所望の形式で使用することができ、応答速度が速いインタフェース回路を提供する。
【解決手段】 インタフェース回路をＰ１形で使用する場合は端子Ｔ４とＴ６を接続し、Ｐ２形で使用する場合は端子Ｔ５とＴ６，Ｔ７とＴ８をそれぞれ接続する。車両感知信号／Ｄが活性化レベルの「Ｌ」レベルになると、Ｐ１形の場合はフォトトランジスタ６が導通せず、出力端子Ｔ２，Ｔ３間が非導通状態になり、Ｐ２形の場合はフォトトランジスタ６が導通し、出力端子Ｔ２，Ｔ３間が導通状態になる。従来のフォトＭＯＳトランジスタの代わりにフォトトランジスタ６を使用したので、応答速度が速くなる。
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差動型論理回路
【課題】 信号の減衰を招くことなく且つ信号の差動性を保ったまま、電源の低電圧化が図られた差動型論理回路を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳトランジスタ１１＿１１，１１＿１２からなる第１の差動増幅器１１＿１０と、ＭＯＳトランジスタ１１＿２１，１１＿２２からなる第２の差動増幅器１１＿２０のうちのいずれか一方の差動増幅器を選択する選択信号に応じて中心電位が相互にシフトした２つの相補信号である差動電圧信号Ａ，Ａｂおよび差動電圧信号Ｂ，Ｂｂを生成して、差動増幅器１１＿１０および差動増幅器１１＿２０に入力する。
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ＰＷＭモータ駆動回路
【課題】高速で小型、低損失で信頼性の高いＰＷＭモータ駆動回路を実現する。
【解決手段】ソースを電源＋ＶDDと接続したＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴru+ とソースをＧＮＤと接続したＮチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴru- のドレインを接続し、モータコイルの出力とする。また、前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴru+ のソースとゲート間にバイアス抵抗Ｒ４を接続し、その抵抗Ｒ４と並列にソースとゲートを前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴru+ のオフ時に短絡するトランジスタＱ２を設けるとともに、前記ゲートとコレクタを接続し、ベースを電源＋ＶDDに接続した入力用のＮＰＮトランジスタＱ１のエミッタをマイコン２のポートＰ１に接続する。一方、前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴru- のゲートをマイコン２のポートＰ２と接続して両ポートＰ１、Ｐ２から駆動信号を入力する。この回路を用いることで簡便で高速動作ができて小型化が図れ、低損失で信頼性の高いＰＷＭモータ駆動回路を実現する。
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シリコンゲルマニウム・ヘテロ結合バイポーラトランジスタを使用した高速クロスポイントスイッチ及び方法
【解決手段】高速クロスポイントスイッチは、好適にはシリコン基板上に設けられ、バイポーラトランジスタスイッチング素子を使用する。バイポーラトランジスタはSiGeバイポーラ接合トランジスタである。交差する導電性入力及び出力マイクロストリップは、好適にはそれらの交点で細く形成されて結合線間のシャントキャパシタンスを減少する。また、入力バッファは、増幅段を形成するために、スイッチングトランジスタとカスコード状に接続されることが好ましい。信号及びその逆信号は、平衡線路対の中央での電磁場強度を減少するために平衡マイクロストリップに搬送されることにより、２個の交差平衡対間の隔離を改良する。 
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携帯機器のための割り込み駆動の拡張型オプション選択インタフェース
携帯電子機器（１０２）には周辺コンポーネント（１０４）が取り付けられ、この周辺コンポーネント（１０４）はオプション選択回路を使用して周辺コンポーネントのオプションクラスを示す。オプション選択回路は、携帯電子機器に割り込みを生成し、次いで種々のオプション論理ラインの論理レベルの変更により、オプションクラスを決定する。オプション選択ラインのうちの一つの論理状態の反転が検知されると、携帯電子機器はオプション選択回路のプレゼンスを知り、従って周辺コンポーネントのオプションクラスを決定する。 
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無線周波数用双極単投スイッチ
【解決手段】本発明の双極単投（ＤＰＳＴ）スイッチは、第１入力ポートに対応する第１回路部と、第２入力ポートに対応する第２回路部と、及び出力ポートを有するスイッチ回路とを具備する。ここで、第１及び第２の回路部の各々は、分離チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第１トランジスタと、送信チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第２トランジスタと、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを提供する少なくとも１個の第３トランジスタとを有する。 （もっと読む）
整流器
【課題】 簡易な構成で、低損失で交流を整流することができる整流器を提供することである。
【解決手段】 ｐ型半導体からなるベースＢとサブエミッタＳは、互いに接しないようにして、ｎ型半導体からなるコレクタＣに接合されている。ｎ型半導体からなるエミッタＥは、ベースＢに接合されている。ベースＢ−エミッタＥ間には抵抗器Ｒが接続され、サブエミッタＳにはバイアス用電源ＶＢの正極が接続され、エミッタＥには負極が接続される。コレクタＣとエミッタＥが実質的に同電位となったとき、ベースＢ−サブエミッタＳ間が導通して抵抗器Ｒに電圧降下が生じるが、コレクタＣ−エミッタＥ間は導通しない。コレクタＣを基準としたエミッタＥの電圧が更に低下すると、コレクタＣ−エミッタＥ間が導通する。
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